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基本半導(dǎo)體

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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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基本半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)

基本半導(dǎo)體亮相2026廣東省人工智能應(yīng)用對(duì)接大會(huì)

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2026-05-06 標(biāo)簽： AI 人工智能基本半導(dǎo)體 708 0
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2026-04-23 標(biāo)簽： MOSFET 封裝基本半導(dǎo)體 380 0
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2026-04-14 標(biāo)簽：配電系統(tǒng) AIDC 基本半導(dǎo)體 362 0
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2026-04-01 標(biāo)簽：實(shí)驗(yàn)室 CNAS 基本半導(dǎo)體 625 0
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2026-03-30 標(biāo)簽： SiC MOSFET 基本半導(dǎo)體 636 0
破局與重構(gòu)：基本半導(dǎo)體SST固態(tài)變壓器SiC Power Stack功率套件PEBB方案的戰(zhàn)略?xún)r(jià)值

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2026-02-11 標(biāo)簽： SiC 固態(tài)變壓器基本半導(dǎo)體 602 0
構(gòu)建能源互聯(lián)網(wǎng)的物理底座：基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動(dòng)技術(shù)的解析

構(gòu)建能源互聯(lián)網(wǎng)的物理底座：基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動(dòng)技術(shù)的解析全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semic

2026-02-10 標(biāo)簽： SiC功率模塊能源互聯(lián)網(wǎng) 基本半導(dǎo)體 153 0
研報(bào)：英飛凌2026財(cái)年Q1財(cái)報(bào)透視與BASiC基本半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)階之路

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2026-02-09 標(biāo)簽：英飛凌 BASIC 基本半導(dǎo)體 981 0
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn)在家庭能源生態(tài)系統(tǒng)中的技術(shù)與商業(yè)價(jià)值

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn)在家庭能源生態(tài)系統(tǒng)中的技術(shù)與商業(yè)價(jià)值 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)

2026-02-08 標(biāo)簽： MOSFET 基本半導(dǎo)體 226 0
傾佳電子榮獲BASiC基本半導(dǎo)體光儲(chǔ)充市場(chǎng)開(kāi)拓獎(jiǎng)

SiC碳化硅時(shí)代的渠道變革與技術(shù)致勝——傾佳電子榮獲BASiC基本半導(dǎo)體光儲(chǔ)充市場(chǎng)開(kāi)拓獎(jiǎng) BASiC Semicondu

2026-02-08 標(biāo)簽： BASIC 基本半導(dǎo)體 342 0

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基本半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

　　深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心成員包括來(lái)自清華大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、中國(guó)科學(xué)院等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的十多位博士。

　　基本半導(dǎo)體掌握國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET、車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101可靠性測(cè)試，其他同平臺(tái)產(chǎn)品也將逐步完成該項(xiàng)測(cè)試?；景雽?dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

　　基本半導(dǎo)體與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起單位之一，廣東省未來(lái)通信高端器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心，公司及產(chǎn)品榮獲2020“科創(chuàng)中國(guó)”新銳企業(yè)、“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)、中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專(zhuān)業(yè)賽一等獎(jiǎng)等榮譽(yù)。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 數(shù)據(jù)手冊(cè)

基本半導(dǎo)體技術(shù)

基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹

基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列，采用新一代碳化硅芯片技術(shù)，結(jié)合高性能Si3N4 AMB基板與銅基板封裝...

2026-01-23 標(biāo)簽：MOSFET 功率模塊基本半導(dǎo)體 3k 0

基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET應(yīng)用場(chǎng)景適配報(bào)告

基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET 深度產(chǎn)品力研究與應(yīng)用場(chǎng)景適配全景報(bào)告深圳市傾佳電子有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“傾佳電子”）是聚焦新能源與電...

2025-12-07 標(biāo)簽：新能源 MOSFET 碳化硅 1.7k 0

基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用

在工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中，儲(chǔ)能變流器（PCS）是核心組件之一，其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅（SiC）功率器件的廣泛應(yīng)用，儲(chǔ)能PCS的效率、...

2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 PCS 3k 0

基本半導(dǎo)體正激DCDC開(kāi)關(guān)電源芯片BTP1521x簡(jiǎn)介

基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開(kāi)關(guān)電源芯片，集成上電軟啟動(dòng)功能及過(guò)溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。該電源芯片工作頻率通過(guò)OSC腳設(shè)...

2025-01-15 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 DCDC 電源芯片 3.1k 0

基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊解析

隨著可再生能源、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來(lái)越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性，在650...

2024-11-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅半橋模塊 1.7k 0

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車(chē)載功率模塊封裝技術(shù)帶來(lái)了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車(chē)...

2024-07-18 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 1.5k 0

驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)啟電壓更低的特點(diǎn)，越來(lái)越廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

2024-06-21 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 5.4k 0

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PFC電路廣泛應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源（特別是通信電源）中?，F(xiàn)階段，PFC電路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，電源的損耗較大，效率偏低。在電源的PFC電路...

2022-07-25 標(biāo)簽：肖特基二極管基本半導(dǎo)體 1.8k 0

國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車(chē)載充電機(jī)二次側(cè)整流

車(chē)載充電機(jī)可實(shí)現(xiàn)交流輸入（85VAC~265VAC）/直流輸出（200VDC-750VDC）輸出的功能，其電路的核心架構(gòu)通常由整流、PFC升壓、LLC逆...

2022-07-20 標(biāo)簽：肖特基二極管科銳基本半導(dǎo)體 2.8k 0

碳化硅功率器件可靠性測(cè)試方法詳解

可靠性，是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力，是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo)，如果在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能，則稱(chēng)之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...

2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件可靠性測(cè)試 3k 0

基本半導(dǎo)體帖子

基本半導(dǎo)體資料下載

基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)PCS中的應(yīng)用立即下載

2025-09-01 標(biāo)簽：PCS 基本半導(dǎo)體 0 520

基本半導(dǎo)體資訊

基本半導(dǎo)體亮相2026廣東省人工智能應(yīng)用對(duì)接大會(huì)

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2026-05-06 標(biāo)簽：AI 人工智能基本半導(dǎo)體 708 0

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2026-04-14 標(biāo)簽：配電系統(tǒng)AIDC 基本半導(dǎo)體 362 0

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基本半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

型號(hào)	描述	參考價(jià)格
B1D08065E	直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A;	獲取價(jià)格
B1D04065F		獲取價(jià)格
B1D20120H	二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):70A;正向壓降(Vf):1.46V@20A;反向電流(Ir):6.75uA@1.2kV;	獲取價(jià)格
B1D10065KF	二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):24A;正向壓降(Vf):1.48V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V;	獲取價(jià)格
B1D10065E	二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):29A;正向壓降(Vf):1.44V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V;	獲取價(jià)格

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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無(wú)線(xiàn)與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱(chēng)為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開(kāi)發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
華強(qiáng)pcb線(xiàn)路板打樣

華強(qiáng)pcb線(xiàn)路板打樣

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COB

COB

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高頻電容

高頻電容

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wifi6

wifi6

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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶(hù)多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
汽車(chē)

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dcdc轉(zhuǎn)換器

dcdc轉(zhuǎn)換器

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
Zynq-7000

Zynq-7000

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠(chǎng)自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
檢測(cè)電路圖

檢測(cè)電路圖

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VDD

VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
HarmonyOS

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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)?lái)HarmonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開(kāi)源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
CD4069

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特斯拉線(xiàn)圈

特斯拉線(xiàn)圈

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特斯拉線(xiàn)圈又叫泰斯拉線(xiàn)圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
過(guò)流保護(hù)電路

過(guò)流保護(hù)電路

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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
過(guò)零檢測(cè)電路

過(guò)零檢測(cè)電路

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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
AIoT

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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
VHF

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逆變器電路圖

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慕尼黑上海電子展

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測(cè)試電路

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功放板

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紫光同創(chuàng)

紫光同創(chuàng)

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深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司，緊跟國(guó)際設(shè)計(jì)技術(shù)前沿，立足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片及EDA設(shè)計(jì)工具的開(kāi)發(fā)。公司主要產(chǎn)品為高性能可重構(gòu)系統(tǒng)芯片，產(chǎn)品主要應(yīng)用于各類(lèi)通信設(shè)備、終端設(shè)備、工業(yè)控制設(shè)備。
ELMOS

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74LS00

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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門(mén)電路，它滿(mǎn)足與非門(mén)的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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