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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關應用提高效率
Trench肖特基整流器能夠?qū)崿F(xiàn)超快的開關速度,既能減少整流器的開關損耗,又減少了同一換向單元中MOSFET產(chǎn)生的損耗(此種配置通常用于異步開關模式功率...
電子自旋器件是將自旋屬性引入半導體器件中,用電子電荷和自旋共同作為信息的載體,稱為電子自旋器件,已研制成功的自旋電子器件包括巨磁電阻、自旋閥、磁隧道結和...
公司針對不同需求有高性價比、高可靠性、高速三大系列高壓MOSFET產(chǎn)品,反壓覆蓋200-900V,電流覆蓋0.5-24A。
那么,電推進系統(tǒng)的基本原理是什么,目前中國的電推進技術發(fā)展處于怎樣的階段?相比于傳統(tǒng)的化學推進,電推進有何長處?稀有氣體與半導體器件在整個電推進系統(tǒng)中分...
總投資25億元的捷捷微電高端功率半導體產(chǎn)業(yè)化項目正式開工
捷捷微電專業(yè)從事半導體分立器件和電力電子元器件的研發(fā)、制造和銷售?,F(xiàn)為江蘇省高新技術企業(yè)、中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會先進會員單位,是國內(nèi)電力半導體器件...
芯片的種類五花八門,今天跟大家介紹一種與我們的生活息息相關的芯片IGBT(絕緣柵雙極晶體管 Insulated-gate bipolar transis...
IGCT是在晶閘管技術的基礎上結合IGBT和GTO等技術開發(fā)的新型器件,適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中,是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。
DO-254為機載電子系統(tǒng)的設計保證定義了5個等級
DO-254主體中的指南(章節(jié)1到11)是為電子硬件設計保證等級C所寫的。DO-254通過附錄B提供更高的設計保證等級(A和B),包括附加的驗證相關的活...
2021-03-04 標簽:電子系統(tǒng)半導體器件DO-254 8.4k 0
Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長的功率半導體需求
通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長的功率半導體需求并提升GaN工藝技術; 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...
SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟加入SEMI,成為策略合作伙伴
SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟將繼續(xù)履行其使命,加速SOI行業(yè)的發(fā)展,并為成員帶來新的商機。
2021-01-14 標簽:物聯(lián)網(wǎng)半導體器件醫(yī)療技術 2.6k 0
溫度變化對半導體器件的影響:構成雙極型半導體器件的基本單元P-N結對溫度的變化很敏感,當P-N結反向偏置時,由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響...
找出三極管的基極后,我們就可以根據(jù)基極與另外兩個電極之間pn結的方向來確定管子的導電類型。將萬用表的黑表筆接觸基極,紅表筆接觸另外兩個電極中的任一電極...
用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其...
先前的研究表明,所謂的量子級聯(lián)激光器可能會彌合這一鴻溝。這些器件的核心是由具有不同導電率的半導體材料交替層組成的晶圓。當帶電時,電子仍被限制在兩個更具導...
對于半導體器件而言,航空航天領域的門檻很高,這也讓朝微電子享受了這個領域發(fā)展的紅利。目前,航空航天主要掌握在科研機構和軍工集團下屬單位,隨著國內(nèi)該領域?qū)?..
2020-12-04 標簽:產(chǎn)業(yè)鏈半導體器件 2.1k 0
在此背景下,作為一家為軍工集團、科研院所提供半導體分立器件和電源的公司,朝陽微電子科技股份有限公司(簡稱“朝微電子”)為升級分立器件/集成電路生產(chǎn)線,朝...
對半導體器件最關鍵的硅材料皆從4%的基準稅率朝零關稅發(fā)展,而電子工業(yè)用直徑在7.5厘米到30厘米范圍內(nèi)的單晶硅棒只會降至3%的稅率。對半導體器件封裝材料...
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