明年Q1閃存價(jià)格再跌15% SSD硬盤(pán)放心買(mǎi)

兩大存儲(chǔ)芯片中，內(nèi)存未來(lái)的價(jià)格走勢(shì)風(fēng)云變幻，而閃存的價(jià)格就好多了——盡管幾大閃存原廠也在削減產(chǎn)能，但是閃存明年Q1季度價(jià)格還會(huì)繼續(xù)跌，跌幅在10-15%...

2020-12-14 標(biāo)簽：閃存硬盤(pán)SSD 2.1k 0

QLC/PLC SSD近期不會(huì)全面替代機(jī)械硬盤(pán)

HPE（中文名慧與，即惠普企業(yè)集團(tuán)）是全球頭部的服務(wù)器、數(shù)據(jù)服務(wù)廠商。

2021-03-03 標(biāo)簽：閃存SSDQLC 2.1k 0

國(guó)內(nèi)閃存再度發(fā)力，明年閃存仍暴跌

兩大存儲(chǔ)芯片中，內(nèi)存未來(lái)的價(jià)格走勢(shì)風(fēng)云變幻，而閃存的價(jià)格就好多了——盡管幾大閃存原廠也在削減產(chǎn)能，但是閃存明年Q1季度價(jià)格還會(huì)繼續(xù)跌，跌幅在10-15%...

2020-12-14 標(biāo)簽：閃存硬盤(pán)SSD 2.1k 0

華為P10閃存門(mén)背后：國(guó)產(chǎn)之殤是核心技術(shù)缺失還是受制于上游供應(yīng)鏈

華為遭遇“閃存門(mén)”的背后，透露出的是核心技術(shù)缺失導(dǎo)致受制于上游供應(yīng)鏈，對(duì)于國(guó)內(nèi)手機(jī)廠商來(lái)講，想要解決供應(yīng)鏈問(wèn)題，必須掌握核心技術(shù)，而這是一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程。...

2017-06-05 標(biāo)簽：閃存華為 2.1k 0

推出A31M223-搭載Cortex-M0+內(nèi)核、80MHz主頻和64KB閃存的少引腳電機(jī)控制MCU

ADC可與運(yùn)放和比較器混合使用，支持內(nèi)置/外置Oscillator和PLL以及DMA。它還提供UART、SPI和I2C的多種接口，以及16位定時(shí)器和32...

2023-11-01 標(biāo)簽：閃存adc定時(shí)器 2.1k 0

研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)NAND閃存在2021年全年都將持續(xù)下滑

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從8月份開(kāi)始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。 而研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中預(yù)計(jì)，...

2020-12-15 標(biāo)簽：閃存ANAD 2.1k 0

SST聯(lián)手SK hynix system ic 為設(shè)計(jì)人員提供低功耗嵌入式閃存解決方案

2018年12月13日，越來(lái)越多的集成電路（IC）設(shè)計(jì)人員希望找到方法，在實(shí)施低功耗、高耐用嵌入式閃存的同時(shí)保持較低的生產(chǎn)成本。Microchip Te...

2018-12-13 標(biāo)簽：閃存嵌入式SST 2k 0

一加3T 128G海外版本停售 竟是因?yàn)槿荱FS內(nèi)存供應(yīng)停產(chǎn)

與其他手機(jī)廠商不同，三星在手機(jī)的核心部件上有著自己的供應(yīng)鏈，同時(shí)對(duì)手機(jī)核心產(chǎn)業(yè)鏈的掌控更徹底，比如內(nèi)存、閃存、屏幕能完全自己供應(yīng)自己使用，甚至還會(huì)在背后...

2017-05-09 標(biāo)簽：閃存三星電子一加3t 2k 0

紫光閃芯亮相2025全球閃存峰會(huì)

近日，由DOIT傳媒主辦的“存力覺(jué)醒 AI未來(lái)——2025全球閃存峰會(huì)”在南京盛大召開(kāi)。此次峰會(huì)匯聚了全球存儲(chǔ)領(lǐng)域精英，深入探討在人工智能浪潮中，閃存...

2025-07-15 標(biāo)簽：閃存固態(tài)硬盤(pán)紫光 2k 0

三星首款512GB嵌入式UFS閃存量產(chǎn),可6秒下載5GB的高清電影

三星512GB UFS閃存開(kāi)始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫(xiě)入速度，它的存在必將滅亡手機(jī)存儲(chǔ)卡。

2017-12-05 標(biāo)簽：閃存三星電子 2k 0

英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40nm嵌入式閃存工藝進(jìn)行合作

英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術(shù)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。

2013-05-02 標(biāo)簽：英飛凌閃存嵌入式 2k 0

東芝15nm高速eMMC閃存速度飆升140%！快到報(bào)警！

新的“Supreme +”e-MMC（JEDEC版本5.1）與原來(lái)的NAND閃存解決方案相比，e-MMC和UFS將NAND閃存和控制器芯片集成在單個(gè)封裝...

2016-10-27 標(biāo)簽：東芝閃存emmc 2k 0

SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產(chǎn)在即

韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報(bào)道，該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)...

2024-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存NAND 2k 0

三星固態(tài)硬盤(pán)獲評(píng)“優(yōu)秀產(chǎn)品”稱號(hào)

9月13日， 由開(kāi)放數(shù)據(jù)中心委員會(huì) (ODCC) 主辦的“2023開(kāi)放數(shù)據(jù)中心峰會(huì)”在北京國(guó)際會(huì)議中心順利召開(kāi)。三星電子副總裁，存儲(chǔ)器新事業(yè)企劃部門(mén)負(fù)責(zé)...

2023-09-13 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器軟件 2k 0

SK海力士321層4D NAND的誕生

SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAN...

2025-07-10 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ)器 2k 0

SSD價(jià)格不斷走低導(dǎo)致了性價(jià)比更有優(yōu)勢(shì)的TLC閃存需求高漲

到2016年3月份為止，全球四大NAND豪門(mén)都推出了3D NAND閃存及TLC閃存，SSD硬盤(pán)的好處就不用多說(shuō)了，現(xiàn)在不僅容量在提升，價(jià)格也不斷走低，...

2018-09-19 標(biāo)簽：閃存SSDTLC 2k 0

使用同時(shí)讀寫(xiě)（RWW）功能以防止系統(tǒng)瓶頸

將智能化移至邊緣設(shè)備(終端)可以使系統(tǒng)具有更好的實(shí)時(shí)性能、更好的功率效率和增強(qiáng)的安全性。但是,更多的智能要求更多的代碼、更多的數(shù)據(jù),并且在系統(tǒng)固件更新期...

2020-12-24 標(biāo)簽：閃存dialog 2k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存已量產(chǎn) 預(yù)計(jì)會(huì)有更多的儲(chǔ)存產(chǎn)品用上國(guó)產(chǎn)芯片

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過(guò) 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開(kāi)發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2020-01-16 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ) 2k 0

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D T...

2023-07-19 標(biāo)簽：閃存NAND數(shù)據(jù)傳輸 2k 0