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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

JEDEC發(fā)布：GDDR7 DRAM新規(guī)范，專供顯卡與GPU使用

三星電子和SK海力士計(jì)劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內(nèi)存。

2024-03-18 標(biāo)簽：DRAM 三星電子內(nèi)存 2.2k 0

DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢(shì)？

2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory mod...

2024-03-17 標(biāo)簽：DRAM 接收器 DDR4 5.7k 0

HBM：突破AI算力內(nèi)存瓶頸，技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲(chǔ)新紀(jì)元

HBM制造集成前道工藝與先進(jìn)封裝，TSV、EMC、鍵合工藝是關(guān)鍵。HBM制造的關(guān)鍵在于TSV DRAM，以及每層TSV DRAM之間的連接方式。

2024-03-14 標(biāo)簽：DRAM 寄存器 cpu 3.5k 0

可靠性測(cè)試中,如何減少HCI和電遷移的測(cè)試時(shí)間？

許多可靠性“磨損”測(cè)試監(jiān)測(cè)的是一個(gè)性能參數(shù)，該參數(shù)隨著對(duì)數(shù)變化的時(shí)間長(zhǎng)度而穩(wěn)步下降。

2024-03-13 標(biāo)簽：DRAM NMOS 晶體管 4k 0

淺析RAM存儲(chǔ)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

在計(jì)算機(jī)中，CPU需要定期地從 RAM 存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，RAM 存儲(chǔ)器的容量和速度不斷提高，以適應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的需要。

2024-03-04 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 cpu 4.8k 0

人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)

更多帶寬 – 隨著需要移動(dòng)大量數(shù)據(jù)，我們目睹了所有 DRAM 類型繼續(xù)競(jìng)相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。

2024-03-04 標(biāo)簽：DRAM sram 人工智能 768 0

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與前景展望

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)對(duì)于數(shù)據(jù)挖掘與分析、數(shù)據(jù)整合與共享、智能決策支持、業(yè)務(wù)模式創(chuàng)新以及優(yōu)化資源配置等方面具有重要作用。按照存儲(chǔ)介質(zhì)不同，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)主要可分為磁性存...

2024-02-27 標(biāo)簽：DRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)EEPROM 6k 0

什么是車規(guī)級(jí)芯片 MCU芯片種類都有哪些

AEC－Q系列認(rèn)證是公認(rèn)的車規(guī)元器件的通用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。IC設(shè)計(jì)企業(yè)想要進(jìn)入汽車電子領(lǐng)域，進(jìn)入汽車電子零部件供應(yīng)鏈，AEC－Q系列是必須獲得的認(rèn)證之一。

2024-02-25 標(biāo)簽：集成電路 DRAM 通信芯片 3.2k 0

NVIDIA首席科學(xué)家Bill Dally：深度學(xué)習(xí)硬件趨勢(shì)

Bill Dally于2009年1月加入NVIDIA擔(dān)任首席科學(xué)家，此前在斯坦福大學(xué)任職12年，擔(dān)任計(jì)算機(jī)科學(xué)系主任。Dally及其斯坦福團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了系統(tǒng)...

2024-02-25 標(biāo)簽：DRAM 寄存器深度學(xué)習(xí) 2.5k 0

高速DRAM的training

隨著每一代接口(Interface)和存儲(chǔ)(memory)的頻率和速率的提高，信號(hào)采樣以及傳輸變得越來(lái)越困難，因?yàn)閿?shù)據(jù)眼(data eyes)越來(lái)越小。

2024-02-25 標(biāo)簽：DRAM 寄存器接口 3k 0

關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析（設(shè)計(jì)、制造和后制造）

半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 半導(dǎo)體制造 3.3k 0

存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)如何解釋？

存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)可以從圖片中清晰的看出來(lái)，圖片中共分為六級(jí)，越向上的層次，存儲(chǔ)器速度越快，容量更小，造價(jià)越高。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 cpu 2.2k 0

淺談存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)

通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問(wèn)速度，而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的...

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM 寄存器存儲(chǔ)器 2.1k 0

DRAM存儲(chǔ)器為什么要刷新

DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。

2024-02-19 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 5.4k 0

簡(jiǎn)述存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)及其分層原因

存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中存儲(chǔ)器的層次化組織，分為多個(gè)層次，每個(gè)層次具有不同的訪問(wèn)速度、容量和成本。

2024-02-05 標(biāo)簽：DRAM 寄存器存儲(chǔ)器 4.1k 0

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器的區(qū)別

SRAM 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)一個(gè)位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。

2024-02-05 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 7.5k 0

深入探討DDR5測(cè)試技術(shù)的最新技術(shù)

DDR SDRAM，是一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的核心部件之一，應(yīng)用十分廣泛。從消費(fèi)類電子到...

2024-01-24 標(biāo)簽：DRAM SDRAM AI 6.7k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC411 1TB SSD詳細(xì)評(píng)測(cè)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧Xtacking架構(gòu)的原理就是在兩片獨(dú)立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更高的...

2024-01-16 標(biāo)簽：DRAM SSD NAND閃存 3.5k 0

關(guān)于SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)

通常我們將存儲(chǔ)容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個(gè)字，一共有64個(gè)字。這個(gè)概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。

2024-01-09 標(biāo)簽：放大器 DRAM 存儲(chǔ)器 3.6k 0

談?wù)凬RAM的“用武之地”

NRAM是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點(diǎn)：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM芯片的可擴(kuò)展性和對(duì)閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。

2024-01-09 標(biāo)簽：DRAM 閃存芯片人工智能 1.9k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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