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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

電源防反接mos管選型選擇

電源防反接（也稱作反接保護(hù)）是一種電子電路設(shè)計(jì)中非常重要的環(huán)節(jié)，主要用于防止電源（如電池）的正負(fù)極被錯(cuò)誤連接導(dǎo)致的系統(tǒng)損壞或故障。在實(shí)際應(yīng)用中，反接保護(hù)...

2023-12-25 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 3.2k 0

影響mos管壽命的因素

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為一種常見的電子元件，其壽命的長(zhǎng)短對(duì)于電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性都有著重要的影響。而影響MOS管壽命的因素也有很多...

2023-12-22 標(biāo)簽：電子元件 MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.6k 0

如何設(shè)計(jì)一個(gè)nmos管和一個(gè)pmos管的開關(guān)電路

設(shè)計(jì)一個(gè)NMOS和PMOS管的開關(guān)電路涉及到電路的基礎(chǔ)知識(shí)、原理和設(shè)計(jì)過(guò)程。在本文中，我們將詳細(xì)討論NMOS和PMOS管的工作原理、開關(guān)電路的設(shè)計(jì)考慮因...

2023-12-21 標(biāo)簽：開關(guān)電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管 NMOS管 1.1萬(wàn) 0

nmos與pmos符號(hào)區(qū)別

NMOS和PMOS是常見的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的兩種類型，它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔?。NMOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異...

2023-12-18 標(biāo)簽：電路 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.3萬(wàn) 0

請(qǐng)教一下經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會(huì)降低嗎？

靜電放電（ESD）是電子設(shè)備中一種常見的危害，它可能導(dǎo)致集成電路（IC）的損壞。對(duì)于CMOS IC來(lái)說(shuō)，經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。

2023-12-15 標(biāo)簽：集成電路 CMOS ESD 1.7k 0

mosfet和igbt相比具有什么特點(diǎn)

MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)...

2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.8k 0

MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動(dòng)。

2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 EOS 1.3萬(wàn) 0

pmos和nmos組成構(gòu)成什么電路

PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式，也稱為CMOS技術(shù)，其...

2023-12-07 標(biāo)簽：電路 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8k 1

nmos電路邏輯表達(dá)式

N-MOS電路是一種基本的邏輯門電路，它在數(shù)字電子電路中起著重要的作用。在本文中，我們將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地探討N-MOS電路的基本原理、特性以及邏輯表達(dá)...

2023-12-07 標(biāo)簽：電路 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.7k 0

雙極性晶體管（三極管）的應(yīng)用舉例

結(jié)型晶體管是三明治結(jié)構(gòu)，下圖是NPN型三極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其電路符號(hào)。

2023-12-05 標(biāo)簽：三極管上拉電阻放大電路 5.7k 0

從底層重新認(rèn)識(shí)D觸發(fā)器、建立時(shí)間和保持時(shí)間

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）或 IGFET（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，...

2023-12-04 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 D觸發(fā)器 3.1k 0

石墨烯的性能及應(yīng)用介紹

石墨烯（Graphene）是一種以sp2雜化連接的碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的新材料。

2023-11-29 標(biāo)簽：激光器碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.7k 0

基于人體呼氣檢測(cè)應(yīng)用的氣體傳感器

人體呼氣中揮發(fā)性有機(jī)物濃度的變化與某些疾病密切相關(guān)，通過(guò)分析人體呼氣中的揮發(fā)性有機(jī)物來(lái)診斷疾病是一種無(wú)創(chuàng)非侵入性、操作方便的手段，近年來(lái)在疾病診斷和早期...

2023-11-21 標(biāo)簽：傳感器碳納米管氣體傳感器 3.1k 0

【Soc級(jí)系統(tǒng)防御】Soc硬件木馬與電子鏈學(xué)習(xí)

隨著尖端工藝的代工成本和現(xiàn)代片上系統(tǒng)（system-on-a-chip，SoC）平臺(tái)設(shè)計(jì)復(fù)雜性的不斷提高，曾經(jīng)局限于一個(gè)國(guó)家甚至一家公司的IC供應(yīng)鏈已經(jīng)...

2023-11-20 標(biāo)簽：處理器 FPGA設(shè)計(jì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.9k 0

【Soc級(jí)系統(tǒng)防御】Soc全流程電子硬件概述

FET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它通過(guò)控制柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流，從而實(shí)現(xiàn)邏輯功能。

2023-11-17 標(biāo)簽：PCB板二進(jìn)制時(shí)序電路 2.6k 0

C?N識(shí)別丙烷和丁烷的氣體傳感器的開發(fā)研究

氣體傳感是航空航天、軍事、醫(yī)療以及工業(yè)環(huán)境等應(yīng)用的一個(gè)重要研究領(lǐng)域，它有助于預(yù)防有毒有害氣體對(duì)人類健康和環(huán)境造成的風(fēng)險(xiǎn)。在家庭和工業(yè)環(huán)境中，丙烷和丁烷通...

2023-11-14 標(biāo)簽：氣體傳感器柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.7k 0

感應(yīng)加熱的基本原理感應(yīng)加熱中的功率半導(dǎo)體

感應(yīng)加熱是一種強(qiáng)大的熱處理技術(shù)，它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來(lái)快速加熱金屬物體。

2023-11-14 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管感應(yīng)加熱 4.9k 0

常見的五種繼電器繼電器的作用和原理

繼電器的原理是基于電磁感應(yīng)。當(dāng)電流通過(guò)繼電器的線圈時(shí)，產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)使開關(guān)閉合或斷開。這樣，繼電器就可以在一個(gè)電路中控制另一個(gè)電路的通斷。例如，可以使用低...

2023-11-09 標(biāo)簽：繼電器晶閘管低電壓 4.3k 0

美格納推出第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。這款第六代 600V SJ MOSFE...

2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體服務(wù)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.1k 0

Efuse是什么？聊聊芯片級(jí)的eFuse

eFuse基于一個(gè)簡(jiǎn)單概念，即通過(guò)測(cè)量已知電阻器上的電壓來(lái)檢測(cè)電流，然后在電流超過(guò)設(shè)計(jì)限值時(shí)，通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。

2023-11-01 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 NVM 4.2萬(wàn) 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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