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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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全球半導(dǎo)體出貨量2年后或破1兆 數(shù)字如此驚人
根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) IC Insights 的最新預(yù)測,全球半導(dǎo)體市場──包括 IC 以及光學(xué)、感測與離散組件(OSD)──出貨規(guī)模將在 2016年達(dá)到1...
2014-02-27 標(biāo)簽:IC半導(dǎo)體器件 1k 0
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一...
2012-11-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件超高壓 4.5k 0
美高森美太空解決方案被應(yīng)用在火星漫游者任務(wù)中
美商美高森美公司(Microsemi) 祝賀美國國家航空暨太空總署 (NASA) 和噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室 (Jet Propulsion Lab, JPL)成...
羅姆在半導(dǎo)業(yè)界以高收益企業(yè)而聞名,但羅姆高層如今并不這么看。該公司銷售利潤率曾一度高達(dá)近30%,但2006年度跌破20%,2009年度以后進(jìn)一步降至...
2012-06-27 標(biāo)簽:MEMS半導(dǎo)體器件羅姆半導(dǎo)體 5.4k 0
片狀獨(dú)石陶瓷電容器——高性能半導(dǎo)體器件不可或缺的元件
電阻器、電容器、電感器。這些被公認(rèn)為較平常的無源部件,實(shí)際上卻是最尖端電子設(shè)備不可或缺的部分。尤其對(duì)最尖端的半導(dǎo)體器件而言,片狀獨(dú)石陶瓷電容器更是極...
2012-04-09 標(biāo)簽:電容器半導(dǎo)體器件 3.2k 0
熱點(diǎn)應(yīng)用走熱,2012年最值得關(guān)注的五類半導(dǎo)體器件
隨著2012年第一季度即將過去,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走勢也逐漸明朗,在走訪了多家半導(dǎo)體廠商后,2012年幾大熱點(diǎn)應(yīng)用逐漸浮出水面...
2012-03-15 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件Nand Flash 1.9k 0
安捷倫完成對(duì)Accelicon Technologies的收購
安捷倫科技公司(NYSE:A)日前宣布為電子行業(yè)提供器件建模及驗(yàn)證的Accelicon Technologies軟件解決方案和技術(shù)現(xiàn)已成為安捷倫的一部分...
2012-02-27 標(biāo)簽:安捷倫半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體收購 1.6k 0
IGBT走虛擬IDM之路:設(shè)計(jì)與加工是分離還是統(tǒng)一?
目前我國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場牽引下得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬...
2012-02-16 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件芯片工藝 4.4k 0
新技術(shù)和新概念促機(jī)電式繼電器實(shí)現(xiàn)巨大創(chuàng)新
機(jī)電式繼電器被公認(rèn)是可靠、具魯棒性的低成本器件。繼電器的制造量與日俱增,并被成功運(yùn)用于實(shí)現(xiàn)信號(hào)和能量分配的無數(shù)應(yīng)用中。即使是在最惡劣的環(huán)境條件下,它卻仍...
2012-02-07 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體器件 2k 0
超快速IV測試技術(shù)-半導(dǎo)體器件特性測試的變革
超快速IV測量技術(shù)是過去十年里吉時(shí)利推出的最具變革性的方法和儀器,吉時(shí)利一直以其高精度高品質(zhì)的SMU即原測試單元而著稱,這里將介紹測試單元PUM和超快速...
2011-08-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件IV測試特性測試 7.7k 0
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù),并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。
2011-06-29 標(biāo)簽:射頻集成電路半導(dǎo)體器件 2.5k 0
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