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標(biāo)簽 > 數(shù)據(jù)中心
數(shù)據(jù)中心是全球協(xié)作的特定設(shè)備網(wǎng)絡(luò)，用來在internet網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施上傳遞、加速、展示、計(jì)算、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息。
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共模半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心光模塊芯片解決方案
隨著 AI 算力與數(shù)據(jù)中心高速互聯(lián)需求持續(xù)升級(jí)，光模塊正向著更高速率、更低功耗、更高集成度方向快速迭代。本文聚焦光模塊核心半導(dǎo)體器件與信號(hào)鏈路設(shè)計(jì)，解析...
2026-04-13 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心光器件光通信 98 0
上海貝嶺功率器件在數(shù)據(jù)中心及高性能PC電源中的應(yīng)用
在數(shù)字化與人工智能時(shí)代，算力的背后是電力的支撐。無論是日常使用的高性能PC，還是承載AI大模型訓(xùn)練、云計(jì)算的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，其穩(wěn)定、高效運(yùn)行都離不開一顆...
2026-04-22 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心功率器件PC電源 8.1k 0
英偉達(dá)AI數(shù)據(jù)中心終極供電方案—固態(tài)變壓器(SST)的全景解析：從概念到量產(chǎn)的工程設(shè)計(jì)與決策參考指南
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于固態(tài)變壓器（SST）的全維解析全維解析系列文章-「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球節(jié)選，非...
2026-04-10 標(biāo)簽：變壓器數(shù)據(jù)中心AI 1.2k 0
存儲(chǔ)接口新變量，德明利雙模主控H3361在數(shù)據(jù)中心的價(jià)值釋放
隨著AI算力的飛速提升 存儲(chǔ)處理的是以Token（中文名“詞元”） 為單位的高頻數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù)中心需要高并發(fā)、低延遲計(jì)算能力 ※存儲(chǔ)接口選擇成為服務(wù)器的焦點(diǎn)...
2026-04-10 標(biāo)簽：接口存儲(chǔ)數(shù)據(jù)中心 1.9k 0
HIOKI日置專題｜PQ3198：數(shù)據(jù)中心全生命周期電能質(zhì)量守護(hù)核心方案
在數(shù)據(jù)中心算力密度持續(xù)提升、國際Tier 等級(jí)認(rèn)證要求日趨嚴(yán)苛的行業(yè)背景下， 電能質(zhì)量成為決定數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)連續(xù)性、設(shè)備壽命、能效水平與合規(guī)能力的核心要素...
2026-04-07 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心電能質(zhì)量分析儀 1.5k 0
ADI在高壓熱插拔保護(hù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新成果
隨著GPU功耗的持續(xù)攀升，AI服務(wù)器環(huán)境中的供電需求不斷增長，本文圍繞此趨勢(shì)展開討論。文中重點(diǎn)闡述了供電架構(gòu)從48V向800V的轉(zhuǎn)型變化，并探討了隨著數(shù)...
泰克發(fā)布高效電源測(cè)試白皮書： 以95.5%回饋效率重塑AI數(shù)據(jù)中心測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
隨著人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）及超大規(guī)模架構(gòu)的爆發(fā)式增長，全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的功率密度與能效挑戰(zhàn)。近日，泰克（Tektronix）發(fā)...
2026-04-01 標(biāo)簽：泰克服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1.1k 0
拒絕非計(jì)劃停機(jī)｜AcrelEMS-IDC數(shù)據(jù)中心能效管理系統(tǒng)筑牢數(shù)據(jù)中心供電可靠性“防護(hù)網(wǎng)”
安科瑞 王晶淼 咨詢家：Acrel-wjm 某數(shù)據(jù)中心為兩家銀行提供業(yè)務(wù)支持。事故發(fā)生時(shí)，兩路外市電電壓同時(shí)驟降近50%，持續(xù)時(shí)間達(dá)數(shù)秒，導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心3...
2026-03-26 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心能效管理 262 0
面向數(shù)據(jù)中心備電系統(tǒng)的電池檢測(cè)新路徑：EIS技術(shù)加速走向規(guī)模化應(yīng)用
從實(shí)驗(yàn)室的“慢工細(xì)活”，到產(chǎn)線的“秒級(jí)快檢”，電化學(xué)阻抗譜技術(shù)（EIS）正以前所未有的速度，為每一顆數(shù)據(jù)中心電池做“深度體檢”。 隨著AI算力需求的爆發(fā)...
2026-03-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心EIS電池檢測(cè) 6.6k 0
泰克科技面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的高效電源測(cè)試解決方案
數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷快速演變。人工智能服務(wù)器及大型語言模型訓(xùn)練每機(jī)柜功耗可達(dá)數(shù)百KW，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)企業(yè)服務(wù)器的能耗水平。同時(shí)，物聯(lián)網(wǎng)與大數(shù)據(jù)服務(wù)因其產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)...
2026-03-20 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心電源測(cè)試 577 0
服務(wù)器主板導(dǎo)熱膠：數(shù)據(jù)中心高負(fù)載散熱方案 |鉻銳特實(shí)業(yè)
鉻銳特實(shí)業(yè)|東莞廠家|探討服務(wù)器主板導(dǎo)熱膠在數(shù)據(jù)中心高負(fù)載場(chǎng)景下的關(guān)鍵作用，可降低CPU GPU溫度10-15℃，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性35%，助力AI服務(wù)器實(shí)...
2026-03-14 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心導(dǎo)熱凝膠導(dǎo)熱膠 290 0
為800V應(yīng)用選擇合適的半導(dǎo)體技術(shù)
面向AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的橫向GaN HEMT、SiC MOSFET與SiC Cascode JFET的對(duì)比 摘要 隨著AI數(shù)據(jù)中心向更高...
2026-03-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)仿真數(shù)據(jù)中心 2.2k 0
面向AI/數(shù)據(jù)中心與EV驅(qū)動(dòng)的芯片嵌入式面板級(jí)封裝技術(shù)路線的深度解析
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-面向AI與汽車的芯片嵌入式面板級(jí)功率封裝技術(shù)路線深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球節(jié)...
2026-02-06 標(biāo)簽：芯片嵌入式數(shù)據(jù)中心 2.3k 0
零碳數(shù)據(jù)中心：從概念到落地的綠電供能解決方案
數(shù)字經(jīng)濟(jì)已成為驅(qū)動(dòng)國民經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的核心引擎，數(shù)據(jù)中心作為算力基礎(chǔ)設(shè)施的核心載體，承載著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、云計(jì)算、人工智能運(yùn)算等關(guān)鍵業(yè)務(wù)，其建設(shè)規(guī)模與算力密度...
2026-02-03 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心安科瑞 4.2k 0
戴爾科技2U雙路機(jī)架式服務(wù)器Dell PowerEdge R7725深度解析
在現(xiàn)代化數(shù)據(jù)中心的內(nèi)部，數(shù)百臺(tái)服務(wù)器全天候運(yùn)行，支撐著從大數(shù)據(jù)分析、高性能計(jì)算到智能應(yīng)用等多樣化業(yè)務(wù)場(chǎng)景。隨著業(yè)務(wù)規(guī)模和數(shù)據(jù)量的激增，傳統(tǒng)機(jī)架式服務(wù)器在...
2026-01-28 標(biāo)簽：服務(wù)器數(shù)據(jù)中心戴爾科技 615 0
電動(dòng)汽車與數(shù)據(jù)中心如何受益于48V電源系統(tǒng)
隨著電子系統(tǒng)日趨緊湊且功率密度持續(xù)攀升，熱管理已超越傳統(tǒng)的舒適性與可靠性范疇，成為影響系統(tǒng)性能與安全的核心要素。這推動(dòng)工程師進(jìn)一步了解驅(qū)動(dòng) 48V 高功...
2026-01-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車數(shù)據(jù)中心熱管理 2.5k 0
數(shù)據(jù)中心鋰電化潮起：為什么說霍爾傳感器決定了UPS的“生死線”？
時(shí)代向前發(fā)展，AI已經(jīng)已經(jīng)影響各行各業(yè)，就電池行業(yè)而言，隨著數(shù)據(jù)中心規(guī)模不斷擴(kuò)大，電價(jià)波動(dòng)加劇，碳指標(biāo)收緊以及園區(qū)微電網(wǎng)的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷一場(chǎng)結(jié)構(gòu)性...
2026-01-20 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心霍爾電流傳感器AI算力 544 0
AIDC數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)：800V HVDC與±400V架構(gòu)的本質(zhì)博弈及碳化硅MOSFET的關(guān)鍵賦能
下一代AI數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)戰(zhàn)略研究報(bào)告：800V HVDC與±400V架構(gòu)的本質(zhì)博弈及碳化硅MOSFET的關(guān)鍵賦能 BASiC Semiconducto...
2026-01-12 標(biāo)簽：MOSFET數(shù)據(jù)中心AIDC 1.3k 0
設(shè)計(jì)下一代AI SSD，如何選對(duì)PLP電容？
隨著OpenAI掀起的大模型浪潮，以英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)為代表的新型AI數(shù)據(jù)中心正處于爆發(fā)式部署階段。這種全球規(guī)模的算力基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)容，對(duì)PCIe...
2026-01-09 標(biāo)簽：電容SSD數(shù)據(jù)中心 535 0
圣邦微電子硅光芯片SGM41290的核心亮點(diǎn)和典型應(yīng)用
圣邦微電子推出高集成、高精度、高靈活度的硅光AFE SGM41290，適用于硅光控制系統(tǒng)的多樣化需求。器件集成最高1MHz I2C以及最高10MHz S...
2025-12-31 標(biāo)簽：dac數(shù)據(jù)中心圣邦微電子 891 0
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