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基本半導(dǎo)體

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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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基本半導(dǎo)體資訊

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體SiC肖特基二極管助力OBC發(fā)展，650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列?

采用SiC功率器件可有效提高電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，獲得更高的擊穿電壓、更低的開(kāi)啟電阻、更大的熱導(dǎo)率；并且能保證在更高溫度下可以穩(wěn)定工作，使電動(dòng)汽車(chē)或混合動(dòng)力...

2022-10-26 標(biāo)簽：二極管基本半導(dǎo)體國(guó)芯思辰 1.5k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位，反向電壓1200V

在許多工業(yè)設(shè)備中通常都會(huì)采用IGBT來(lái)作為主功率器件，能夠有效的減少開(kāi)關(guān)損耗，提高逆變器的效率，因此為了保護(hù)IGBT能夠正常穩(wěn)定的工作，設(shè)計(jì)師們會(huì)給IG...

2022-10-12 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1.9k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率損耗，導(dǎo)通延遲20ns

據(jù)評(píng)估，世界上超過(guò)一半的電能消耗用于各種電動(dòng)機(jī)。因此，降低電動(dòng)機(jī)的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路一般原理圖本文主要講到基本半導(dǎo)...

2022-09-30 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)基本半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代 1.8k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D40120HC替代C4D40120D用于儲(chǔ)能雙向變流器，有效提高系統(tǒng)功率密度

儲(chǔ)能變流器（PCS）可控制蓄電池的充電和放電過(guò)程，進(jìn)行交直流的變換，在無(wú)電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。PCS由DC/AC雙向變流器、控制單元等構(gòu)成。...

2022-09-29 標(biāo)簽：肖特基二極管基本半導(dǎo)體國(guó)芯思辰 2.1k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器BTD21520替換UCC21320-Q1用于UPS電源，驅(qū)動(dòng)峰值電流4.5/6A

國(guó)芯思辰接觸的某工程師在做一款50KVA高頻在線(xiàn)式UPS設(shè)計(jì)，需要在控制器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率開(kāi)關(guān)管之間做隔離，這里提一下國(guó)產(chǎn)基本半導(dǎo)體的雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)...

2022-09-20 標(biāo)簽：德州儀器 UPS電源柵極驅(qū)動(dòng)器 1.9k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器BTD5350替代東芝TLP350用于工業(yè)空調(diào)

在工業(yè)空調(diào)變頻的過(guò)程中，通過(guò)電源濾波整流，把交流轉(zhuǎn)換為直流，通過(guò)PFC的功率因子提升給到驅(qū)動(dòng)電路部分，而由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極IGB...

2022-09-14 標(biāo)簽：東芝柵極驅(qū)動(dòng)器工業(yè)空調(diào) 2.8k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器BTD3011(替代SI8273DB-IS1R)用于10KW光伏逆變器

光伏逆變器是整個(gè)光伏發(fā)電體系的系統(tǒng)中最重要的一個(gè)部分，逆變器的效率決定著光伏發(fā)電的效率，所以需要實(shí)現(xiàn)高可靠性是一個(gè)逆變器的重要指標(biāo)。本文講述采用基本半導(dǎo)...

2022-09-08 標(biāo)簽：光伏逆變器基本半導(dǎo)體國(guó)芯思辰 1.7k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體電流模式PWM控制器BTP3844D替代UC3844BD1G用于AC DC電源模塊設(shè)計(jì)，工作頻率500kHz

某工程師在給車(chē)輛、無(wú)人機(jī)等設(shè)計(jì)ACDC電源模塊時(shí)，內(nèi)部控制使用的脈沖寬度調(diào)制（PWM）采用的是固定的開(kāi)關(guān)頻率（周期），可變的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間，對(duì)此會(huì)用到電流...

2022-09-02 標(biāo)簽：PWM控制器基本半導(dǎo)體國(guó)芯思辰 2.1k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體低開(kāi)關(guān)損耗碳化硅肖特基二極管B1D02065E(替代C3D02065E)助力LED電源效率的提升

顯示屏電源是LED顯示屏的重要組成部分，主要用來(lái)給顯示屏發(fā)光二極管提供必要的工作電流，保證屏體正常顯示。LED電源框圖如圖所示。LED電源框圖整流器是L...

2022-08-26 標(biāo)簽：科銳基本半導(dǎo)體 1.3k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC可pin to pin替換科銳C4D30120D

碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，材料本身的性能就優(yōu)于硅材料。該類(lèi)二極管由于反向恢復(fù)時(shí)間短，可提高系統(tǒng)效率...

2022-08-16 標(biāo)簽：二極管基本半導(dǎo)體 3.3k 0

基本半導(dǎo)體攜碳化硅MOSFET新品亮相SNEC國(guó)際光伏展

? 5月， SNEC第十六屆（2023）國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì) 在上海新國(guó)際博覽中心重磅舉行。基本半導(dǎo)體攜旗下第二代碳化硅MOSFET系列新品 ...

2023-05-30 標(biāo)簽：光伏碳化硅基本半導(dǎo)體 1.5k 0

集團(tuán)總部青銅劍科技大廈喜封金頂

? 風(fēng)雨兼程，匠心澆筑產(chǎn)業(yè)巨著，榮耀封頂 2022年12月14日上午隨著最后一方混凝土的合力澆筑青銅劍科技大廈順利封頂！標(biāo)志著項(xiàng)目建設(shè)取得階段性...

2022-12-14 標(biāo)簽：功率器件碳化硅青銅劍科技 1.2k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1應(yīng)用于1.3kW服務(wù)器電源

如圖為1.3kW服務(wù)器電源電路框圖，主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成，輸出12V電壓;在PFC功率因數(shù)校正部分，...

2022-11-30 標(biāo)簽：服務(wù)器電源肖特基二極管碳化硅 1k 0

基本半導(dǎo)體亮相第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)

11月16-19日，由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦的第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)（IC China 2022）在合肥盛大舉行，...

2022-11-22 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體肖特基二極管 974 0

基本半導(dǎo)體榮獲中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)

11月4-7日，2022中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)在廈門(mén)成功召開(kāi)。在同期舉行的第八屆中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)儀...

2022-11-09 標(biāo)簽：DTS 功率器件碳化硅 1.8k 0

基本半導(dǎo)體研發(fā)汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2

汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車(chē)等大型車(chē)輛客戶(hù)對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。

2022-10-21 標(biāo)簽：模塊 MOSFET 碳化硅 2.2k 0

基本半導(dǎo)體獲多家車(chē)企和電機(jī)控制器Tier1客戶(hù)的定點(diǎn)

近日，深圳基本半導(dǎo)體有限公司獲得合肥巨一動(dòng)力系統(tǒng)有限公司的碳化硅電驅(qū)動(dòng)項(xiàng)目開(kāi)發(fā)定點(diǎn)。該項(xiàng)目將采用基本半導(dǎo)體汽車(chē)級(jí)全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcor...

2022-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電機(jī)控制器基本半導(dǎo)體 1.8k 0

基本半導(dǎo)體推出汽車(chē)級(jí)全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6

汽車(chē)級(jí)全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導(dǎo)體基于廣大汽車(chē)廠商對(duì)核心牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高性能、高效率等需求設(shè)計(jì)并推出的產(chǎn)品。

2022-09-13 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件碳化硅 3.1k 0

基本半導(dǎo)體為客戶(hù)開(kāi)發(fā)具有兼容性汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊

為提升新能源汽車(chē)整體性能，全球各大車(chē)企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率，在降低電池...

2022-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅基本半導(dǎo)體 1.8k 0

國(guó)內(nèi)首條！基本半導(dǎo)體汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊專(zhuān)用產(chǎn)線(xiàn)正式通線(xiàn)

12月30日，基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市新吳區(qū)的汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線(xiàn)運(yùn)行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線(xiàn)。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊專(zhuān)...

2021-12-31 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 3.6k 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷(xiāo)售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無(wú)線(xiàn)與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱(chēng)為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開(kāi)發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶(hù)多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門(mén)電路，它滿(mǎn)足與非門(mén)的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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