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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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解析 NVMFS5C468N:高性能 N 溝道功率 MOSFET 的卓越之選
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2026-04-09 標(biāo)簽:功率MOSFET電子設(shè)備設(shè)計(jì)NVMFS5C468N 144 0
onsemi NVMFS5C466NL單通道N溝道功率MOSFET的特性與設(shè)計(jì)應(yīng)用
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2026-04-09 標(biāo)簽:電子設(shè)計(jì)功率MOSFETNVMFS5C466NL 108 0
深入解析 onsemi NVMFS5C612NL 功率 MOSFET
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2026-04-09 標(biāo)簽:功率MOSFETonsemiNVMFS5C612NL 175 0
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2026-04-09 標(biāo)簽:功率MOSFETonsemiNVMFS6H836N 265 0
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2026-04-09 標(biāo)簽:安森美功率MOSFETNVMFWS0D4N04XM 359 0
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2026-04-09 標(biāo)簽:功率MOSFETonsemiNVMFS6H864NL 147 0
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2026-04-09 標(biāo)簽:功率MOSFETonsemiNVMFS6H852N 649 0
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