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      標(biāo)簽　>　半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      +關(guān)注335人關(guān)注

      半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

      文章：26944個 瀏覽：267238次 帖子：1069個

      半導(dǎo)體技術(shù)

      IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)

      IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)

      為了更好了解IGBT，下面我們再來看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：一般，IGBT 有三個端子：集電極、發(fā)射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有...

      2023-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT晶體管 8k 0

      芯片半導(dǎo)體的資料庫和體智庫，只有你想不到，沒有我們辦不到的

      半導(dǎo)體智庫，中國半導(dǎo)體資料庫。經(jīng)過小編們徹夜不眠，我們終于收集并整理了超過18G全網(wǎng)最全的半導(dǎo)體學(xué)習(xí)資料。包括芯片制造、芯片設(shè)計、封裝、電子工程、微電子...

      2019-07-08 標(biāo)簽：芯片電子工程師半導(dǎo)體 8k 0

      觸發(fā)雙向可控硅——有效克服正負(fù)電壓設(shè)計難題

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      對于不經(jīng)常使用雙向可控硅的設(shè)計人員來說，「負(fù)電壓」可能聽起來很奇怪，因為世界上不可能存在采用負(fù)電壓工作的集成電路。然而，正如本文所述，從正輸出驅(qū)動雙向可...

      2017-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體雙向可控硅正負(fù)電壓 8k 1

      一文詳解2.5D封裝工藝

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      2.5D封裝工藝是一種先進的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，它通過中介層（Interposer）將多個功能芯片在垂直方向上連接起來，從而減小封裝尺寸面積，減少芯片縱向間...

      2025-02-08 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝技術(shù) 8k 0

      二極管的結(jié)構(gòu)及特性

      二極管的結(jié)構(gòu)及特性

      　　二極管也稱為晶體二極管，是由空穴型p型半導(dǎo)體和電子型n型半導(dǎo)體結(jié)合而成的PN結(jié)。二極管具有單向?qū)щ娦阅?，?dǎo)通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。

      2023-02-17 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體電壓 8k 0

      雷達(dá)回波模擬器的作用

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      在許多先進的車輛設(shè)計中，幾個雷達(dá)單元位于車輛周圍，以提供完整的視野，并允許低距離到高距離的覆蓋范圍高達(dá)幾百米。

      2023-07-24 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體雷達(dá) 8k 0

      采用低壓差大電流集成可調(diào)穩(wěn)壓芯片實現(xiàn)半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的設(shè)計

      采用低壓差大電流集成可調(diào)穩(wěn)壓芯片實現(xiàn)半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的設(shè)計

      該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電源由脈沖電路、控制電路、穩(wěn)流電路和保護電路的四部分組成，系統(tǒng)框圖如圖1所示。

      2020-04-14 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體激光器 8k 0

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      二極管是一個兩端的半導(dǎo)體器件，它就像是電流的一個單向門。當(dāng)二極管的陽極相對于陰極的電壓為正時，稱為正向偏置，二極管允許電流通過。當(dāng)極性相反時（二極管的陽...

      2019-05-01 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 8k 0

      如何設(shè)計數(shù)字電視發(fā)射機中的75W射頻功放模塊

      功放模塊在功能上可以分為射頻放大電路和直流饋電電路。射頻放大電路進行射頻信號功率放大，它是功放的主體部分，決定了功放的主要性能指標(biāo)，如增益、輸出功率、功...

      2018-10-11 標(biāo)簽：放大器半導(dǎo)體數(shù)字電視 8k 0

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      2024-05-12 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體NPN 8k 0

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      快恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode，簡稱FRD）是一種具有快速反向恢復(fù)特性的高速開關(guān)二極管，它在現(xiàn)代電子工業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色。以...

      2024-08-16 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 8k 0

      SiC和GaN功率半導(dǎo)體在混合動力和電動汽車的主傳動系逆變器中的應(yīng)用

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      SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管（晶體管、開關(guān)管）。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，帶來體積...

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      相對于外部負(fù)載，將半導(dǎo)體開關(guān)配置在上側(cè)電路（電源側(cè)）的叫作高邊驅(qū)動，配置在下側(cè)電路（GND側(cè)）的叫作低邊驅(qū)動。 【高邊驅(qū)動/低邊驅(qū)動】 高邊開關(guān)與低邊開...

      2023-07-05 標(biāo)簽：開關(guān)半導(dǎo)體IPD 7.9k 0

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      　　以半導(dǎo)體PN結(jié)為基礎(chǔ)，由一個面積較大的PN結(jié)合兩端引線封裝組成。N區(qū)和P區(qū)交界處電子和空穴濃度差別，造成各區(qū)的多數(shù)載流子向另外一個區(qū)域移動的擴散運動...

      2022-10-28 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體PN結(jié) 7.9k 0

      一文讀懂CMP拋光墊

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      在現(xiàn)代工業(yè)中，表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進行拋光處理。

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      3DIC的運用于與對于半導(dǎo)體的影響

      對于我國的半導(dǎo)體行業(yè)來說，碳納米管+RRAM+ILV 3DIC是一個值得關(guān)注的領(lǐng)域。目前碳納米管+RRAM+ILV 3DIC是否能真正成為下一代標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)...

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      2024-08-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器激光二極管 7.9k 0

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      LED顯示屏（LED display）：一種平板顯示器，由一個個小的LED模塊面板組成。LED ，發(fā)光二極管（light emitting diode縮...

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      芯片相關(guān)知識

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      2021-12-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 7.9k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
      • LM2596
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        +關(guān)注
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        ESP8266
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        TMS320F28335
        +關(guān)注
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      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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