IAR為瑞薩RA8系列MCU開發(fā)提供支持

嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者IAR今日宣布，其最新發(fā)布的IAR Embedded Workbench for Arm 9.40.2版本中無縫集成了對...

2023-11-02 標(biāo)簽：mcu嵌入式瑞薩 2k 0

媒體聚焦 | 瑞薩電子賴長青：用彈性供應(yīng)體系面對汽車芯片需求增長期

導(dǎo)讀 歲末年初之際，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2023半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到數(shù)十位國內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次，電子發(fā)燒友特別采訪了瑞薩電...

2023-01-12 標(biāo)簽：瑞薩 2k 0

解決方案 | PCIe非易失性存儲器 Express（NVMe）固態(tài)硬盤

隨著需求的變化和技術(shù)的迭代，固態(tài)硬盤在接口、協(xié)議和形態(tài)上都出現(xiàn)了很多新發(fā)展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的PCIe非易失性存儲器...

2023-03-30 標(biāo)簽：瑞薩 2k 0

工業(yè)4.0下的工業(yè)網(wǎng)絡(luò)通訊

通過互聯(lián)的工業(yè)設(shè)備和增強(qiáng)的計(jì)算，工業(yè)4.0使利益相關(guān)者能夠優(yōu)化設(shè)施和提高生產(chǎn)力。第四次工業(yè)革命是指由于互聯(lián)和智能自動化引發(fā)21世紀(jì)技術(shù)、工業(yè)、社會模式和...

2023-03-10 標(biāo)簽：mcu瑞薩 2k 0

工程師說 | 使用RX單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電源控制的示例

作為使用RX單片機(jī)進(jìn)行逆變器控制的應(yīng)用，以UPS為例對基于MCU的電源控制可行性進(jìn)行介紹。 RX-T系列主要應(yīng)用于空調(diào)室外機(jī)和工業(yè)逆變器，在逆變器控制領(lǐng)...

2023-01-19 標(biāo)簽：瑞薩 2k 0

瑞薩擴(kuò)展RX63T Group MCU產(chǎn)品 擴(kuò)充其內(nèi)建功能

近日，瑞薩電子宣布擴(kuò)展RX63T Group微控制器系列產(chǎn)品。新款RX63T MCU擁有更多腳位數(shù)及更大的記憶體容量，并擴(kuò)充其內(nèi)建的功能，例如USB 2...

2012-12-06 標(biāo)簽：MCU瑞薩解決方案 2k 0

媒體聚焦 | 扎根中國，瑞薩電子MCU多路出擊

即使已經(jīng)在MCU市場擁有了很強(qiáng)的號召力，但擁有遠(yuǎn)大理想的全球半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子并沒有停下他們的發(fā)展腳步。 據(jù) 瑞薩電子物聯(lián)網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施事業(yè)本部 MCU事...

2023-04-07 標(biāo)簽：瑞薩 2k 0

瑞薩邀您相約elexcon 2025深圳國際電子展

2025年8月26日至28日，瑞薩嵌入式MCU/MPU生態(tài)專區(qū)將亮相elexcon 2025——深圳國際電子展。屆時，將攜多家合作伙伴展示工業(yè)、AI等方...

2025-08-18 標(biāo)簽：mcu嵌入式瑞薩 2k 0

喜報 | 瑞薩電子R-Car V4H SoC榮獲2022年度中國人工智能大會“最具創(chuàng)新價值產(chǎn)品”獎

前 言 在瑞薩電子過去發(fā)布的為智能和自動駕駛設(shè)計(jì)的產(chǎn)品中，已量產(chǎn)的R-Car V3H和V3M得到了眾多客戶的積極反饋，而隨著R-Car V4H問世，這款...

2022-11-11 標(biāo)簽：瑞薩 1.9k 0

瑞薩最新產(chǎn)品G－SHOCK手表

RE融合了控制器的高性能及由SOTBTM技術(shù)帶來的超低功耗，實(shí)現(xiàn)多功能和易用性 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣...

2020-03-21 標(biāo)簽：gps瑞薩主控制器 1.9k 0

最小導(dǎo)通電阻！瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。

2012-04-13 標(biāo)簽：MOSFET瑞薩導(dǎo)通電阻 1.9k 0