鎧俠開發(fā)新的3D半圓形閃存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”

鎧俠株式會(huì)社（Kioxia Corporation）近日宣布將使用專門設(shè)計(jì)的半圓形浮置柵極（FG）單元開發(fā)全球首個(gè)［1］三維（3D）半圓形分柵型閃存單元...

2019-12-14 標(biāo)簽：閃存3D閃存 1.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在...

2019-09-03 標(biāo)簽：閃存5G紫光集團(tuán) 1.9k 0

出售閃存的英特爾，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)依然“風(fēng)騷”

雷鋒網(wǎng)消息，12月15日、16日，英特爾舉辦了內(nèi)存存儲(chǔ)日線上活動(dòng)，重磅發(fā)布6款全新內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品，包括2款傲騰固態(tài)盤、3款采用144層存儲(chǔ)單元的全新NA...

2020-12-17 標(biāo)簽：英特爾閃存存儲(chǔ) 1.9k 0

TrendForce：全球NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降，進(jìn)一步降低閃存價(jià)格

11 月 27 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，2020 年第四季度，全球 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降。 ...

2020-11-27 標(biāo)簽：閃存NAND行業(yè) 1.9k 0

2018年存儲(chǔ)市場(chǎng)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)基本定局，全閃存成最大推動(dòng)力

IDC近日發(fā)布了《中國(guó)企業(yè)級(jí)外部存儲(chǔ)市場(chǎng)季度跟蹤報(bào)告，2018年第三季度》季度報(bào)告。2018 年第三季度，全球外部磁盤存儲(chǔ)市場(chǎng)相對(duì)2017年同期呈現(xiàn)出正...

2018-12-26 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ) 1.9k 0

戴爾科技全閃存存儲(chǔ)PowerStore 4.2全新升級(jí)

PowerStore 4.2的全新發(fā)布，不僅延續(xù)了PowerStore一貫的高效與簡(jiǎn)潔，更在性能優(yōu)化、運(yùn)維體驗(yàn)和安全機(jī)制等方面實(shí)現(xiàn)進(jìn)化，為企業(yè)注入新的動(dòng)力。

2025-10-15 標(biāo)簽：閃存戴爾存儲(chǔ) 1.9k 0

慧榮科技亮相CFMS2025中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)

近日，備受矚目的CFMS2025中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在深圳盛大召開。作為存儲(chǔ)行業(yè)的頂級(jí)盛會(huì)，本屆峰會(huì)以“存儲(chǔ)格局?價(jià)值重塑”為主題，吸引了來(lái)自全球的半導(dǎo)體廠...

2025-03-20 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)SSD 1.9k 0

瑞薩電子開發(fā)出新的閃存技術(shù) 實(shí)現(xiàn)業(yè)界最大容量和最快的隨機(jī)訪問(wèn)操作

瑞薩電子株式會(huì)社宣布開發(fā)出新的閃存技術(shù)，該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更大的內(nèi)存容量、更高的讀出速度和對(duì)采用下一代28 nm工藝的汽車MCU的空中下載技術(shù)(OTA)支持。

2019-06-15 標(biāo)簽：閃存OTA瑞薩電子 1.9k 0

慧榮科技攜全系列主控芯片及創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案亮相CFMS MemoryS 2026

2026年3月27日，備受矚目的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（CFMS|MemoryS2026）在深圳圓滿落幕。本次大會(huì)以“穿越周期·釋放價(jià)值”為主題，匯聚了全球存...

2026-03-31 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)AI 1.9k 0

iPhone 16 Pro或推動(dòng)內(nèi)存升級(jí)至2TB 潛在增加拍攝攝像頭功能

日前，業(yè)內(nèi)人士“yeux1122”在社交媒體上透露，因蘋果公司可能轉(zhuǎn)用更高性能的QLC NAND閃存以提升產(chǎn)品的存儲(chǔ)性能，故選取該方式來(lái)拓展iPhone...

2024-01-24 標(biāo)簽：閃存NANDiPhone 1.9k 0

HTC：全部都是UFS2.1閃存存儲(chǔ)！索尼與HTC神同步,華為受的傷誰(shuí)能懂？

這是HTC對(duì)新旗艦U11的一個(gè)宣傳海報(bào)：全部都是UFS2.1閃存存儲(chǔ)，HTC U11玩轉(zhuǎn)暢快品質(zhì)保證。

2017-05-23 標(biāo)簽：閃存索尼華為 1.9k 0

華為P10閃存門事件鬧騰的這么大到底是誰(shuí)的問(wèn)題？

華為手機(jī)正在檢驗(yàn)著這么一個(gè)事實(shí)：一旦公司做大做強(qiáng)后，不免有傲慢甚至盛氣凌人的現(xiàn)象，這是大公司的病。這一次華為P10就是慘痛的教訓(xùn)。當(dāng)然了，隨著公司聲量的...

2017-06-02 標(biāo)簽：閃存華為 1.9k 0

閃存價(jià)格將持續(xù)暴跌，中國(guó)公司或成漲價(jià)的關(guān)鍵

雙11期間，SSD硬盤有不少好價(jià)出現(xiàn)，大家買了沒(méi)？閃存市場(chǎng)的趨勢(shì)差不多了，今年還會(huì)繼續(xù)跌，廠商期盼的漲價(jià)要到2021年下半年才能出現(xiàn)。

2020-11-09 標(biāo)簽：閃存內(nèi)存SSD 1.9k 0

QLC閃存的到來(lái)，充分體現(xiàn)出了資本的貪婪

前不久，Intel發(fā)布了全新的SSD 660p，這款SSD的單GB價(jià)格不到0.2美元，最大的“特色”是采用的是QLC閃存，最高連續(xù)讀寫速度可達(dá)1800MB/s。

2018-10-21 標(biāo)簽：閃存SSDQLC 1.8k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存，單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。

2020-04-13 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.8k 0

600億買下Intel閃存業(yè)務(wù) SK海力士：預(yù)期5年內(nèi)公司收入增加2倍

前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。 盡管外界批評(píng)SK海力士買虧了、且目前閃...

2020-11-05 標(biāo)簽：閃存intelSK海力士 1.8k 0

三星研發(fā)CXL混合存儲(chǔ)模組，實(shí)現(xiàn)閃存與CPU數(shù)據(jù)直傳

據(jù)三星展示的圖片顯示，此模組可以通過(guò)CXL接口在閃存部分及CPU之間進(jìn)行I/O塊傳輸，也可以運(yùn)用DRAM緩存和CXL接口達(dá)到64字節(jié)的內(nèi)存I/O傳輸。

2024-03-21 標(biāo)簽：閃存DRAM接口 1.8k 0