柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極技術(shù)

一文詳解場效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。

2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 JFET 4.4k 0

消除與漏極開關(guān)有關(guān)的電路

通過漏極控制開關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個串聯(lián)FET開啟輸入HPA的高電壓?？刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。

2020-05-29 標(biāo)簽：放大器電平柵極 4.2k 0

MOSFET三種放大電路類型的區(qū)分

MOSFET有三個極，柵極、源級和漏極，由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種，共源級放大電路，共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中，共源級放大電路用的...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 放大電路跟隨器 4.2k 0

結(jié)型場效應(yīng)晶體管的工作原理和特性

結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其工作原理和特...

2024-10-07 標(biāo)簽：JFET 柵極場效應(yīng)晶體管 4.1k 0

VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開啟，電流在溝道內(nèi)...

2024-10-08 標(biāo)簽：二極管 VDMOS 柵極 4.1k 0

IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計

前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。

2023-04-06 標(biāo)簽：IGBT 柵極驅(qū)動設(shè)計 4k 0

哪種會影響柵極泄漏和動態(tài)功率密度

大量的新節(jié)點、半節(jié)點，以及在兩者之間的每一個數(shù)字的產(chǎn)生正在芯片制造商之造成混淆。雖然大多數(shù)人認(rèn)為有選擇是好事，但大家并不清楚哪個或哪些選擇是上策。該IP...

2018-03-13 標(biāo)簽：柵極擴(kuò)展器 3.8k 0

MOS管的相關(guān)參數(shù)

MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。

2023-09-27 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)柵極 3.8k 0

電子管柵極電流和燈絲電壓的關(guān)系

電子管是一種早期的電子器件，它利用熱發(fā)射電子來控制電流的流動。電子管主要由陰極、柵極、屏極和板極組成。在電子管中，柵極電流和燈絲電壓是兩個重要的參數(shù)，它...

2024-09-24 標(biāo)簽：電流電壓柵極 3.8k 0

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 封裝柵極 3.8k 0

MOSFET柵極驅(qū)動電路應(yīng)用說明

最近看到一個東芝的MOSFET的文檔，看了下，還不錯，就把內(nèi)容復(fù)制出來了，分享給大家看下。

2023-02-20 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管柵極 3.8k 0

一文詳解正電壓浪涌的對策和效果

作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。本文將會通過示例來探討正電壓浪涌的對策和其效果。

2022-03-29 標(biāo)簽：柵極浪涌電壓浪涌 3.8k 0

7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

2023-12-15 標(biāo)簽：電路 MOSFET 柵極 3.7k 0

電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...

2021-07-04 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動 IGBT 柵極 3.6k 0

簡單認(rèn)識功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點

　　功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻 MOSFET 場效應(yīng)管 3.6k 0

晶體管柵極結(jié)構(gòu)形成

柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例...

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片晶體管柵極 3.6k 0

GAAFET，是什么技術(shù)？

2023-12-04 標(biāo)簽：eda 柵極 GAAFET 3.5k 0

薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

導(dǎo)語薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶...

2025-05-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造技術(shù)柵極 3.4k 0

自對準(zhǔn)硅化物工藝詳解

源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電...

2025-05-28 標(biāo)簽：CMOS 工藝柵極 3.3k 0

MOSFET特性參數(shù)詳解

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2023-03-20 標(biāo)簽：MOSFET 封裝參數(shù) 3.3k 0

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