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標(biāo)簽 > 電磁干擾

電磁干擾

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電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)是干擾電纜信號(hào)并降低信號(hào)完好性的電子噪音,EMI通常由電磁輻射發(fā)生源如馬達(dá)和機(jī)器產(chǎn)生。電磁干擾是人們?cè)缇桶l(fā)現(xiàn)的電磁現(xiàn)象,它幾乎和電磁效應(yīng)的現(xiàn)象同時(shí)被發(fā)現(xiàn),1981年英國(guó)科學(xué)家發(fā)表“論干擾”的文章,標(biāo)志著研究干擾問(wèn)題的開始。

文章:2157個(gè) 瀏覽:108112 帖子:352個(gè)

電磁干擾技術(shù)

功率開關(guān)器件如何處理電磁干擾的抑制

DC/DC變換器在電動(dòng)汽車上的基本功能是將動(dòng)力電池提供的高壓直流電源變換成適合車載低壓電氣設(shè)備使用的電壓等級(jí)。

2022-09-26 標(biāo)簽:DCDC變換器功率開關(guān)電磁干擾 1.5k 0

開關(guān)電源的電磁干擾測(cè)試方案

電源產(chǎn)品在做驗(yàn)證時(shí),經(jīng)常會(huì)遭遇到電磁干擾(EMI)的問(wèn)題,有時(shí)處理起來(lái)需花費(fèi)非常多的時(shí)間,許多工程師在對(duì)策電磁干擾時(shí)也是經(jīng)驗(yàn)重于理論,知道哪個(gè)頻段要對(duì)策...

2022-09-26 標(biāo)簽:開關(guān)電源emi電磁干擾 1.9k 0

晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)的可靠性管理

5D 封裝和 3D 封裝是兩種常用的晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)。2. 5D 封裝是將芯片封裝到 Si 中介層上,并利用 Si 中介層上的高密度走線進(jìn)行互連。

2022-09-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 2.1k 0

如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉

一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。

2022-09-15 標(biāo)簽:電磁干擾寄生電感 7k 0

解決EMI問(wèn)題的實(shí)用技巧

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在世界各地,幾乎所有的政府都試圖控制來(lái)自其國(guó)家生產(chǎn)的電子產(chǎn)品的有害電磁干擾(EMI)(見圖1)。非常具體的規(guī)則和法規(guī)涵蓋了電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì),以便為用戶提供...

2022-09-08 標(biāo)簽:示波器emi電磁干擾 5k 0

PCB設(shè)計(jì)中為什么會(huì)出現(xiàn)死銅

具體來(lái)說(shuō)就是這個(gè)孤島在這里形成一個(gè)天線的效應(yīng),如果周圍的走線輻射強(qiáng)度大,會(huì)增強(qiáng)周圍的輻射強(qiáng)度;并且會(huì)形成天線的接受效應(yīng),會(huì)對(duì)周圍走線引入電磁干擾。

2022-09-08 標(biāo)簽:pcbemi電磁干擾 2.1k 0

雷達(dá)電路的電磁干擾和EMC設(shè)計(jì)全面剖析

現(xiàn)代雷達(dá)對(duì)信號(hào)頻譜質(zhì)量的要求越來(lái)越高,并要求雷達(dá)能在惡劣的電磁干擾環(huán)境中可靠工作,這就對(duì)雷達(dá)電路系統(tǒng)的抗電磁干擾能力和電磁兼容設(shè)計(jì)提出了更高的要求。由于...

2022-08-29 標(biāo)簽:雷達(dá)電磁干擾EMC設(shè)計(jì) 1.9k 0

差分信號(hào)與單端信號(hào)的基本區(qū)別

單端信號(hào)單端信號(hào)是相對(duì)于差分信號(hào)而言的,單端輸入指信號(hào)有一個(gè)參考端和一個(gè)信號(hào)端構(gòu)成,參考端一般為地端。

2022-08-23 標(biāo)簽:電磁干擾差分信號(hào)單端信號(hào) 1.5萬(wàn) 0

什么是電隔離?USB 電源隔離解決方案

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電容隔離技術(shù)的一個(gè)很好的例子是 Texas Instruments 的 ISO7742 四通道數(shù)字隔離器,其隔離能力最高 5000 Vrms。

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14 位 ADC 使用一個(gè)內(nèi)部基準(zhǔn),所有電池單元輸出的轉(zhuǎn)換時(shí)間均為 2.4 ms。bq76PL455A 可監(jiān)測(cè)和檢測(cè)幾種不同的故障條件,包括過(guò)壓、欠壓、...

2022-08-19 標(biāo)簽:emi電磁干擾串聯(lián)電池 2.6k 0

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通過(guò)提取的S參數(shù),搭建鏈路,賦予模型,即搭建等效電路模型,就可以進(jìn)行時(shí)域分析,得到相關(guān)的仿真眼圖(眼高、眼寬、抖動(dòng)等),查看相關(guān)指標(biāo)??梢酝ㄟ^(guò)與測(cè)試的結(jié)...

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緩啟動(dòng)電路的工作原理和作用

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 與低功率設(shè)計(jì)一樣,三個(gè) IC 是該實(shí)施方案的核心。首先是 AL1788W6-7,這是一款初級(jí)側(cè)控制器,它支持降壓和和不需要要光耦合器的反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),...

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面對(duì)電磁輻射干擾,如何輕松進(jìn)行電子線路設(shè)計(jì)布局? 電磁環(huán)境包含輻射和傳導(dǎo)能量。EMC也包含輻射和敏感度兩方面。輻射是指產(chǎn)品不必要地產(chǎn)生電磁能量。為了打造...

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風(fēng)扇產(chǎn)生的電磁干擾 (EMI) 是一個(gè)重要的設(shè)計(jì)考慮因素,要在早期就考慮到。所有的風(fēng)扇都會(huì)產(chǎn)生來(lái)自風(fēng)扇本身的輻射 EMI 或來(lái)自電源線的傳導(dǎo) EMI。

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為開關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇合適的 MOSFET 或 IGBT 器件是設(shè)計(jì)過(guò)程中的一個(gè)重要步驟。此外,還要選擇相關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)器,用于控制開關(guān)器件在開和關(guān)的狀態(tài)之間...

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THM 60WI 系列的四分之一磚 DC/DC 轉(zhuǎn)換器包括 12 個(gè)型號(hào),輸入范圍為 9 至 36 VDC 或 18 至 75 VDC,提供的單輸出或雙...

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