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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動
什么是柵極驅(qū)動,說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動,柵極用PWM方波驅(qū)動,但是會形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計(jì) 4k 0
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...
1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動器可靠、安全地驅(qū)動 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGB...
igbt柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動條件對IGBT的...
電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動功率器件氮化鎵 3k 0
IGBT模塊/IPM的安全運(yùn)行設(shè)計(jì)方案
由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動電路和保護(hù)電路可以對超出IGBT 安全工作區(qū)的運(yùn)行模式加以保護(hù)以免...
并聯(lián)MOSFET可實(shí)現(xiàn)高功率設(shè)計(jì)(如交錯式升壓轉(zhuǎn)換器),并且可以在多個級別完成。在為并聯(lián)MOSFET實(shí)現(xiàn)驅(qū)動器時,其柵極不應(yīng)直接連接在一起,而應(yīng)將柵極電...
PFC拓?fù)淅霉鐼OSFET的模塊化柵極驅(qū)動方法
本文介紹了一種多級圖騰柱PFC拓?fù)?,該拓?fù)淅霉鐼OSFET的簡單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動方法,實(shí)現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比,通...
MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)指南
驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實(shí)現(xiàn),因?yàn)檩斎腚妷翰粫饔玫竭@些電路上。
柵極驅(qū)動芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電流場效應(yīng)晶體管 2.3k 0
適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢,為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵...
MOSFET柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)電路案例分析
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
光電隔離柵極驅(qū)動器的CMTI額定值僅為35 V/ns至50 V/ns,這限制了功率FET的切換速度。這導(dǎo)致功率FET的功耗更高、效率更低、尺寸更大、系統(tǒng)...
柵極驅(qū)動芯片選型時考慮低功耗的原因主要有以下幾點(diǎn): 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動芯片能夠顯著降低整個系統(tǒng)的待機(jī)功耗,這對于需要長時間運(yùn)行的電子設(shè)...
獨(dú)特的柵極驅(qū)動應(yīng)用支持高功率放大器快速開啟/關(guān)閉
通過漏極控制開關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個串聯(lián)FET開啟輸入HPA的高電壓??刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。
MOSFET柵極驅(qū)動電路應(yīng)用設(shè)計(jì)
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間...
集成Cortex-M0內(nèi)核的車規(guī)級MCU概述
LCA037BT(K)32EU8 是集成 Cortex-M0 內(nèi)核的車規(guī)級 MCU,面向電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域,集成了三相半橋柵極驅(qū)動模塊
如何通過實(shí)時可變柵極驅(qū)動強(qiáng)度提高SiC牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時可變柵極驅(qū)動強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢,這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù),例如效率(影響電動汽車行駛里程)和 SiC過沖(影響可靠性)。
利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
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