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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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數(shù)字晶體管MUN2234等系列產(chǎn)品介紹
在電子電路設(shè)計(jì)中,合理選擇晶體管至關(guān)重要,它關(guān)乎著電路的性能、成本和空間利用。今天就來為大家詳細(xì)介紹ON Semiconductor的MUN2234、M...
2025-12-02 標(biāo)簽:晶體管NPN數(shù)字晶體管 872 0
選型手冊:VSE025N10HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSE025N10HS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,具備快速開關(guān)特性與高可靠性,適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同...
選型手冊:VSE002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)極致低導(dǎo)通電阻...
選型手冊:VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適配低壓D...
選型手冊:VS4401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借1.4mΩ極致低導(dǎo)通...
選型手冊:VS3620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配...
隨著能源效率成為全球關(guān)注的焦點(diǎn),半導(dǎo)體行業(yè)迎來了技術(shù)革新的浪潮。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)便是這一背景下的產(chǎn)物,其通過電場效應(yīng)調(diào)控導(dǎo)電...
選型手冊:VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MO...
選型手冊:VS8402ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,憑借超低導(dǎo)通電阻與160A大電...
選型手冊:VS3618BE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換...
選型手冊:VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低壓...
2025-11-28 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 644 0
選型手冊:VS3510AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力,適用于低...
選型手冊:VS3618AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適...
選型手冊:VS3698AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AP是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通...
2025-11-27 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 814 0
選型手冊:VS3633GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,憑借低導(dǎo)通電...
選型手冊:VSP004N10MSC-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電...
選型手冊:VSP004N10MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,...
安森美雙NPN偏置電阻晶體管:簡化電路設(shè)計(jì)的理想之選
在電子電路設(shè)計(jì)中,如何簡化設(shè)計(jì)、降低成本并節(jié)省電路板空間一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。安森美(onsemi)推出的MUN5213DW1、NSBC144EDX...
onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應(yīng)用解析
在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天,我們來詳細(xì)探討一下安森美(onsemi)的UF3N120007K4S碳...
選型手冊:VSP007N12HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效能與快速開關(guān)特性...
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