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標簽 > 柵極
柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極,起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別?這兩種元件本身就可以看作一個基本單元,一個獨立的器件,就算拆開外殼,用肉眼也找不出什么差別,從工作原理上理解又謷牙詰...
五極管的簾柵極既不等同于陽極,也不等同于陰極,它是五極管特有的一個電極,具有獨特的功能和作用。 五極管主要由屏極、抑制柵極、控制柵極、簾柵極和陰極五個電...
氣體傳感是航空航天、軍事、醫(yī)療以及工業(yè)環(huán)境等應(yīng)用的一個重要研究領(lǐng)域,它有助于預(yù)防有毒有害氣體對人類健康和環(huán)境造成的風(fēng)險。在家庭和工業(yè)環(huán)境中,丙烷和丁烷通...
2023-11-14 標簽:氣體傳感器柵極場效應(yīng)晶體管 1.7k 0
超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動參數(shù)對開關(guān)特性有什么影響
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性,因此,它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動電阻的控制,但是,并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)...
英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統(tǒng)性能(上)
本文介紹了針對電機驅(qū)動進行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標準技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可...
迄今為止,Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導(dǎo)體電子器件設(shè)計等重要研究課題中,并將逐步推...
用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,尤其是那些部署在偏遠地區(qū)并由電池...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行解說。
由具有相對扭轉(zhuǎn)角的原子級薄范德瓦爾斯晶體堆積形成的莫爾圖案可以引起顯著的新的物理性質(zhì)。迄今為止,對莫爾材料的研究僅限于由不超過幾個范德瓦爾斯片組成的結(jié)構(gòu)...
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
逆變器帶載柵極波型的原因是一個復(fù)雜的問題,涉及到多個方面的因素。 逆變器的工作原理和結(jié)構(gòu) 逆變器是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備,廣泛應(yīng)用于...
逆變器帶載柵極波型的原因是一個復(fù)雜的問題,涉及到多個方面的因素。 逆變器的工作原理和結(jié)構(gòu) 逆變器是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備。它的主要功...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極-源極間電壓的動作
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時的動作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作:下面是表示L...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關(guān)導(dǎo)通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中,簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOS...
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上P下N,以及上N下P。其原理圖如下所示,
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹,這也是這個主題的前提。
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