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      標(biāo)簽　>　晶體管

      晶體管

      晶體管

      +關(guān)注78人關(guān)注

      晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

      文章：6406個 瀏覽：148828次 帖子：853個

      晶體管技術(shù)

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      CMOS 工藝技術(shù)平臺的電容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。PIP 主要應(yīng)用在0.35μm及以上的亞微米及微米工藝...

      2024-12-04 標(biāo)簽：CMOS電容工藝 3.1k 0

      基于WSe?結(jié)構(gòu)上存在的負(fù)磁阻現(xiàn)象

      WSe?屬于TMD家族，具有層依賴性帶隙，從1.2 eV(塊體)到1.65 eV(單分子層)不等。單分子層WSe?作為一種極具發(fā)展前景的二維半導(dǎo)體，因其...

      2022-10-18 標(biāo)簽：電極晶體管計算軟件 3.1k 0

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      今日咱們首要介紹下LED亮光電路圖，這些電路首要用在電子設(shè)備的顯現(xiàn)或正告上面。

      2022-11-28 標(biāo)簽：led電路圖晶體管 3.1k 0

      基于專用LDMOS器件實現(xiàn)非對稱Doherty放大器的應(yīng)用設(shè)計

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      現(xiàn)有設(shè)計要與更高性能的放大器之間實現(xiàn)平滑過渡，必須采用下列設(shè)計選項：在載頻和峰值器件之間應(yīng)用1dB非對稱電平，優(yōu)化內(nèi)部匹配網(wǎng)絡(luò)來允許寬帶放大器設(shè)計（是規(guī)...

      2021-05-05 標(biāo)簽：放大器晶體管rf 3.1k 0

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      IGBT全稱叫做絕緣柵雙極型晶體管，實際上就是絕緣柵場效應(yīng)管和雙極型晶體管結(jié)合到一起，一種非常簡單樸素的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，卻讓器件性質(zhì)發(fā)生了質(zhì)的變化，是科技創(chuàng)新...

      2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT晶體管 3.1k 0

      使用非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器的12VDC至220VAC轉(zhuǎn)換器電路

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      在無法從電源獲得交流電源的地方通常需要逆變器。逆變器電路用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源。逆變器可以是真/純正弦波逆變器和準(zhǔn)或改進(jìn)逆變器兩種類型。這些真/純...

      2023-07-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器振蕩器逆變器 3.1k 0

      功率放大電路的特點及分類

      功率放大電路的特點及分類

      　　無論是共射、共集、共基，或?qū)?yīng)的場效應(yīng)管，放大電路都能夠通過晶體管/場效應(yīng)管對能量控制實現(xiàn)直流電源能量向輸出的交流功率的轉(zhuǎn)換，實現(xiàn)功率放大。

      2023-02-07 標(biāo)簽：功放放大電路場效應(yīng)管 3.1k 0

      VCC、 VDD、VEE、VSS，他們具有什么樣的關(guān)系那?

      Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單級器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的...

      2023-12-26 標(biāo)簽：電路圖晶體管Vcc 3.1k 0

      埃米級芯片：拓展摩爾定律 打破性能瓶頸

      埃米是一種非常小的度量單位，相當(dāng)于一米的百億分之一。它通常用于表示原子和分子的尺寸。

      2023-12-13 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體機器人 3k 0

      備用電源開關(guān)

      備用電源開關(guān)

      電子產(chǎn)品中的每個子系統(tǒng)都依賴于可靠的電源。實現(xiàn)高可靠性的一種方法是使用備用電源，以防主電源發(fā)生故障。增加備用電源的經(jīng)典方法是將每個電源與一個串聯(lián)二極管連...

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      這種簡單的電路測試儀可用于檢測組裝電路板或PCB內(nèi)的短路，異常電阻條件，連續(xù)性斷裂等。指示將通過可聽見的蜂鳴器聲音或 LED照明。所描述的設(shè)計都非常安全...

      2023-06-03 標(biāo)簽：測試儀晶體管測試儀電路 3k 0

      如何判斷晶體管基本放大電路是哪種

      晶體管基本放大電路是指利用晶體管的放大特性設(shè)計的電路，用于放大電信號的幅度。根據(jù)晶體管的工作狀態(tài)和電路的連接方式的不同，晶體管基本放大電路可分為共射極放...

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      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對IGBT功率模塊散熱問題的詳...

      2024-07-26 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率模塊 3k 0

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      MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管的源漏是可互換的，它們是在P型背柵中形成的N形區(qū)域。在大多數(shù)情況下，這兩...

      2023-02-17 標(biāo)簽：三極管二極管MOSFET 3k 0

      簡單的NPN晶體管電路設(shè)計 NPN晶體管的工作模型和結(jié)構(gòu)

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      2023-02-24 標(biāo)簽：三極管二極管電路設(shè)計 3k 0

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      MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...

      2024-02-19 標(biāo)簽：存儲器sram晶體管 3k 0

      簡單認(rèn)識功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管

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      功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （Power MOSFET) 由于輸入阻抗高、開關(guān)速度快，并且具有負(fù)溫度系數(shù)（溫度上升時電流減少），因此被認(rèn)為是一種理...

      2024-01-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3k 0

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      納米壓印技術(shù)，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一種新型的微納加工技術(shù)。該技術(shù)將設(shè)計并制作在模板上的微小圖形，通過壓印等技術(shù)...

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      2024-08-01 標(biāo)簽：晶體管輸出信號輸入信號 3k 0

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      基于耳機音頻放大器的兩個晶體管電路非常容易構(gòu)建，并且已經(jīng)獲得了足夠的增益來驅(qū)動耳機揚聲器。音頻耳機放大器電路由兩個使用晶體管的主要組件組成，即2N356...

      2023-05-16 標(biāo)簽：音頻放大器晶體管晶體管電路 3k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        光模塊
        +關(guān)注
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      • ESP8266
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        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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