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標(biāo)簽 > 晶體管

晶體管

晶體管

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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

一文詳細(xì)告訴你如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式

一文詳細(xì)告訴你如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式

今天給大家分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》。

2023-06-01 標(biāo)簽:英飛凌二極管MOSFET 3k 0

一文詳解絕緣體上硅技術(shù)

一文詳解絕緣體上硅技術(shù)

絕緣體上硅(SOI)技術(shù)作為硅基集成電路領(lǐng)域的重要分支,其核心特征在于通過(guò)埋氧層(BOX)實(shí)現(xiàn)有源層與襯底的電學(xué)隔離,從而賦予場(chǎng)效應(yīng)晶體管獨(dú)特的電學(xué)特性。

2025-07-28 標(biāo)簽:集成電路汽車電子晶體管 3k 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)

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在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板,即所有電流都通過(guò)MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過(guò)MOS溝道,而空穴電流...

2023-12-01 標(biāo)簽:IGBT晶體管MOS 3k 0

N通道和P通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?

N通道和P通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?

晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號(hào)。其次,晶體管可以作為計(jì)算機(jī)的信...

2024-10-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管FET 3k 0

深入探討MOS管的工作原理

深入探討MOS管的工作原理

  以Ntype MOS晶體管為例,探討MOS管的工作原理。

2023-02-03 標(biāo)簽:MOS管晶體管MOS 3k 0

晶體管放大電路的三款接法

晶體管放大電路的三款接法

晶體管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)是指在沒(méi)有輸入信號(hào)時(shí)(即直流條件下),晶體管的集電極電壓和集電極電流的值。靜態(tài)工作點(diǎn)可以用來(lái)描述晶體管的偏置狀態(tài),通常使用直流...

2024-02-05 標(biāo)簽:放大電路晶體管電源電壓 3k 0

一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?車規(guī)級(jí)芯片分類介紹

一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?車規(guī)級(jí)芯片分類介紹

當(dāng)finFET被提出時(shí),相對(duì)于互連層而言,晶體管及相關(guān)邏輯單元制作工藝復(fù)雜度成比例增加。隨著更多晶體管技術(shù)被提出,這一差別有望延續(xù)至5nm,3nm和更低。

2023-06-16 標(biāo)簽:汽車電子晶體管功率半導(dǎo)體 3k 0

氮化鎵功率晶體管基礎(chǔ)

氮化鎵功率晶體管基礎(chǔ)

一個(gè)器件的成本效益,從生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施開(kāi)始計(jì)算。宜普公司的工藝技術(shù),基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 (Aluminum Nitride/...

2023-02-08 標(biāo)簽:晶體管硅晶圓氮化鎵 3k 0

推挽放大器的工作原理和主要類型

推挽放大器(Push-Pull Amplifier)是一種特殊的放大器設(shè)計(jì),它利用兩個(gè)互補(bǔ)的晶體管或功率管來(lái)放大和輸出信號(hào)。推挽放大器在音頻放大器、射頻...

2024-05-23 標(biāo)簽:音頻放大器晶體管推挽放大器 3k 0

一文詳解三極管

一文詳解三極管

這次我們把范圍擴(kuò)大到NPN和PNP倆種管子,也給大家一些例子,例子由易到難,如果全部都能答上來(lái),那三極管這里你算是吃透了。

2023-04-25 標(biāo)簽:三極管晶體管集電極 3k 0

MOS晶體管的動(dòng)態(tài)特性

MOS晶體管的動(dòng)態(tài)特性

一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。 本征電容的主要來(lái)源有三個(gè):基本的MO...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET電容MOS管 3k 0

基于LM317的直流穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)

基于LM317的直流穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)

基于“外部旁路晶體管擴(kuò)流”原理,以線性集成穩(wěn)壓芯片為核心,設(shè)計(jì)一能夠輸出大電流的直流穩(wěn)壓電路。假設(shè)該穩(wěn)壓電路輸入電壓為30V,輸出電壓為24V,負(fù)載電阻...

2023-07-26 標(biāo)簽:原理圖電路設(shè)計(jì)lm317 3k 0

《電子學(xué)》一書中電路的熱敏電阻和 RTD 仿真

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作者: Alain Stas 這篇文章的核心內(nèi)容來(lái)自 Paul Horowitz 和 Winfield Hill 的傳奇著作《The Art of El...

2024-05-05 標(biāo)簽:熱敏電阻RTD仿真 3k 0

電阻-晶體管耦合邏輯電路圖分析

電阻-晶體管耦合邏輯電路圖分析

RTL電路的基本工作原理是:晶體管的基極、發(fā)射極和集電極分別與輸入信號(hào)源、負(fù)載電阻和電源連接。通過(guò)確定輸入和輸出的阻抗,并選擇合適的電容和電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)阻抗...

2024-03-15 標(biāo)簽:電阻邏輯電路晶體管 3k 0

25W低功率逆變器電路圖分享

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這是一款 25W 低功率逆變器,僅包含 9 個(gè)部件,可將 10VDC – 16VDC 轉(zhuǎn)換為 115V / 60Hz 方波電源。該電路能夠操作高達(dá) 25...

2022-07-26 標(biāo)簽:逆變器晶體管低功率器件 3k 0

如何減少M(fèi)OS管的損耗

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)備中...

2024-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 3k 0

自動(dòng)應(yīng)急燈電路/12V供電的電子節(jié)能燈電路設(shè)計(jì)

自動(dòng)應(yīng)急燈電路/12V供電的電子節(jié)能燈電路設(shè)計(jì)

本例介紹的自動(dòng)應(yīng)急燈,在白天或夜晚有燈光時(shí)不工作,當(dāng)夜晚關(guān)燈后或停電時(shí)能自動(dòng)點(diǎn)亮,延時(shí)一段時(shí)間后能自動(dòng)熄滅。

2023-07-11 標(biāo)簽:三極管元器件電路設(shè)計(jì) 3k 0

外延片和擴(kuò)散片的區(qū)別是什么

外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過(guò)程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過(guò)程: 外延片是通過(guò)在單晶硅片上生長(zhǎng)一層或多層半導(dǎo)體材料來(lái)制造...

2024-07-12 標(biāo)簽:集成電路晶體管半導(dǎo)體制程 3k 0

晶體管光耦中IF及TA對(duì)CTR的影響

晶體管光耦中IF及TA對(duì)CTR的影響

晶體管光耦由于其具備電氣隔離、抗干擾、簡(jiǎn)單可靠的優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新能源汽車、儲(chǔ)能、光伏、消費(fèi)電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域,而在晶體管光耦中,最關(guān)鍵的核心參數(shù)便...

2026-03-23 標(biāo)簽:光伏光耦晶體管 3k 0

電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中IGBT全面解析

電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中IGBT全面解析

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn),確保...

2025-01-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 3k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開(kāi)關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    +關(guān)注
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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