市場對多晶硅的前景更加看好

在激烈的競爭之下，多晶硅因其成本低的優(yōu)勢，市場份額逐漸提高。不過部分企業(yè)也在單晶硅領(lǐng)域持續(xù)研發(fā)，讓單晶硅的成本有了進(jìn)一步下降。 多晶硅方面，目前比較主流...

2020-12-09 標(biāo)簽：多晶硅太陽能光伏 3.9k 0

“僵尸公司”賽維：失意多晶硅，失敗的賭局

賽維LDK無疑正遭遇著成立七年來最危急的時刻。這家以硅片業(yè)務(wù)起家拓展至產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)的光伏制造商自2007年登陸紐交所后，厄運變開始尾隨而來，瘋狂擴(kuò)張使...

2012-08-10 標(biāo)簽：多晶硅 3.9k 0

太陽能電池特性

太陽能電池特性? 太陽能電池是一種利用光能直接轉(zhuǎn)化成電能的裝置。它是目前可再生能源領(lǐng)域最常見也是最常用的裝置之一。太陽能電池具有很多特性，下面將詳細(xì)介紹...

2023-12-07 標(biāo)簽：太陽能電池多晶硅 3.7k 0

挪威多晶硅制造商Elkem將建立石墨電池工廠

挪威多晶硅制造商和硅業(yè)務(wù)Elkem計劃在Her？ya建立制造工廠。挪威多晶硅制造商和硅產(chǎn)品提供商Elkem宣布了在奧斯陸以南150公里的波斯格倫的Her...

2020-09-02 標(biāo)簽：多晶硅石墨電池 3.6k 0

全球沙子開采速度已超過自然恢復(fù)速度 專家稱不會引發(fā)硅材料價格整體上漲

前不久英國《自然》雜志發(fā)表文章，指出全球的沙子已經(jīng)不夠用了，目前沙子、礫石的開采速度已經(jīng)超過了自然恢復(fù)速度，預(yù)計到本世界中葉，需求量就會超過供給量。

2019-09-18 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體 3.6k 0

中國光伏多晶硅市占率達(dá)全球5成以上，近期受到61新政沖擊使得需求縮減

國內(nèi)料源廠指出，由于新產(chǎn)能都在電價較為便宜的區(qū)域開出，再加上部分為新設(shè)備投入，相較舊設(shè)備擁有更佳產(chǎn)出效率及成本競爭優(yōu)勢，這將使得舊產(chǎn)能面臨極大的競爭壓力...

2018-09-11 標(biāo)簽：多晶硅晶圓 3.5k 0

多晶硅漲價究竟是誰的錯？

最近做火爆的話題就是多晶硅漲價，不管是行業(yè)內(nèi)還是投資界都在熱議多晶硅漲價，多晶硅漲價也造成了很多奇葩的現(xiàn)像，大家又開始坐不住了，對多晶硅冷嘲熱諷以致死心...

2021-06-17 標(biāo)簽：多晶硅RECOCI 3.5k 0

教您如何區(qū)分單晶硅和多晶硅電池板

太陽能電池的發(fā)展過程，主要經(jīng)歷了三個階段： 第一階段，主要是多晶硅、單晶硅太陽能電池。 第二階段，主要是非晶硅薄膜太陽能電池和晶硅薄膜太陽能電池。 第三...

2020-11-03 標(biāo)簽：多晶硅電池板單晶硅 3.5k 0

中歐光伏爭端達(dá)成價格承諾致光伏轉(zhuǎn)暖？

中國機電產(chǎn)品進(jìn)出口商會宣布與歐委會貿(mào)易救濟(jì)調(diào)查機關(guān)就中國輸歐光伏產(chǎn)品貿(mào)易爭端達(dá)成價格承諾，承諾價格下限在0.57歐元/瓦左右，為期兩年。行業(yè)人士稱若能達(dá)...

2013-08-05 標(biāo)簽：多晶硅光伏電池光伏 3.4k 1

張汝京：國內(nèi)半導(dǎo)體材料和設(shè)備最薄弱也最有機會

“我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展最薄弱的環(huán)節(jié)就是材料和設(shè)備，但這也意味著市場機遇?！北粯I(yè)界敬稱為“中國半導(dǎo)體之父”的中芯國際創(chuàng)始人張汝京表示，我國企業(yè)在半導(dǎo)體應(yīng)用、...

2018-11-02 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體封裝測試 3.1k 0

太陽能電池材料的不同結(jié)構(gòu)

使用簡單的ML方法，這些方法在計算上并不苛求，并且相對容易理解和控制。

2020-07-08 標(biāo)簽：太陽能電池多晶硅神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 3.1k 0

隆基股份7家子公司與新特能源簽訂五年期多晶硅料采購協(xié)議

192．35億元！隆基股份7家子公司與新特能源簽訂五年期多晶硅料采購協(xié)議 隆基股份發(fā)布公告稱，公司7家子公司與新特能源股份有限公司簽訂五年期多晶硅料采購...

2020-12-16 標(biāo)簽：新能源多晶硅AMOLED 3k 0

國內(nèi)第一片300mm射頻（RF）SOI晶圓的關(guān)鍵技術(shù)

多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù)，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系；此外，由于多晶...

2023-11-21 標(biāo)簽：多晶硅電阻射頻 3k 0

介紹一種基于ICP-MS的硅材料痕量金屬檢測方法

隨著硅材料在半導(dǎo)體和光電子領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，痕量金屬元素對材料性能和質(zhì)量的影響越來越大，高精度的硅材料痕量金屬檢測方法顯得尤為重要。

2023-07-27 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體光電子技術(shù) 2.9k 0