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標(biāo)簽 > 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)的新技術(shù)宣布著國(guó)產(chǎn)第三代閃存的到來(lái)
紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-10-02 標(biāo)簽:閃存技術(shù)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布開(kāi)始量產(chǎn)三維閃存芯片
中國(guó)在科技領(lǐng)域起步晚,因此在眾多高新領(lǐng)域都落后主流國(guó)家,并且多項(xiàng)技術(shù)還被外國(guó)壟斷。但中國(guó)人一直明白厚積薄發(fā)的含義,我們積跬步,行千里,終于迎來(lái)了打破壟斷...
2019-09-23 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2k 0
中國(guó)量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)帶來(lái)什么影響
紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.6k 0
中國(guó)首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響
紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 標(biāo)簽:閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.3k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)新技術(shù)可輕松實(shí)現(xiàn)單盤(pán)1TB容量
在2019中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上,紫光集團(tuán)展出旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展,首次公開(kāi)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存,采用了Xstacking...
2019-09-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.7k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出第二代Xtacking 3D NAND存儲(chǔ)架構(gòu)
Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS(閃存技術(shù)峰會(huì))首次公開(kāi)的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于,采用Xta...
2019-09-06 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.9k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)高性能第三代閃存
紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-09-06 標(biāo)簽:長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存 2.3k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存
長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在...
2019-09-03 標(biāo)簽:閃存5G紫光集團(tuán) 1.9k 0
中國(guó)首款64層3DNAND閃存即將亮相 將推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展
2019年9月2日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在IC China 2019前夕宣布,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking...
2019-09-02 標(biāo)簽:閃存紫光集團(tuán)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.2k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存量產(chǎn)
9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)...
紫光64層晶圓正式亮相,距離世界領(lǐng)先水平該有多遠(yuǎn)?
在2019中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上,紫光集團(tuán)首次公開(kāi)展示了長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND Flash Wafer。據(jù)存儲(chǔ)在線報(bào)道稱,這是紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出...
原廠3D NAND揭秘:從32層至128層及更高,給產(chǎn)業(yè)帶來(lái)怎樣的變化?
在三星、東芝存儲(chǔ)器(TMC)、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動(dòng)下,不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及,2019...
2019-07-05 標(biāo)簽:SK海力士3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 7.3k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存...
2019-08-29 標(biāo)簽:芯片3d長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.9k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND 芯片導(dǎo)入江波龍 U 盤(pán),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)一條龍
中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)處于自研有成、發(fā)奮追趕的位置,對(duì)應(yīng)到下游存儲(chǔ)模組產(chǎn)業(yè),也協(xié)同上游芯片產(chǎn)業(yè)正在成形中,其中,深圳江波龍絕對(duì)占有一席之地。 日前江波龍已采用...
2019-06-14 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片江波龍長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.6k 0
江波龍牽手長(zhǎng)江存儲(chǔ),推動(dòng)國(guó)內(nèi)自研存儲(chǔ)芯片進(jìn)入終端消費(fèi)市場(chǎng)
江波龍已經(jīng)導(dǎo)入長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層的 3D NAND 芯片,用于 8GB 的 U 盤(pán)等產(chǎn)品上
2019-06-14 標(biāo)簽:芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6.8k 0
華為禁令加速存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程 長(zhǎng)江存儲(chǔ)加足馬力
2019將成為中國(guó)存儲(chǔ)器發(fā)展的關(guān)鍵年,希望在強(qiáng)有力的政策支持下,加上國(guó)內(nèi)廠商的不懈努力,中國(guó)存儲(chǔ)器能在不久的將來(lái)真正引領(lǐng)世界。
2019-06-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.7k 0
基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
現(xiàn)在,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NA...
2019-09-02 標(biāo)簽:nand存儲(chǔ)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.3k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要精力轉(zhuǎn)移到128層閃存芯片上 有望在2020年大規(guī)模投產(chǎn)
近日,獲悉,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃于今年年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-22 標(biāo)簽:閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.8k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAN...
2019-05-17 標(biāo)簽:芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.9k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)8月將推出Xtacking 2.0技術(shù)
在5月15日的GSA Memory+論壇的下半場(chǎng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官湯強(qiáng)做了題為《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》的主題演講,并透露將在今年8月正式推出Xt...
2019-05-17 標(biāo)簽:閃存技術(shù)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.2k 0
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