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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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半導(dǎo)體行業(yè)在實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)過(guò)程中的重要里程碑
每隔幾個(gè)月就會(huì)有更新?lián)Q代的電子產(chǎn)品問(wèn)世。它們通常更小、更智能,不僅擁有更快的運(yùn)行速度與更多帶寬,還更加節(jié)能,這一切都要?dú)w功于新一代先進(jìn)的芯片和處理器。
浩瀚芯光發(fā)布MH1056/MH1056M低噪聲放大器芯片
浩瀚芯光近日正式推出了兩款低噪聲放大器(LNA)芯片——MH1056與MH1056M。這兩款芯片均基于國(guó)產(chǎn)PHEMT(贗高電子遷移率晶體管)工藝制造,工...
歐盟提出力爭(zhēng)在2030年前將碳排放水平降低62%。也就是說(shuō),要在7年時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。顯然,全球朝著可再生能源邁進(jìn)已成必然趨勢(shì),全世界都在探索如何利用...
Wolfspeed的CGHV60075D5是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優(yōu)越的使用性能;CGHV6...
第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料,鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大,但由于速度較慢、不耐熱等缺點(diǎn),在八十年代初就被硅基管給取代了,一直到現(xiàn)今...
2023-12-20 標(biāo)簽:晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件 561 0
專(zhuān)家洞察 I 融合之勢(shì):為何邊緣GPU無(wú)法承受“專(zhuān)精化”之重
專(zhuān)家洞察主機(jī)經(jīng)濟(jì)的啟示想知道圖形技術(shù)的發(fā)展方向?關(guān)注主機(jī)市場(chǎng)就對(duì)了。并非因?yàn)橹鳈C(jī)技術(shù)精湛或代表著計(jì)算機(jī)圖形學(xué)的巔峰——事實(shí)并非如此。但它們確實(shí)占據(jù)著游戲...
意法半導(dǎo)體700V GaN轉(zhuǎn)換器打造卓越的用戶體驗(yàn)
意法半導(dǎo)體推出全新的VIPerGaN反激式轉(zhuǎn)換器系列產(chǎn)品。該器件采用專(zhuān)有技術(shù)打造,可在所有負(fù)載水平下實(shí)現(xiàn)安靜的運(yùn)行。這些轉(zhuǎn)換器采用先進(jìn)的GaN技術(shù)打造,...
2026-03-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 551 0
2022年模擬市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)20.8%
小信號(hào)晶體管的這種水平預(yù)測(cè)似乎是合理的,但功率晶體管的需求由于汽車(chē)電氣化而持續(xù)增長(zhǎng),因此我們應(yīng)該可以預(yù)期同比增長(zhǎng)超過(guò)10%。
Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能參數(shù)。包括相對(duì)較高的...
選型手冊(cè):VS3510AD P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用TO-252封裝,適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 529 0
10.1.4 自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》
SpinField-effectTransistor撰稿人:清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興...
2022-03-21 標(biāo)簽:晶體管 519 0
焊接強(qiáng)大的BT-550D 電動(dòng)智能晶體管系列電阻點(diǎn)焊機(jī)
BT-550D?采用?DSP?技術(shù),依靠這一技術(shù),它能夠精確掌握定電流、定電壓以及定電流定電壓等不同的焊接模式,以此滿足多樣化的焊接需求。在實(shí)際焊接操作...
2025-05-06 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 512 0
分立器件測(cè)試晶體管圖示儀靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)SC2010半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)
SC2010半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 一、系統(tǒng)定位 作為STI5000系列測(cè)試機(jī)的國(guó)產(chǎn)化替代方案,SC2010系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了: 全自動(dòng)I-V特性曲線生成 可編...
2025-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)晶體管 493 0
選型手冊(cè):VS4603GPHT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 485 0
羅徹斯特電子為onsemi產(chǎn)品提供可持續(xù)供貨支持
羅徹斯特電子是安森美的授權(quán)分銷(xiāo)商和許可復(fù)產(chǎn)的制造商。安森美半導(dǎo)體公司創(chuàng)立于1999年,其前身為摩托羅拉(Motorola)旗下的半導(dǎo)體部門(mén)。近年來(lái),安森...
解析MAT14:匹配式單片四晶體管的卓越性能與應(yīng)用
解析MAT14:匹配式單片四晶體管的卓越性能與應(yīng)用 引言 在電子工程領(lǐng)域,高性能晶體管對(duì)于各類(lèi)電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。Analog Devices的MAT14...
2026-01-15 標(biāo)簽:晶體管mat14電路應(yīng)用 417 0
集成AFE三相全橋SiC PIM模塊在工業(yè)驅(qū)動(dòng)中的全集成技術(shù)與應(yīng)用
在全球工業(yè)界加速邁向深度脫碳、電氣化與工業(yè)4.0智能制造的歷史交匯點(diǎn)上,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷一場(chǎng)根本性的底層架構(gòu)變革。
TFT-LCD液晶面板暗點(diǎn)化激光修復(fù)方法與流程
一、引言 TFT-LCD液晶面板的暗點(diǎn)缺陷多由薄膜晶體管(TFT)斷路、液晶盒內(nèi)異物殘留、電極接觸不良等因素導(dǎo)致,表現(xiàn)為像素區(qū)域無(wú)法正常透光,破壞畫(huà)面均...
2026年3月28日-31日,全球薄膜晶體管(TFT)領(lǐng)域頂級(jí)學(xué)術(shù)盛會(huì)——第20屆國(guó)際薄膜晶體管大會(huì)(The 20th International Th...
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