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柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。

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柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)

德州儀器UCC27614EVM評(píng)估模塊技術(shù)解析

Texas Instruments UCC27614EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于評(píng)估UCC27614 30V、10A單通道2×2柵極驅(qū)動(dòng)器...

2025-09-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊柵極驅(qū)動(dòng)器 954 0

Texas Instruments UCC5710x/UCC5710x-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC5710x/UCC5710x-Q1高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是單通道、高性能、低側(cè)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于P...

2025-07-25 標(biāo)簽：單通道 PTC 高性能 954 0

TPS2829 2A/2A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，帶 40V VDD數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS28xx 單通道高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器能夠向高電容負(fù)載提供高達(dá) 2A 的峰值電流。高開(kāi)關(guān)速度（t~r~和 t ~f~ = 14 ns（典型值...

2025-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 BiCMOS 953 0

LM5111系列具有高電平或低電平有效輸出 4V UVLO 的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5111 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器以更高的峰值輸出電流和效率取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)*復(fù)合*輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)都包括并聯(lián)工作的 MOS 和雙極晶體管，它們共...

2025-05-21 標(biāo)簽：封裝輸出電流峰值電流 952 0

Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1半橋驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用半橋或同步降壓配置的兩個(gè)N...

2025-07-25 標(biāo)簽：同步降壓半橋驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 951 0

UCC27516和UCC27517單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)解析

UCC27516和UCC27517單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)解析在電子工程領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵部件。TI公...

2026-01-11 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)器 UCC27516 UCC27517 951 0

UCC21540A 5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 GaN 950 0

?DRV3245Q-Q1汽車級(jí)三相柵極驅(qū)動(dòng)單元（GDU）技術(shù)文檔總結(jié)

DRV3245Q-Q1 器件是一款用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC，根據(jù) ISO 26262 功能安全應(yīng)用的適用要求進(jìn)行設(shè)計(jì)。該器件提供...

2025-10-16 標(biāo)簽：放大器 MOSFET FET 950 0

ISO5851 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5851 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 IGBT 和 MOSFET，具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...

2025-05-19 標(biāo)簽：CMOS MOSFET IGBT 947 0

?DRV8329 三相無(wú)刷電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)...

2025-10-13 標(biāo)簽：電源 MOSFET 灌電流 947 0

UCD7232 數(shù)字控制兼容型同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)器，具有電流檢測(cè)和故障保護(hù)功能技術(shù)資料

UCD7232 大電流驅(qū)動(dòng)器專為數(shù)字控制、負(fù)載點(diǎn)、同步降壓開(kāi)關(guān)電源而設(shè)計(jì)。兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路為高側(cè)提供高充電和放電電流同步降壓電路中的 NMOS 開(kāi)關(guān)和低側(cè)...

2025-03-27 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源電流驅(qū)動(dòng)器同步整流器 945 0

TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：ldo FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 945 0

TPS51611 用于IMVP6.5? CPU/GPU vcore 的單相 D-CAP+ ? 模式降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51611 是一款完全符合 IMVP-6.5 標(biāo)準(zhǔn)的單相同步降壓控制器，帶有集成柵極驅(qū)動(dòng)器。D-CAP+ ? 架構(gòu)和 OSR 過(guò)沖減少等高級(jí)控制功...

2025-03-31 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電容同步降壓控制器 944 0

UCC21220A 3.0kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它們?cè)O(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) PFC、...

2025-05-19 標(biāo)簽：PFC 拉電流灌電流 942 0

UCC2752x系列雙通道低側(cè)高速柵極驅(qū)動(dòng)器：設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

UCC2752x系列雙通道低側(cè)高速柵極驅(qū)動(dòng)器：設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高速開(kāi)關(guān)電源電路對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器的性能要求越來(lái)越高。德州儀器（TI）的U...

2026-01-11 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)器高速開(kāi)關(guān)電源 UCC2752x 942 0

?DRV3256-Q1 三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV3256-Q1 系列器件是高度集成的三相柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 48V 汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。這些器件經(jīng)過(guò)專門(mén)設(shè)計(jì)，通過(guò)提供 2A 峰值源極和 2.5A ...

2025-10-13 標(biāo)簽：MOSFET PWM 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 939 0

?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與設(shè)計(jì)指南

STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN，高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...

2025-10-15 標(biāo)簽：半橋 N溝道 GaN 939 0

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 3A、2A 或 1A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM25101 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。A 版本提供完整的 3A 柵極驅(qū)動(dòng)，而 B ...

2025-05-20 標(biāo)簽：電容器 MOSFET TTL 938 0

UCC27624-Q1 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的汽車級(jí) 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源開(kāi)關(guān) 936 0

LM5019系列 7.5-100V 寬輸入電壓、100mA 恒定導(dǎo)通時(shí)間同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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