閃測儀案例丨輪廓+高度測量，這個(gè)組合更有性價(jià)比！

光子精密推出了QM系列閃測儀?+?CD-5000系列光譜共焦位移傳感器的組合，以高性價(jià)比的解決方案，滿足用戶的多重測量需求。 這一方案既能助用戶精準(zhǔn)完成...

2025-07-23 標(biāo)簽：測量影像測量儀閃測儀 793 0

半導(dǎo)體薄膜厚度測量丨基于光學(xué)反射率的厚度測量技術(shù)

在半導(dǎo)體制造中，薄膜的沉積和生長是關(guān)鍵步驟。薄膜的厚度需要精確控制，因?yàn)楹穸绕顣?huì)導(dǎo)致不同的電氣特性。傳統(tǒng)的厚度測量依賴于模擬預(yù)測或后處理設(shè)備，無法實(shí)時(shí)...

2025-07-22 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體測量 2.3k 0

半導(dǎo)體膜厚測量丨光譜反射法基于直接相位提取的膜厚測量技術(shù)

在現(xiàn)代半導(dǎo)體和顯示面板制造中，薄膜厚度的精確測量是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)方法如掃描電子顯微鏡（SEM）雖可靠，但無法用于在線檢測；橢圓偏振儀和光譜...

2025-07-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體測量光譜 1.8k 0

DLC薄膜厚度可精準(zhǔn)調(diào)控其結(jié)構(gòu)顏色，耐久性和環(huán)保性協(xié)同提升

類金剛石碳（DLC）薄膜因高硬度、耐磨損特性，廣泛應(yīng)用于刀具、模具等工業(yè)領(lǐng)域，其傳統(tǒng)顏色為黑色或灰色。近期，日本研究團(tuán)隊(duì)通過等離子體化學(xué)氣相沉積（CVD...

2025-07-22 標(biāo)簽：薄膜測量 1.7k 0

橢偏儀測量薄膜厚度的原理與應(yīng)用

在半導(dǎo)體、光學(xué)鍍膜及新能源材料等領(lǐng)域，精確測量薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)是材料表征的關(guān)鍵步驟。Flexfilm光譜橢偏儀（SpectroscopicEllips...

2025-07-22 標(biāo)簽：測量薄膜厚度 2.8k 0

聚焦位置對光譜橢偏儀膜厚測量精度的影響

在半導(dǎo)體芯片制造中，薄膜厚度的精確測量是確保器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入納米級，單顆芯片上可能需要堆疊上百層薄膜，且每層厚度僅幾納米至幾十納米。...

2025-07-22 標(biāo)簽：測量光譜 1.2k 0

薄膜厚度測量技術(shù)的綜述：從光譜反射法（SR）到光譜橢偏儀（SE）

薄膜在半導(dǎo)體、顯示和二次電池等高科技產(chǎn)業(yè)中被廣泛使用，其厚度通常小于一微米。對于這些薄膜厚度的精確測量對于質(zhì)量控制至關(guān)重要。然而，能夠測量薄膜厚度的技術(shù)...

2025-07-22 標(biāo)簽：薄膜測量光譜 2.9k 0

基于像散光學(xué)輪廓儀與單點(diǎn)膜厚技術(shù)測量透明薄膜厚度

透明薄膜在生物醫(yī)學(xué)、半導(dǎo)體及光學(xué)器件等領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用，其厚度與光學(xué)特性直接影響器件性能。傳統(tǒng)接觸式測量方法（如觸針輪廓儀）易損傷樣品，而非接觸式光學(xué)...

2025-07-22 標(biāo)簽：測量光學(xué)器件表面輪廓儀 1.1k 0

大面積薄膜光學(xué)映射與成像技術(shù)綜述：全光譜橢偏技術(shù)

在微電子制造與光伏產(chǎn)業(yè)中，大面積薄膜的均勻性與質(zhì)量直接影響產(chǎn)品性能。傳統(tǒng)薄膜表征方法（如濺射深度剖析、橫截面顯微鏡觀察）雖能提供高精度數(shù)據(jù)，但測量范圍有...

2025-07-22 標(biāo)簽：測量薄膜光伏 1.7k 0

白光色散干涉：實(shí)現(xiàn)薄膜表面輪廓和膜厚的高精度測量

薄膜結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于微電子器件、光學(xué)涂層、傳感器等領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，對薄膜結(jié)構(gòu)的檢測精度和效率提出了更高...

2025-07-22 標(biāo)簽：測量表面輪廓儀 2k 0

臺階高度的測量標(biāo)準(zhǔn)丨在臺階儀校準(zhǔn)下半導(dǎo)體金屬鍍層實(shí)現(xiàn)測量誤差<1%

在半導(dǎo)體芯片制造過程中，臺階結(jié)構(gòu)的精確測量至關(guān)重要，通常采用白光干涉儀或步進(jìn)儀等非接觸式測量設(shè)備進(jìn)行監(jiān)控。然而，SiO?/Si臺階高度標(biāo)準(zhǔn)在測量中存在的...

2025-07-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體測量 1k 0

薄膜質(zhì)量關(guān)鍵 |?半導(dǎo)體/顯示器件制造中薄膜厚度測量新方案

在半導(dǎo)體和顯示器件制造中，薄膜與基底的厚度精度直接影響器件性能。現(xiàn)有的測量技術(shù)包括光譜橢偏儀（SE）和光譜反射儀（SR）用于薄膜厚度的測量，以及低相干干...

2025-07-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體測量顯示器件 1.8k 0

觸針式輪廓儀 | 臺階儀 | 納米級多臺階高度的精準(zhǔn)測量

臺階高度作為納米結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)，其測量精度直接影響相關(guān)研究與應(yīng)用。本文利用觸針式輪廓儀對三臺階高度樣品進(jìn)行測量與表征的方法。原始測量數(shù)據(jù)通過多項(xiàng)式擬合與...

2025-07-22 標(biāo)簽：高精度測量表面輪廓儀 948 0

液態(tài)金屬接觸電阻精確測量：傳輸線法（TLM）的新探索

液態(tài)金屬（如galinstan）因高導(dǎo)電性、可拉伸性及生物相容性，在柔性電子領(lǐng)域備受關(guān)注。然而，其與金屬電極間的接觸電阻（Rc）測量存在挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)傳輸線...

2025-07-22 標(biāo)簽：測量接觸電阻TLM 1.8k 0

臺階儀在3D打印中的應(yīng)用：精確測量物體表面粗糙度

增材制造（AM）技術(shù)通過逐層堆積材料實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)成型，但3D打印表面質(zhì)量存在層厚均勻性和組裝方式導(dǎo)致的臺階效應(yīng)問題，表面粗糙度直接影響機(jī)械性能與功能可靠...

2025-07-22 標(biāo)簽：測量3D打印 936 0

橢偏儀原理和應(yīng)用 | 精準(zhǔn)測量不同基底光學(xué)薄膜TiO?/SiO?的光學(xué)常數(shù)

橢偏儀作為表征光學(xué)薄膜性能的核心工具，在光學(xué)薄膜領(lǐng)域具有不可替代的作用。本研究聚焦基底類型（K9玻璃、石英玻璃、單晶硅）對溶膠-凝膠法制備的TiO?和S...

2025-07-22 標(biāo)簽：測量儀器 1.8k 0

臺階儀在Micro LED巨量轉(zhuǎn)移中的應(yīng)用 | 測量PDMS微柱尺寸提升良率

微型發(fā)光二極管Micro-LED顯示技術(shù)是一種新興技術(shù)。它在可穿戴設(shè)備、虛擬現(xiàn)實(shí)、手機(jī)，微投影顯示器等便攜式應(yīng)用中具有巨大的潛力。本研究聚焦Micro-...

2025-07-22 標(biāo)簽：二極管測量Micro LED 828 0

全光譜橢偏儀測量：金屬/半導(dǎo)體TMDs薄膜光學(xué)常數(shù)與高折射率特性

過渡金屬二硫族化合物（TMDs）因其獨(dú)特的激子效應(yīng)、高折射率和顯著的光學(xué)各向異性，在納米光子學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。本研究采用Flexfilm全光譜橢偏儀...

2025-07-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體測量TMDS 1.3k 0

芯片制造中高精度膜厚測量與校準(zhǔn)：基于紅外干涉技術(shù)的新方法

在先進(jìn)光學(xué)、微電子和材料科學(xué)等領(lǐng)域，透明薄膜作為關(guān)鍵工業(yè)組件，其亞微米級厚度的快速穩(wěn)定測量至關(guān)重要。芯片制造中，薄膜襯底的厚度直接影響芯片的性能、可靠性...

2025-07-21 標(biāo)簽：芯片制造測量 3.2k 0

芯片制造中的膜厚檢測 | 多層膜厚及表面輪廓的高精度測量

隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和人工智能(AI)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體器件微型化，對多層膜結(jié)構(gòu)的三維無損檢測需求急劇增長。傳統(tǒng)橢偏儀僅支持逐點(diǎn)膜厚測量，而白光干涉法等技術(shù)難...

2025-07-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造測量 1.1k 0