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半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

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半導(dǎo)體材料技術(shù)

什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年來(lái)，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對(duì)全球共通的“節(jié)...

2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料 SiC 1.8k 0

磁敏電阻基于什么效應(yīng)

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2024-09-27 標(biāo)簽：傳感器磁場(chǎng)半導(dǎo)體材料 1.7k 0

半導(dǎo)體材料電磁特性測(cè)試方法

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太原理工在二維鈣鈦礦激光領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

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2023-04-17 標(biāo)簽：激光電子器件半導(dǎo)體材料 1.7k 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況氮化鎵襯底技術(shù)是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電...

2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵 GaN 1.7k 0

淺談半導(dǎo)體材料的特性

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2023-12-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 MOS 1.6k 0

面接觸二極管適用于什么

面接觸二極管是一種半導(dǎo)體器件，其特點(diǎn)是兩個(gè)半導(dǎo)體材料的接觸面是平面的。這種結(jié)構(gòu)使得面接觸二極管在某些應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)，比如在需要較大電流通過的場(chǎng)合。面接...

2024-09-24 標(biāo)簽：電流面接觸二極管半導(dǎo)體材料 1.6k 0

硅光電池板產(chǎn)生的電能屬于幾次能源

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SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

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磁敏電阻具有哪些基本特征

磁敏電阻是一種利用半導(dǎo)體材料的磁阻效應(yīng)制成的電阻元件，它能夠?qū)⒋艌?chǎng)的變化轉(zhuǎn)換為電阻值的變化。磁敏電阻在傳感器、自動(dòng)控制系統(tǒng)、電子設(shè)備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用...

2024-09-27 標(biāo)簽：磁場(chǎng)自動(dòng)控制半導(dǎo)體材料 1.5k 0

碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造...

2025-07-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅 1.5k 0

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2024-08-15 標(biāo)簽：光伏電池逆變器半導(dǎo)體材料 1.5k 0

首次實(shí)現(xiàn)二維氮化物基寬禁帶半導(dǎo)體的室溫鐵磁性

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SiC與功率器件半導(dǎo)體材料知識(shí)匯總

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SiC系統(tǒng)梳理貼

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CAN半導(dǎo)體材料對(duì)LED性能的影響分析

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2019-10-04 標(biāo)簽：led CAN 半導(dǎo)體材料 1.4k 0

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2024-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料硅片數(shù)字信號(hào)處理器 1.4k 0

霍爾式傳感器利用什么輸出電勢(shì)

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當(dāng)我們想要描述一個(gè)原子的結(jié)構(gòu)時(shí)，每次繪制下圖所示的這樣的圖表時(shí)都不是非常的方便。更常見的做法是寫出分子式的方式來(lái)進(jìn)行表達(dá)。對(duì)于水分子，它的分子式是我們熟...

2023-12-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1.3k 0

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