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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱為柵極開(kāi)關(guān)應(yīng)力)導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器...
功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢(shì)
半導(dǎo)體(Semiconductor)是現(xiàn)代電子信息社會(huì)的物理基石,并已成為推動(dòng)各種革命性變革和創(chuàng)新的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力,這點(diǎn)已是當(dāng)前的社會(huì)共識(shí)。而功率器件正是半...
回顧半導(dǎo)體市場(chǎng)四大看點(diǎn)分析和介紹
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的數(shù)據(jù)顯示,2015年全球芯片供貨商排行榜上,出現(xiàn)了IDM表現(xiàn)勝過(guò)Fabless的情況。這種情況在近25年中是第二次出...
2019-09-02 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng) 2.5k 0
隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器...
半導(dǎo)體詳細(xì)流程圖!主要半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化情況
IP核具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)核的集成電路的總稱。經(jīng)反復(fù)驗(yàn)證,具有特定功能的宏模塊。可移植到不同半導(dǎo)體工藝中。
2022-11-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備 2.5k 0
微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用,可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)...
互聯(lián)網(wǎng)巨頭加入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所產(chǎn)生的影響分析
事實(shí)上,我們已經(jīng)在一些芯片中看到互聯(lián)網(wǎng)巨頭負(fù)責(zé)芯片架構(gòu)+設(shè)計(jì)服務(wù)公司提供IP/設(shè)計(jì)服務(wù)的模式了。一個(gè)例子就是微軟使用在HoloLens中的HPU,其中微...
2019-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體摩爾定律物聯(lián)網(wǎng) 2.5k 0
工業(yè)相機(jī)主要參數(shù)及計(jì)算方法
工業(yè)相機(jī)作為機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,在工業(yè)自動(dòng)化和智能化方面發(fā)揮著重要作用。
2025-02-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體機(jī)器視覺(jué)工業(yè)相機(jī) 2.5k 0
半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺(tái)上,每一項(xiàng)技術(shù)都是推動(dòng)行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(ALD)技術(shù),作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星,正逐步成...
光刻是在基板表面形成復(fù)雜設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)的過(guò)程。光刻技術(shù)已經(jīng)作為一種制造技術(shù)使用了數(shù)百年。它最初是為印刷機(jī)開(kāi)發(fā)的,現(xiàn)在已經(jīng)成功了作為一種被稱為光刻的微細(xì)制造技...
隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來(lái)越高,器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問(wèn)題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上,而通過(guò)封裝技術(shù)升級(jí),是提高器件散...
來(lái)源:半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為T(mén)SV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫(xiě),意為“通過(guò)硅通...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分,存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory,NVM)和...
為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...
LIN通信總線標(biāo)準(zhǔn)和混合信號(hào)半導(dǎo)體工藝技術(shù)提高汽車(chē)維護(hù)性能和可靠性
LIN 標(biāo)準(zhǔn)是汽車(chē)傳感器/傳動(dòng)裝置通信的重要進(jìn)步,不過(guò),在與混合信號(hào)半導(dǎo)體工藝的最新發(fā)展融合之后,它的重要性更彰顯突出?,F(xiàn)在,由于能充分利用自己在高速 ...
電力電子元件可提高所有行業(yè)和應(yīng)用中電機(jī)和馬達(dá)的能源效率。這些電力電子元件越來(lái)越多地被更密集地封裝在一起,靠近或放置在電機(jī)本身附近或上面,因此受到應(yīng)用中的...
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