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導(dǎo)通電阻

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　　導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比，是二極管的重要參數(shù)。

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導(dǎo)通電阻資訊

ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET，實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動應(yīng) 用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙...

2023-08-11 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 Rohm 2k 0

Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優(yōu)異的RDS(ON)導(dǎo)通電阻低至0.65 mW

Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 ...

2022-02-07 標(biāo)簽：MOSFET Vishay 導(dǎo)通電阻 2k 0

EN系列：保持低導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度，改善噪聲性能

超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效...

2023-02-10 標(biāo)簽：開關(guān)MOSFET 導(dǎo)通電阻 1.9k 0

最小導(dǎo)通電阻！瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。

2012-04-13 標(biāo)簽：MOSFET 瑞薩導(dǎo)通電阻 1.9k 0

昕感科技推出超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件

近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻...

2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 SiC 1.9k 0

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證

3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。

2024-03-11 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 SiC 1.8k 0

Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源

TrenchFETa器件典型RDS（ON）為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

2020-09-23 標(biāo)簽：MOSFET Vishay 導(dǎo)通電阻 1.7k 0

英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術(shù)革新，為高開關(guān)頻率應(yīng)用樹立全新行業(yè)標(biāo)桿

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念，具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。

2021-12-03 標(biāo)簽：英飛凌導(dǎo)通電阻 1.6k 0

Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級，RDS(ON)和FOM達(dá)到業(yè)界出色水平，提高功率密度和效率

節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝，最大RDS（ON）導(dǎo)通電阻降至8.05 m，Qg為6.5 nC

2020-11-04 標(biāo)簽：MOSFET Vishay 導(dǎo)通電阻 1.6k 0

導(dǎo)通電阻和Qg更低，有助于實(shí)現(xiàn)更低功耗

ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復(fù)時間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。

2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻功耗 1.6k 0

Vishay發(fā)布新款E系列MOSFET器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET-...

2011-10-13 標(biāo)簽：MOSFET Vishay 導(dǎo)通電阻 1.6k 0

東芝推出新款采用PWM控制的雙H橋直流有刷電機(jī)驅(qū)動IC，推薦應(yīng)用為移動設(shè)備和家用電器

東芝的新一代DMOS工藝讓TC78H660FNG能夠在最大額定值為18V／2.0A［1］時實(shí)現(xiàn)低至0.48Ω的導(dǎo)通電阻，較東芝的現(xiàn)有產(chǎn)品發(fā)熱更低。

2020-10-22 標(biāo)簽：東芝導(dǎo)通電阻驅(qū)動IC 1.5k 0

ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

2023-05-03 標(biāo)簽：電源 MOSFET 導(dǎo)通電阻 1.5k 0

兩款SiC MOSFET在智能斷路器中的應(yīng)用分析

以下是B3M010C075Z與B3M013C120Z兩款SiC MOSFET在智能斷路器中的應(yīng)用分析，結(jié)合其技術(shù)特性和實(shí)際場景需求展開：一、器件核心技...

2025-08-10 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻斷路器 1.5k 0

Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET--...

2012-06-28 標(biāo)簽：Vishay 導(dǎo)通電阻功率MOSFET 1.5k 0

SiC市場供需之變與未來趨勢

從行業(yè)趨勢看，SiC上車是大勢所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會上表示，將減少75%的SiC用量，一度引發(fā)SiC未來發(fā)展前景不明的猜測，但后...

2024-01-24 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器導(dǎo)通電阻 1.5k 0

辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，...

2025-06-11 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻漏極電流 1.5k 0

Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的超小尺寸20V芯片級MOSFET

MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V

2015-06-19 標(biāo)簽：Vishay 封裝導(dǎo)通電阻 1.5k 0

MDD肖特基二極管助力充電樁電源功率損耗低

隨著電動汽車的普及，充電樁的需求逐漸增長，對其電源的效率和可靠性提出了更高的要求。

2024-03-14 標(biāo)簽：電動汽車導(dǎo)通電阻肖特基二極管 1.4k 0

【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導(dǎo)通電阻，助力通信基站高效節(jié)能

隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級，高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低...

2025-04-30 標(biāo)簽：通信導(dǎo)通電阻 1.4k 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
金升陽

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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個可擴(kuò)展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計。
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　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動的項目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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