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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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臺(tái)積電正式披露3nm工藝最新細(xì)節(jié) 晶體管密度達(dá)到2.5億/mm2
近日,臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情,其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2!
長(zhǎng)晶的CJ78系列具有較長(zhǎng)的生產(chǎn)歷史,產(chǎn)品久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn),與行業(yè)內(nèi)一些知名的電源企業(yè)保持著合作的關(guān)系。
2022-04-06 標(biāo)簽:蓄電池晶體管長(zhǎng)晶科技 4.4k 0
半導(dǎo)體有良好的導(dǎo)電性嗎? 半導(dǎo)體是指一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的電學(xué)特性的物質(zhì),其導(dǎo)電性介于金屬導(dǎo)體和非金屬絕緣體之間。半導(dǎo)體材料通常是由含有補(bǔ)償雜質(zhì)...
2023-08-27 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體晶體管 4.4k 0
后摩爾時(shí)代,半導(dǎo)體的新戰(zhàn)場(chǎng)與新機(jī)會(huì)
來(lái)源:智東西公開課智東西公開課推出的AI芯片系列課完結(jié)第五講,華登國(guó)際合伙人王林就主題《人工智能帶來(lái)半導(dǎo)體的
該放大器的設(shè)計(jì)具有以下規(guī)格:即使在20KHz時(shí),在100W的全功率下失真也小于0.1%。功率必須歸因于擴(kuò)展的帶寬。必須保護(hù)輸出晶體管免于短路。電源必須對(duì)...
科技是第一生產(chǎn)力 中國(guó)研發(fā)金額是日德韓印四國(guó)總和
科學(xué)技術(shù)是第一生產(chǎn)力;生產(chǎn)力主要有三個(gè)要素:勞動(dòng)者、勞動(dòng)工具和勞動(dòng)對(duì)象(包括自然物經(jīng)勞動(dòng)加工后的原材料)。顯然,科學(xué)技術(shù)被勞動(dòng)者掌握,便成為勞動(dòng)的生產(chǎn)力...
IGBT過(guò)流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫,是一種半導(dǎo)體功率開關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,常常用于高壓、高電流的開關(guān)電源和...
2024-02-18 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT晶體管 4.3k 0
并聯(lián)直流穩(wěn)壓電源的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?
并聯(lián)直流穩(wěn)壓電源的優(yōu)缺點(diǎn)是什么? 并聯(lián)直流穩(wěn)壓電源是其中一類比較常見的直流電源,由于其具有一定的優(yōu)缺點(diǎn),在實(shí)際工程應(yīng)用中,需要根據(jù)實(shí)際需求來(lái)進(jìn)行選擇。下...
2023-08-18 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器晶體管電源系統(tǒng) 4.3k 0
電壓放大器是一種提高信號(hào)電壓的裝置。對(duì)于微弱信號(hào),通常采用多級(jí)放大,級(jí)聯(lián)法分為直接耦合法、電阻電容耦合法和變壓器耦合法,它們要求放大倍數(shù)高、頻率響應(yīng)平坦...
晶體管輸出和繼電器輸出的優(yōu)缺點(diǎn) 晶體管輸出和繼電器輸出是兩種常見的輸出方式,它們都有它們自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。在不同的電路方案中,選擇適當(dāng)?shù)妮敵龇绞娇蓭椭?..
你的fpga為啥不能正常工作讓我們拆解第一款FPGA芯片分析原理
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)可以實(shí)現(xiàn)任意數(shù)字邏輯,從微處理器到視頻生成器或加密礦機(jī),一應(yīng)俱全。FPGA由許多邏輯模塊組成,每個(gè)邏輯模塊通常由觸發(fā)器和邏輯...
北斗衛(wèi)星時(shí)鐘如何調(diào)整時(shí)間?
北斗衛(wèi)星是我國(guó)自主研發(fā)的導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng),它廣泛應(yīng)用于民用和軍事領(lǐng)域。作為其重要組成部分之一的北斗衛(wèi)星時(shí)鐘,時(shí)刻都需要被嚴(yán)格校準(zhǔn)。那么,北斗衛(wèi)星時(shí)鐘是如何被...
如何盡可能高效地利用太陽(yáng)能,光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。
為什么源極退化電阻會(huì)使共源級(jí)的增益變小呢?
為什么源極退化電阻會(huì)使共源級(jí)的增益變小呢?? 共源級(jí)放大電路是最常用的放大電路之一,其具有簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)、高輸入電阻、低輸出阻抗等優(yōu)點(diǎn)。其常用的場(chǎng)合,如...
晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實(shí)例
晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,能夠?qū)﹄娏鬟M(jìn)行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。PN結(jié)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成...
世界第一的芯片性能強(qiáng)悍,40萬(wàn)核心1.2萬(wàn)億晶體管
今年9月份,半導(dǎo)體企業(yè)Cerebras Systems發(fā)布的世界最大芯片“WSE”震撼行業(yè),臺(tái)積電16nm工藝制造的它擁有46225平方毫米面積、1.2...
晶體管:后FinFET時(shí)代的技術(shù)演進(jìn)
? ? FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是,隨著器件的持續(xù)微縮,短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中,IMEC的3D混合微縮...
MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導(dǎo)體 (semiconductor) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬 — 絕緣體 (ins...
什么是igbt短路測(cè)試?igbt短路測(cè)試平臺(tái)
什么是igbt短路測(cè)試?igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor...
隨著先進(jìn)工藝一步步向高端邁進(jìn),芯片制造商持續(xù)在最新工藝節(jié)點(diǎn)的晶體管制造技術(shù)上取得進(jìn)步,但互連技術(shù)似乎跟不上先進(jìn)工藝的步伐。 芯片行業(yè)正在研究幾種新的技術(shù)...
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