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柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。

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柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)

柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源注意事項(xiàng)

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)...

2022-10-11 標(biāo)簽：晶體管 FET GaN 1.7k 0

?DRV8353M 100V三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8353M系列器件是高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于三相無刷直流（BLDC）電機(jī)應(yīng)用。這些應(yīng)用包括 BLDC 電機(jī)的磁場定向控制（FOC）、正弦...

2025-10-15 標(biāo)簽：放大器 BLDC 降壓穩(wěn)壓器 1.7k 0

使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)

氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì)；電動(dòng)汽車充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...

2022-07-29 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0

UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊

UCC5714x 是一款單通道、高性能、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC5714x 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...

2025-09-25 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)IGBT 1.7k 0

電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 1.7k 0

IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能

BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關(guān)斷電路，當(dāng)LVIC的Tj達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí)，熱關(guān)斷電路將啟...

2025-03-06 標(biāo)簽：IGBT IPM 柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0

速騰速騰RS-Helios的拆解案例分析

激光雷達(dá)里面還有一個(gè)數(shù)字適配器板，主要包含包含ST的MCU，可用作激光雷達(dá)的連接和電源管理。主要元器件包括On Semiconductor的穩(wěn)壓器、Di...

2022-07-21 標(biāo)簽：LDO穩(wěn)壓器激光雷達(dá)柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0

德州儀器白皮書：GaN將能源效率推升至新高度

GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過去，這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而，隨著整個(gè)行業(yè)制造工藝的改進(jìn)和采用率的增加，挑戰(zhàn)逐漸集中到實(shí)施和系統(tǒng)設(shè)計(jì)上

2020-08-04 標(biāo)簽：德州儀器 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0

ADUM6132集成隔離高端電源的隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊

ADuM6132是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用ADI公司iCoupler ^?^ 技術(shù)，提供集成275 mW高端電源的隔離式高端驅(qū)動(dòng)器。該電源由內(nèi)部隔...

2025-06-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 iCoupler 1.7k 0

onsemi NCP51313高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器：高效電源設(shè)計(jì)的理想之選

在當(dāng)今追求高效和緊湊的電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。onsemi的NCP51313高側(cè)驅(qū)動(dòng)器憑借其出色的特性，成為了DC - DC電源和逆變器...

2025-12-01 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0

UCC27735 700V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，適用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)...

2025-10-10 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 灌電流 1.7k 0

UCC21520-Q1 具有雙輸入、禁用、死區(qū)時(shí)間的汽車類 4A、6A、5.7kVRMS 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC21520-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、I...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 峰值電流灌電流 1.7k 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 寄生電容 1.7k 0

DRV8353R三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV835x 系列器件是高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于三相無刷直流（BLDC）電機(jī)應(yīng)用。這些應(yīng)用包括 BLDC 電機(jī)的磁場定向控制（FOC）、正弦...

2025-10-16 標(biāo)簽：放大器控制器電機(jī)控制 1.7k 0

?DRV3233-Q1 汽車級三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)文檔總結(jié)

DRV3233-Q1 是一款集成式智能柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 12V 和 24V 汽車三相 BLDC 應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)...

2025-10-11 標(biāo)簽：MOSFET BLDC 驅(qū)動(dòng)芯片 1.7k 0

固態(tài)繼電器方案的功能優(yōu)勢及應(yīng)用

Littelfuse IXYS 固態(tài)繼電器屬于業(yè)內(nèi)最廣泛的繼電器產(chǎn)品系列，這些器件使用分立的半導(dǎo)體元件和獲得專利的 OptoMOS 架構(gòu)，能夠以緊湊的設(shè)...

2022-07-29 標(biāo)簽：固態(tài)繼電器 Littelfuse 柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0

ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊

ADuM4135是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專門針對驅(qū)動(dòng)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入信號...

2025-06-04 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0

LM5030系列 100V 推挽電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊

LM5030 高壓 PWM 控制器包含實(shí)現(xiàn)所需的所有特性推挽式和橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用電流模式控制，采用小型 10 引腳封裝。此設(shè)備提供兩個(gè)交替的柵極...

2025-04-03 標(biāo)簽：放大器振蕩器電流模式 1.7k 0

?UCC2773x 高邊/低邊柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要

UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接...

2025-10-10 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 灌電流 1.6k 0

UCC57102Z 具有DESAT和故障靜音功能的低側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC57102Z 是一款單通道、高性能低側(cè) IGBT/SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于高功率汽車應(yīng)用，如 PTC 加熱器、牽引逆變器有源放電電路和其他輔助子...

2025-05-15 標(biāo)簽：逆變器 UVLO 加熱器 1.6k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超級本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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