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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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關(guān)于EUV光刻技術(shù)的分析和應(yīng)用
所以,很多用來(lái)提高細(xì)微化的辦法都被限制了,因?yàn)椴ㄩL(zhǎng)和數(shù)值孔徑是固定的,剩下的就是工程系數(shù)。光學(xué)方面,通過(guò)降低工程系數(shù),可以提高解像度。和ArF液浸曝光技...
統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō),高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫?cái)U(kuò)散工...
在判斷晶體管是NPN型還是PNP型時(shí),主要依據(jù)是其內(nèi)部半導(dǎo)體材料的排列方式以及電流在晶體管中的流動(dòng)方向。闡述如何根據(jù)三個(gè)電流(通常指的是發(fā)射極電流IE、...
場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
3.7場(chǎng)效應(yīng)管概述
2018-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管ti 5.7k 0
鈦酸鋰復(fù)合二氧化鈦染料敏化太陽(yáng)能電池的性能研究
TiO2薄膜的禁帶寬度為3.23eV。Li4Ti5O12薄膜的禁帶寬度為3.54eV,復(fù)合薄膜的禁帶寬度為3.36eV。相比較而言,復(fù)合薄膜的總體光電轉(zhuǎn)...
半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過(guò)了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過(guò)程,接下來(lái)我們就聊聊其工藝流...
采用射頻技術(shù)實(shí)現(xiàn)穿墻成像系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
許多木匠甚至是“自己動(dòng)手”的房主已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一個(gè)小型磁性螺柱探測(cè)器可以幫助識(shí)別釘子被釘入實(shí)心梁的位置。然而,鉚釘并不是墻上唯一關(guān)注的問(wèn)題。被金屬鉆頭意外刺...
半導(dǎo)體材料最重要的特性之一是導(dǎo)電率可以通過(guò)摻雜物控制。集成電路制造過(guò)程中,半導(dǎo)體材料(如硅、錯(cuò)或1E-V族化合物砷化鎵)不是通過(guò)N型摻雜物就是利用P型摻...
PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝制程技術(shù)是最早出現(xiàn)的MOS...
2024-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管PMOS 5.7k 0
半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)介 半導(dǎo)體材料的電特性詳解
自然界的萬(wàn)物都有各自獨(dú)特的特性,我們?nèi)祟惸茏龅囊仓皇翘剿鬟@些物體的特性,并利用它為自己服務(wù)。在我們電子領(lǐng)域,根據(jù)物體的導(dǎo)電特性,通??梢苑譃椋簩?dǎo)體,絕緣...
該類型的激光器利用輸出固定波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器代替了傳統(tǒng)的氪燈或氙燈來(lái)對(duì)激光晶體進(jìn)行泵浦,從而取得了嶄新的發(fā)展,被稱為第二代的激光器。這是一種高效率、長(zhǎng)壽...
單極型晶體管,也被稱為單極性晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor, FET),是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的...
集成電路基礎(chǔ)知識(shí)介紹:從原子結(jié)構(gòu)到晶體管
在19世紀(jì)末期,消費(fèi)類產(chǎn)品包括照明、加熱、電話和電報(bào)等一些簡(jiǎn)單的電路。但是無(wú)線電的發(fā)明和對(duì)于能夠整流和放大信號(hào)的電器元件的需求推動(dòng)了真空管的發(fā)明。
晶體二極管(Diode)是一種半導(dǎo)體器件,由P型和N型半導(dǎo)體材料組成。它具有只允許電流在一個(gè)方向上流動(dòng)的特性,因此也被稱為整流器。晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是...
TTL反相器的工作原理、應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
TTL(Transistor-Transistor Logic)反相器是數(shù)字電路中的一種基本元件,屬于TTL電路的重要組成部分。TTL電路是一種由半導(dǎo)體...
IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)...
今天呢,我們先來(lái)看看半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性,也就是用二極管和三極管構(gòu)成的一個(gè)簡(jiǎn)單電路,來(lái)模擬開和關(guān)這樣的一個(gè)特性。
肖特基二極管(Schottky Diode)是一種具有肖特基勢(shì)壘的半導(dǎo)體二極管,其名稱中的“肖特基”一詞源于德國(guó)物理學(xué)家沃爾特·肖特基(Walter H...
什么是JESD204,我們?yōu)槭裁匆P(guān)注它
一個(gè)新的轉(zhuǎn)換器接口正在穩(wěn)步發(fā)展,并有望成為未來(lái)轉(zhuǎn)換器的首選協(xié)議。這個(gè)新接口JESD204最初是在幾年前推出的,但經(jīng)過(guò)了修訂,使其成為更具吸引力和效率的轉(zhuǎn)...
2022-12-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體lvds 5.7k 0
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