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標(biāo)簽 > 存儲器
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
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目前最廣泛使用的數(shù)字儲存裝置是硬盤(HDD),但它受歡迎的程度正迅速下滑。數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)儲存正歷經(jīng)強大的成長態(tài)勢,2016年即已增加到超過10,000艾位元組...
Gartner預(yù)測存儲產(chǎn)品漲到2019年才停止
目前存儲產(chǎn)品的價格上漲持續(xù)已經(jīng)接近一年,而且這種完全出自于市場行為的狀況依然沒有要停歇的勢頭。Garter最新的一份報告中稱,他們認(rèn)為想要等到存儲設(shè)備降...
2017-04-19 標(biāo)簽:存儲器 672 0
全球晶圓廠設(shè)備支出持續(xù)攀升,明年大陸支出將超臺灣
隨著如大陸與韓國等地持續(xù)對晶圓廠設(shè)備進(jìn)行投資,預(yù)計全球晶圓廠設(shè)備支出將會出現(xiàn)自1990年代中期以來,首次連續(xù)3年(2016~2018年)成長榮景。此外,...
三星韓國NAND存儲器新廠進(jìn)度順利 2017上半年投產(chǎn)
三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。
受芯片業(yè)務(wù)推動,三星電子一季度將獲超預(yù)期利潤
一季度,三星電子的運營陷入了一些不利因素,比如Note 7質(zhì)量事故造成手機產(chǎn)品線“真空”等。不過,據(jù)韓國一家券商周二預(yù)測,受到芯片業(yè)務(wù)的推動,三星電子一...
為了延長DRAM存儲器壽命 必須短時間內(nèi)采用3D DRAM
為了要延長DRAM這種內(nèi)存的壽命,在短時間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。什么是3D超級DRAM (Super-DRAM)?為何我們需要這種技術(shù)?以...
傳三星將擴(kuò)產(chǎn)DRAM 存儲器好景恐難延續(xù)
之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲器龍頭三星電子,要是三星擴(kuò)產(chǎn),好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人,傳出決定擴(kuò)產(chǎn),新產(chǎn)線...
2017 年第一季還沒結(jié)束全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就已鬧得風(fēng)風(fēng)雨雨的,除了中國廠商挾著政策的資助大力擴(kuò)展版圖外,各大半導(dǎo)體廠為了保有優(yōu)勢投資擴(kuò)廠也不遺余力,而在最...
NAND Flash供應(yīng)持續(xù)吃緊 龍頭三星業(yè)績將逐季攀升
市調(diào)機構(gòu)集邦科技預(yù)期,今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況,NAND Flash廠商業(yè)績可望逐季攀高。
2017-03-08 標(biāo)簽:三星電子存儲器NAND Flash 826 0
三星近來狀況頻傳,在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級涉及行賄被起訴后,近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回,由于三...
3D NAND良率是NAND Flash市場最大變數(shù)
據(jù)海外媒體報道,去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND,但3D N...
2017-02-27 標(biāo)簽:存儲器NAND Flash3D NAND 1.9k 0
根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu) IC Insights 的最新研究報告顯示,截至 2016 年 12 月底為止,全球晶圓產(chǎn)能(以 8 吋晶圓計算)達(dá)到每月 1,711...
2017-02-25 標(biāo)簽:存儲器晶圓產(chǎn)能 2.7k 0
存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口
2月12日,總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權(quán),矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新...
2017-02-23 標(biāo)簽:DRAM存儲器3D NAND FLASH 1.4k 0
2016全球半導(dǎo)體營收創(chuàng)史上最高紀(jì)錄 中國增速領(lǐng)跑市場
美國半導(dǎo)體協(xié)會(SIA)日前公布,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2016年營收已來到3389億美元,創(chuàng)下有史以來最高年營收紀(jì)錄,相較2015年則微幅增加1.1%,其中...
東芝芯片事業(yè)的潛在買主得克服許多障礙,像是得擁有多達(dá)140億美元的并購資金,還可能面臨反托辣斯的障礙,日本政府也可能不愿意把關(guān)鍵技術(shù)讓給外國。
2017-02-20 標(biāo)簽:東芝存儲器半導(dǎo)體芯片 1.5k 0
東芝財報爛爆,鴻海入股東芝半導(dǎo)體事業(yè)機會來了,傳鴻海有意吃下過半股權(quán),不過,昨日卻意外傳出東芝有意重新啟動半導(dǎo)體事業(yè)招標(biāo)作業(yè),看來鴻海這次若真如傳言要入...
長江存儲在3D NAND存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展
近日,由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進(jìn)展。
中國在3D NAND存儲器領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息,近日,由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D N...
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