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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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漏電保護(hù)器電路原理圖及16個(gè)漏電保護(hù)器常見(jiàn)問(wèn)題
圖中L為電磁鐵線(xiàn)圈,漏電時(shí)可驅(qū)動(dòng)閘刀開(kāi)關(guān)K1斷開(kāi),每個(gè)橋臂用兩只1N4007串聯(lián)可提高耐壓。R3、R4阻值很大,所以K1合上時(shí),流經(jīng)L的電流很小,不足以...
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對(duì)電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下,閾值電壓是通過(guò)向溝道區(qū)的離子注入來(lái)調(diào)整的。
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性:在功率轉(zhuǎn)換中,MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)特性 4.7k 0
繼前篇的Si晶體管的分類(lèi)與特征、基本特性之后,本篇就作為功率開(kāi)關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說(shuō)明。MOSFET的寄生電容:MOSFET在結(jié)...
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱(chēng)為“Si晶體管”,不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外,還可根據(jù)處理的電流...
在過(guò)去幾年里,GaN技術(shù),特別是硅基GaN HEMT技術(shù),已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開(kāi)關(guān)能力。然而,隨著...
2023-02-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器晶體管GaN 1.2k 0
法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
晶體振蕩器算是在電子元件里面比較常見(jiàn)的,比如手機(jī)、電腦、筆記本電腦,微控制器等。晶體振蕩器在單一頻率下工作是獨(dú)一無(wú)二的,高度穩(wěn)定且無(wú)漂移。這篇文章主要講...
2023-02-08 標(biāo)簽:放大器振蕩器運(yùn)算放大器 5.6k 0
LT1167:?jiǎn)蝹€(gè)電阻器設(shè)定最佳儀表放大器的增益
LT1167 將 FET 輸入放大器的 pA 輸入偏置電流與雙極性放大器的低輸入噪聲電壓特性相結(jié)合。采用超 β 輸入晶體管,LT1167 的輸入偏置電流...
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等,有時(shí)特指雙極型器件),具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、...
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管二極管場(chǎng)效應(yīng)管 1.2k 0
使用數(shù)字晶體管減少元器件數(shù)量:制作簡(jiǎn)單電路的第一步
使用Arduinos和Raspberry Pis控制LED和電機(jī)時(shí),您需要使用包含電阻和晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIGBT 1.7k 0
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-...
從本文開(kāi)始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究...
SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
近年來(lái)超級(jí)結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開(kāi)...
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后,本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一...
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝(DRAM)詳解
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器...
IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線(xiàn)/選型/應(yīng)用
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
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