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標(biāo)簽 > 寄生電感
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在使用差分探頭進(jìn)行信號(hào)測(cè)量時(shí)，寄生電感和寄生電容的存在，往往會(huì)干擾測(cè)量精度，尤其是高頻、高壓場(chǎng)景下，這種影響會(huì)被急劇放大。很多工程師在實(shí)操中會(huì)發(fā)現(xiàn)，明明...
嵌入式磁集成：SST固態(tài)變壓器PEBB內(nèi)部80%寄生電感消除與電磁輻射抑制
傾佳楊茜-死磕固變-嵌入式磁集成（Embedded MFT）：基于SiC模塊構(gòu)建的固態(tài)變壓器PEBB內(nèi)部80%寄生電感消除與電磁輻射抑制的實(shí)測(cè)與理論深度...
2026-04-14 標(biāo)簽：嵌入式寄生電感固態(tài)變壓器 420 0
碳化硅(SiC)MOSFET驅(qū)動(dòng)回路寄生電感的量化評(píng)估與關(guān)斷過(guò)沖抑制技術(shù)綜合研究
在現(xiàn)代高功率密度與高頻電力電子變換系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車牽引逆變器、光伏逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)）的演進(jìn)過(guò)程中，碳化硅（SiC）寬禁帶半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為取代傳統(tǒng)硅（S...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的寄生電感抑制技巧
在全球向高頻、高效、高功率密度電力電子系統(tǒng)邁進(jìn)的背景下，碳化硅（Silicon Carbide, SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）憑...
2026-03-18 標(biāo)簽：IGBT驅(qū)動(dòng)電路寄生電感 559 0
寄生電感致電流采樣失真：關(guān)鍵問(wèn)題與解決辦法
寄生電感是誘發(fā)電流采樣失真的典型隱性干擾源，其主要源于PCB布線、元件引腳及外接導(dǎo)線等環(huán)節(jié)。在電流變化過(guò)程中，寄生電感會(huì)感應(yīng)生成電動(dòng)勢(shì)，直接破壞采樣精度...
貼片合金電阻在電子電路中應(yīng)用廣泛，尤其是在高精度測(cè)量和功率應(yīng)用中被頻繁使用。然而，在高頻或?qū)纫筝^高的應(yīng)用中，寄生電感成為一個(gè)不可忽視的問(wèn)題。
AMEYA360代理 | 村田電子去寄生電感降噪元件(LCT)特點(diǎn)和規(guī)格
株式會(huì)社村田制作所(以下簡(jiǎn)稱“村田”)開(kāi)發(fā)了行業(yè)首款(1)利用負(fù)互感(2)、能對(duì)從數(shù)MHz到1GHz的諧波(3)范圍內(nèi)電源噪聲進(jìn)行抑制的去寄生電感降噪元...
宏微科技推出分別針對(duì)汽車800V平臺(tái)和增程式混動(dòng)的兩款I(lǐng)GBT模塊
宏微科技本次推出適合汽車800V平臺(tái)電驅(qū)控制器的產(chǎn)品 MMG600V120X6RS，以及針對(duì)1.5L增程器70KW GCU的產(chǎn)品 MMG280VD075...
聯(lián)合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉(cāng)工廠迎來(lái)首次批產(chǎn)
2024年3月，聯(lián)合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉(cāng)工廠迎來(lái)首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標(biāo)志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了Si和SiC技術(shù)的全面覆蓋...
寄生電感到底是什么？如何計(jì)算過(guò)孔的寄生電感？
從式中可以看出：過(guò)孔的直徑對(duì)寄生電感的影響較小，而長(zhǎng)度才是影響寄生電感的關(guān)鍵因素。所以，在設(shè)計(jì)電路板時(shí)，要盡量減小過(guò)孔的長(zhǎng)度，以提高電路的性能。
應(yīng)用于200kW及以上光伏逆變系統(tǒng)的1000V-400A ANPC三電平模塊
JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1000V-400A模塊，產(chǎn)品型號(hào)為 JG3R400AL100HT。
2023-11-20 標(biāo)簽：寄生電感光伏逆變系統(tǒng) 1.9k 0
國(guó)星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后，近日，國(guó)星光電開(kāi)發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOS...
如何減少導(dǎo)線的寄生電感？? 引言： 隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，對(duì)于高速數(shù)據(jù)傳輸和高頻信號(hào)的傳輸要求也越來(lái)越高。然而電學(xué)特性的限制使得對(duì)導(dǎo)線的寄生電感逐漸成...
多開(kāi)關(guān)并聯(lián)拓?fù)涞膫鲗?dǎo)EMI耦合機(jī)理研究
針對(duì)寄生參數(shù)對(duì)傳導(dǎo)干擾的影響，建立了多開(kāi)關(guān)并聯(lián)拓?fù)涞亩嘣肼曉磦鲗?dǎo)干擾感性耦合模型，以及傳導(dǎo)干擾等效數(shù)學(xué)模型，從定量角度更精確地描述了多開(kāi)關(guān)并聯(lián)支路間寄生...
原因我們當(dāng)然可以說(shuō)是在噪聲在此處諧振啦，噪聲被放大了之類的。曾經(jīng)的我也會(huì)這么說(shuō)原因，不過(guò)并不是真的明白，對(duì)于這種會(huì)起反效果的東西，我會(huì)懼怕，會(huì)擔(dān)心它出問(wèn)...
可以利用繼電器觸點(diǎn)更改功率放大器的增益或限流設(shè)置嗎
因?yàn)樗休敵鲭娏鞫冀?jīng)過(guò)限流檢測(cè)電阻，所以在電流突然中斷和寄生電感效應(yīng)的共同作用下，會(huì)產(chǎn)生瞬態(tài)高壓，而這有可能會(huì)損壞放大器的輸出級(jí)。
PCB布局的幾何形狀決定了系統(tǒng)中的元素如何相互電和磁耦合
這是因?yàn)殡娐穲D根本無(wú)法說(shuō)明實(shí)際PCB，IC或任何其他電氣系統(tǒng)的某些重要功能。寄生在電路圖中表示為電阻器，電容器和電感器，具體取決于它們?cè)陬l域中的行為。
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