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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

3D-IC中三個(gè)不同層次的3D是什么

隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當(dāng)特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng)，逐漸被一種新型的晶...

2024-04-02 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 1.6k 0

整車架構(gòu)電路保護(hù)核心之電子保險(xiǎn)絲（e-Fuse）

傳統(tǒng)集中式配電架構(gòu)需要將電能從電池分配到各個(gè)負(fù)載系統(tǒng)，而智能配電系統(tǒng)采用分布式架構(gòu)，減少了線束回路長度。e-Fuse的電流監(jiān)測關(guān)斷特性能夠降低線徑裕量的...

2024-03-25 標(biāo)簽：集成電路電阻器電感器 2.7k 0

IGBT一些主要的分類方法

IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件，即可以觸發(fā)導(dǎo)通，也可以觸發(fā)關(guān)斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關(guān)鍵作用。

2024-03-14 標(biāo)簽：MOSFET 散熱器 IGBT 4.9k 0

可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？

柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。

2024-03-13 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET 半導(dǎo)體 4k 0

什么是MOS管

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor F...

2024-02-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管場效應(yīng)晶體管 4.2k 0

場效應(yīng)晶體管的類型及特點(diǎn)

場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動。

2024-02-22 標(biāo)簽：MOSFET JFET 場效應(yīng)晶體管 2.9k 0

IGBT場效應(yīng)管的工作原理 IGBT場效應(yīng)管的選擇方法

IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。

2024-02-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源電壓 6.3萬 0

nandflash和norflash的主要特點(diǎn)和區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場效應(yīng)晶體管（Floating Gate FET）的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極（Source）、漏極（Dr...

2024-02-19 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 Nand flash NOR flash 3.5k 0

MOSFET柵極應(yīng)用電路分析匯總

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。

2024-02-18 標(biāo)簽：MOSFET 阻抗匹配場效應(yīng)晶體管 2.9k 1

IGBT過流故障和短路故障的區(qū)別

在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極...

2024-02-18 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IGBT 7.7萬 1

場效應(yīng)晶體管怎么代替繼電器晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別

繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對電路的控制。而場效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制...

2024-02-18 標(biāo)簽：繼電器 cpu 場效應(yīng)晶體管 8.7k 0

場效應(yīng)晶體管的工作原理和種類特點(diǎn)

在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運(yùn)，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來搬運(yùn)電流的，P溝道FET是由空穴來搬...

2024-02-05 標(biāo)簽：晶體管 MOS 場效應(yīng)晶體管 3.6k 0

mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別

漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...

2024-01-31 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 場效應(yīng)晶體管 4k 0

MOS管為什么很容易失效？MOS管有哪些失效？

在電子元件中，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOS管）是獨(dú)特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，導(dǎo)致電路無法正常運(yùn)行，因此工程師必須查找原因...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管靜電放電 2.6k 0

IGBT是什么驅(qū)動型器件

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體...

2024-01-22 標(biāo)簽：IGBT 場效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 2.3k 0

全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管

晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件，用于開關(guān)或放大信號。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。

2024-01-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 2.7萬 2

氮化鎵mos管型號有哪些

氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...

2024-01-10 標(biāo)簽：電阻 MOS管場效應(yīng)晶體管 4.7k 0

FET晶體管電路設(shè)計(jì)參數(shù)

與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。

2024-01-09 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶體管場效應(yīng)晶體管 2.2k 0

一文詳解MOSFET

晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開關(guān)和放大。MOSFET是場效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此，它也被稱為IGF...

2023-12-29 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 7.2k 0

靶材的種類及制備工藝靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 GaAs 3.6k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動的項(xiàng)目。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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場效應(yīng)晶體管

場效應(yīng)晶體管技術(shù)

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