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肖特基二極管

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肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。

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肖特基二極管技術(shù)

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SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

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SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

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2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 1.1k 0

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

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PCB布局挑戰(zhàn)——改進(jìn)您的開關(guān)模式電源設(shè)計

深入研究該項目，我們將檢查LM22678 5A 轉(zhuǎn)換器（圖 2）的 PCB 布局，其中V輸入為 12 V（未顯示），V輸出為 5 V。這是一個非同步降壓...

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P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正...

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深度解析肖特基二極管基本原理及設(shè)計

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車規(guī)碳化硅功率肖特基二極管簡述

在新能源汽車市場快速發(fā)展的背景下，車載功率半導(dǎo)體需求量激增，其中，碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開關(guān)頻率、更強的耐高溫及散熱能...

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碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢

碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；谔蓟璧男ぬ鼗O管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電...

2023-05-18 標(biāo)簽：電源模塊肖特基二極管充電樁 990 0

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2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 988 0

高溫環(huán)境下的MDD肖特基二極管設(shè)計：如何避免熱失效？

在高溫環(huán)境下，肖特基二極管（SchottkyDiode）以其低正向壓降和快速開關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動及新能源系統(tǒng)中。然而，由于其PN結(jié)被金...

2025-04-17 標(biāo)簽：PN結(jié)肖特基二極管 MDD 975 0

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2023-02-03 標(biāo)簽：肖特基二極管半導(dǎo)體材料 SiC 956 0

飛兆集成式FET模塊節(jié)省系統(tǒng)電路板空間

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肖特基二極管有什么特別之處

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2023-06-09 標(biāo)簽：二極管電源管理緩沖器 941 0

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