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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 1.2k 0
基于光電管并聯(lián)檢測(cè)車模通過測(cè)試方案
根據(jù)昨天實(shí)驗(yàn)結(jié)果,每個(gè)檢測(cè)模塊電路都是相同的。具有一進(jìn)一出兩個(gè)三芯接口。輸入的正向脈沖通過 肖特基二極管 D2 整流之后,儲(chǔ)能在 C10 電容上。這個(gè)電...
MDD肖特基二極管在光伏逆變器中的作用:如何提高能量轉(zhuǎn)換效率?
在光伏系統(tǒng)中,逆變器作為直流電轉(zhuǎn)交流電的核心設(shè)備,其效率直接影響整套光伏發(fā)電系統(tǒng)的產(chǎn)出效益。而作為逆變器電路中關(guān)鍵的整流與續(xù)流元件,MDD肖特基二極管(...
2025-04-16 標(biāo)簽:肖特基二極管光伏逆變器能量轉(zhuǎn)換 1.2k 0
如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中,過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器,以應(yīng)對(duì)長時(shí)間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌...
SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn),無...
探索 onsemi FGH4L50T65MQDC50 IGBT 的卓越性能
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天,我們就來深入探討 onsemi 推出的 FGH4L50T65MQDC50 IGBT,看看...
2025-12-04 標(biāo)簽:IGBT肖特基二極管開關(guān)損耗 1.2k 0
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 1.2k 0
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 1.2k 0
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
蘋果在2020年的秋季新聞發(fā)布上,突然宣布取消附贈(zèng)標(biāo)準(zhǔn)5V/1A手機(jī)適配器,這一變化催生了零部件市場(chǎng)大功率適配器需求的再次繁榮。
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 1.2k 0
SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 1.2k 0
一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)
同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
肖特基二極管整流器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
有限的反向電壓:由于其結(jié)構(gòu),肖特基二極管整流器具有有限的反向電壓能力。最大數(shù)字通常在 100 伏左右。如果器件的制造具有上述數(shù)字,則會(huì)發(fā)現(xiàn)正向電壓將上升...
瑞能硅基功率二極管產(chǎn)品系列及其應(yīng)用介紹
整流橋在電力電子拓?fù)渲械膽?yīng)用中,具備的特點(diǎn)包括:較低的導(dǎo)通壓降VF;反向恢復(fù)時(shí)間長;較強(qiáng)的浪涌能力。
?AFGBG70T65SQDC IGBT功率器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC N溝道場(chǎng)截止IV高速IGBT采用新型場(chǎng)截止第四代IGBT技術(shù)和第1.5代SiC肖特基二極管技術(shù)。...
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 1.1k 0
HMC-XTB110 無源x3倍頻器,24-30GHz輸入技術(shù)手冊(cè)
HMC-XTB110是一款單芯片x3無源倍頻器,采用GaAs肖特基二極管技術(shù),具有低轉(zhuǎn)換損耗和高度Fo隔離。 這款寬帶x3倍頻器無需直流電源,適用于低頻...
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。
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