晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

MOS晶體管的靜態(tài)特性(二)

短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同，主要原因是速度飽和效應(yīng)。載流子的速度正比于電場(chǎng)，遷移率是一個(gè)常數(shù)，當(dāng)溝道電場(chǎng)達(dá)到某一臨界...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOS管晶體管 MOS 3.2k 0

MOS晶體管的靜態(tài)特性(一)

目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件，根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型，以NMOS為例，分析其電流電壓特性。器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 晶體管 5.7k 0

MOS晶體管的動(dòng)態(tài)特性

一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。本征電容的主要來源有三個(gè)：基本的MO...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET 電容 MOS管 3k 0

氮化鎵中鉻含量的二次離子質(zhì)譜分析方法研究

二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測(cè)試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質(zhì)譜儀可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素...

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1.2k 0

什么是IGBT？

什么是IGBT？本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 7k 0

MOSFET的失效機(jī)理：什么是dV/dt失效

MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管失效機(jī)理 2.2k 0

用熱反射測(cè)溫技術(shù)測(cè)量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度

第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性...

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 HEMT 3.5k 0

MOS管的原理是什么？它是如何起作用的？

mos管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2023-02-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管晶體管 1.7k 0

三極管是什么？三極管是干嘛用的？

三極管全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。

2023-02-12 標(biāo)簽：三極管晶體管半導(dǎo)體三極管 4.7k 0

如何區(qū)分三極管NPN和PNP？

　　BJT雙極型晶體管也就是三極管，是電流控制型器件;可看做是兩個(gè)背靠背的PN結(jié);有NPN和PNP兩種，那么怎么根據(jù)符號(hào)來區(qū)分是NPN還是PNP呢?

2023-02-12 標(biāo)簽：三極管晶體管 BJT 1.6萬 0

雙極型晶體管的工作原理詳解

　　雙極型晶體管是一種流控器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。發(fā)射區(qū)摻雜濃度最高，基區(qū)次之，集電區(qū)最小(但和金屬電極接觸處的一小區(qū)域半導(dǎo)體高摻雜，是為了避免形...

2023-02-12 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 9.2k 0

低功耗設(shè)計(jì)之multi-bit cell技術(shù)簡介

所謂multi-bit cell，可以理解成把多個(gè)完全相同的cell合并在一個(gè)cell里，如下圖所示，集成2bit的multi-bit cell的clo...

2023-02-12 標(biāo)簽：寄存器晶體管時(shí)鐘樹 7k 0

為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng)：碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)！

GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 1.3k 0

單結(jié)晶體管有幾個(gè)pn結(jié)_單結(jié)晶體管怎么測(cè)量好壞

單結(jié)晶體管只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2，在硅片中間略偏b2一側(cè)用...

2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管單結(jié)晶體管 4.8k 0

PMOS晶體管工作原理 pmos晶體管的各個(gè)工作區(qū)域

PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個(gè)晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個(gè)...

2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體器件 PMOS管 1.9萬 0

nmos晶體管的電流方程 nmos晶體管飽和伏安特性方程

nMOS晶體管導(dǎo)通是通過溝道里面的電子產(chǎn)生電流的，一般NMOS的源極接襯底，共同接到地，漏極到源極加上正電壓，電子從源極向漏極流動(dòng)，我們?nèi)‰娏鞯姆较蚝碗?..

2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管伏安特性 NMOS管 5.3k 0

NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關(guān)

nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，C...

2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管閾值電壓 NMOS管 1.9萬 0

場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么控制器件_場(chǎng)效應(yīng)管分為哪兩種

場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么控制型器件？場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點(diǎn)類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-02-11 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管晶體管電壓控制 6.6k 0

nmos晶體管的工作原理/功能特性/電路圖

NMOS晶體管是一種電子元件，它是一種半導(dǎo)體晶體管，其中N指的是n型半導(dǎo)體材料，它具有負(fù)極性，可以用來控制電流的流動(dòng)。它的主要功能是在電路中控制電流的流...

2023-02-11 標(biāo)簽：NMOS 晶體管 NMOS管 1.9萬 0

晶體管的三個(gè)極是什么_判斷晶體管的三個(gè)電極

晶體管是一種電子器件，它有三個(gè)電極：基極、集電極和發(fā)射極。　　基極是晶體管的輸入端，也稱為“正向基極”，是一個(gè)半導(dǎo)體金屬片，通常是一個(gè)鍍錫或鍍銀...

2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管發(fā)射極基極 2.5萬 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
海思

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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn)，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上最為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
基站測(cè)試

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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
TMS320F28335

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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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