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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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由于阻抗突變而引起的反射和失真會(huì)導(dǎo)致誤觸發(fā)和誤碼。這種由于阻抗變化而引起的反射是信號(hào)失真和信號(hào)質(zhì)量退化的主要根源。
先來(lái)看看運(yùn)算放大器和比較器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖，從圖中也可以看出，比較器采用雙晶體管推挽輸出，而比較器一般是單晶體管OC輸出（集電極開(kāi)路）。
2023-10-07 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器比較器晶體管 2k 0
TL431是由美國(guó)德州儀器公司（TI）和Motorola公司生產(chǎn)的2.50~36V可調(diào)精密并聯(lián)穩(wěn)壓器，它是一種具有可調(diào)電流輸出能力的基準(zhǔn)電壓源，TL43...
2023-10-07 標(biāo)簽：電路圖穩(wěn)壓器應(yīng)用電路 7.1k 0
半導(dǎo)體工業(yè)工藝和產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)
上回我們講到了在1959年，杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個(gè)集成電路芯片，標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式拉開(kāi)了集成電路的時(shí)代。
2023-10-07 標(biāo)簽：MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.8k 0
分立元件是與集成電路（俗話說(shuō)“芯片”）相對(duì)而言的，就是指普通的電阻、電容、晶體管等電子元件，統(tǒng)稱(chēng)分立元件。
當(dāng)接受部分在接受外部信號(hào)后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間延時(shí)才能使執(zhí)行部分動(dòng)作的繼電器，叫做時(shí)間繼電器。時(shí)間繼電器主要有空氣式、電動(dòng)式、晶體管式及直流電磁式等幾大類(lèi)，延...
2023-10-07 標(biāo)簽：時(shí)間繼電器晶體管電動(dòng)勢(shì) 1.2萬(wàn) 0
什么是Clock Gating技術(shù)？Clock Gating在SoC設(shè)計(jì)中的重要性
隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片中的晶體管數(shù)量呈現(xiàn)出爆炸性增長(zhǎng)。為了提高性能，降低功耗，SoC設(shè)計(jì)中采用了各種優(yōu)化技術(shù)
大家都知道，芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程。光一臺(tái)生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)就包含了約10萬(wàn)個(gè)零部件。
2023-10-07 標(biāo)簽：TSMCEDA工具芯片設(shè)計(jì) 3.3萬(wàn) 0
SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）是由美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校的電子研究...
2023-09-28 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)晶體管信號(hào)完整性 8.3k 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、...
接地反彈是PCB組件中的噪聲源。重要的是要防止這種情況，因?yàn)樗鼤?huì)中斷高速或高頻操作。接地反彈的主要原因是電路上不同點(diǎn)的接地電位差。
彎道超車(chē)的Chiplet與先進(jìn)封裝有什么關(guān)聯(lián)呢？
Chiplet也稱(chēng)芯粒，通俗來(lái)說(shuō)Chiplet模式是在摩爾定律趨緩下的半導(dǎo)體工藝發(fā)展方向之一，是將不同功能芯片裸片的拼搭
什么是DC IR Drop？DC IR Drop仿真有何意義？
DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；
電源完整性（Power Integrity，PI）是衡量電源分配網(wǎng)絡(luò)PDN（Power Distribution Network，PDN）的源端及終端的...
在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET 4.4k 0
NAND Flash存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)知識(shí)
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)...
共源共柵放大器用于增強(qiáng)模擬電路的性能。利用共源共柵是一種常見(jiàn)的方法，可用于晶體管和真空管的應(yīng)用。Roger Wayne Hickman 和 Freder...
功率放大器可以采用各種不同的電子元件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、雙極性晶體管、集成電路等等。
2023-09-27 標(biāo)簽：功率放大器場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 2.6k 0
驅(qū)動(dòng)電路的必要組成部分有哪些 驅(qū)動(dòng)電路和控制電路的區(qū)別和聯(lián)系
將控制信號(hào)進(jìn)行放大，以能夠提供足夠的功率和電流來(lái)驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器。功率放大器通常采用晶體管、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等高功率開(kāi)關(guān)元件。
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