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標簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
SiC設計分享（三）：onsemi同等功率的SiC與SiMOST進行比較
本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時參考！
過孔（via）是多層PCB的重要組成部分之一，鉆孔的費用通常占PCB制板費用的30%到40%。簡單的說來，PCB上的每一個孔都可以稱之為過孔。
所以，到諧振頻率之前呈現(xiàn)電感本來的感性特性（阻抗隨著頻率升高而增加），但諧振頻率之后寄生電容的影響占主導地位，呈現(xiàn)出容性特性（阻抗隨著頻率升高而減?。?。...
串擾是指有害信號從一個網(wǎng)絡轉移到相鄰網(wǎng)絡。任何一對網(wǎng)絡之間都存在串擾。通常把噪聲源所在網(wǎng)絡稱為動態(tài)網(wǎng)絡或攻擊網(wǎng)絡。把受影響的網(wǎng)絡稱為靜態(tài)網(wǎng)絡或者受害網(wǎng)絡。
所謂安規(guī)電容器，指的就是必須過安規(guī)認證的特殊電容器，比如X和Y安規(guī)電容
非平衡電橋通常指的是在測量時電橋沒有達到完全平衡狀態(tài)的電橋。立式橋和臥式橋是指電橋的物理布局，其中立式橋的元件垂直排列，而臥式橋的元件水平排列。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結構原因產(chǎn)生的電容，這些電容會影響IGBT的...
三極管三種典型的放大電路，共射、共集、共基各有各的特點。共射共集電路的組合解決了共射電路輸出阻抗大的缺點，但是由于存在“密勒效應”，帶寬的問題沒有解決。...
MOS管因為其導通內(nèi)阻低，開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計就很關鍵。
放大器一般不允許輸出端對地直接加比較大的電容。有的時候電容并不是有意加上的，比如驅動長線纜時線纜的寄生電容，它不會在電路原理圖上，但卻真實存在。
噪聲的抑制是電磁兼容領域一直圍繞的一個重要問題之一，而在噪聲的抑制過程中“噪聲的耦合”則讓噪聲的抑制變得更加的復雜多變，使得噪聲抑制的難度再次提升，所以...
柵極驅動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號，從而實現(xiàn)功率器件更有效的導通和關斷。
三極管屬于電流型驅動元器件，因此一般在基極都會串一個限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會下拉一個電阻呢？舉例說明。如下圖，是溫度開關控制馬達電路圖。
驅動器調(diào)制輸出晶體管需要最小的規(guī)定電壓才能正確開關。一個示例要求是調(diào)制輸出的最低電壓為1.55V。
其中的Operating Mode，可以分為Function Mode和Test Mode。對于大型的SoC芯片工作模式多種多樣，特別是牽涉到不同子系統(tǒng)...
瑞薩電容觸摸技術之低功耗應用—RX140實驗環(huán)節(jié)(5)-2
單擊下圖紅色框內(nèi)的圓點，將"Low power timer clock(LPTCLK) "的時鐘源設定為"IWDT-ded...
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