未來(lái)投資金超3500億元 中國(guó)為何再成晶圓廠投資熱土

新年伊始，回顧2016年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，“投資”無(wú)疑是出現(xiàn)頻率最高的熱詞。在“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”的助力下，2016年國(guó)內(nèi)投資活動(dòng)頻頻：長(zhǎng)...

2017-01-16 標(biāo)簽：集成電路dram存儲(chǔ)器 1.8k 0

2018年的銷(xiāo)售額增長(zhǎng)率僅達(dá)到2017年一半 存儲(chǔ)器市場(chǎng)開(kāi)始陷入低迷

DRAM三大生產(chǎn)企業(yè)三星電子、SK海力士以及美光去年半導(dǎo)體銷(xiāo)售額皆呈兩位數(shù)成長(zhǎng)，其中又以三星電子的銷(xiāo)售額最高，SK海力士的銷(xiāo)售額增加率最高，但即使全年創(chuàng)...

2019-02-04 標(biāo)簽：DRAM三星電子存儲(chǔ)器 1.8k 0

DRAM先進(jìn)制程進(jìn)展如何？

美光1β DDR5 DRAM支持計(jì)算能力向更高的性能擴(kuò)展，能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶(hù)端平臺(tái)上的人工智能（AI）訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)（I...

2023-10-26 標(biāo)簽：DRAM數(shù)據(jù)庫(kù)美光 1.8k 0

西安紫光國(guó)芯成功入選國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心

近日，國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)公示完成2022年（第29批）擬認(rèn)定國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心名單，憑借著在存儲(chǔ)領(lǐng)域領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力、持續(xù)的創(chuàng)新成果和科學(xué)的管理運(yùn)營(yíng)，西安...

2022-12-08 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)技術(shù)紫光國(guó)芯 1.8k 0

三星半導(dǎo)體工廠發(fā)生火災(zāi) 并不會(huì)對(duì)生產(chǎn)DRAM和NAND產(chǎn)生影響

3 月 9 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子位于京畿道華城市半月洞的半導(dǎo)體工廠廢水處理廠發(fā)生火災(zāi)，幸運(yùn)的是，沒(méi)有人受傷。該廠主要用于生產(chǎn) DRAM 顆粒和 N...

2020-03-15 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 1.8k 0

瀾起科技推RCD04 DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片

RCD 組件用于緩存內(nèi)存控制器傳來(lái)的指令信號(hào)等數(shù)據(jù)，DB 則負(fù)責(zé)緩存來(lái)自?xún)?nèi)存設(shè)備或 DRAM 的數(shù)據(jù)信號(hào)。它們結(jié)合使用可實(shí)現(xiàn)全部信號(hào)的緩存功能。單用 R...

2024-01-04 標(biāo)簽：控制器DRAMRCD 1.8k 0

去庫(kù)存化進(jìn)入尾聲，內(nèi)存模組廠加速?gòu)?fù)蘇

近期，半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)始傳遞復(fù)蘇信號(hào)，國(guó)內(nèi)大型半導(dǎo)體制造商紛紛提到明年將迎來(lái)多款消費(fèi)性電子產(chǎn)品的需求回升，這表明半導(dǎo)體設(shè)計(jì)庫(kù)存的去化即將進(jìn)入尾聲。另一個(gè)重要...

2023-11-03 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存模組SSD 1.7k 0

三星SSD主控芯片全球供不應(yīng)求

最近考慮裝機(jī)的朋友，是否發(fā)現(xiàn)內(nèi)存已經(jīng)悄然漲價(jià)？

2021-02-23 標(biāo)簽：芯片DRAM三星電子 1.7k 0

報(bào)道稱(chēng)DRAM價(jià)格在三季度仍將上漲

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英文媒體在上周的報(bào)道曾表示，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的合約價(jià)格在今年上半年將上漲，相關(guān)的廠商也將從中受益。 在當(dāng)時(shí)的報(bào)道中，英文媒體并...

2021-01-22 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器 1.7k 0

應(yīng)用材料財(cái)報(bào)亮眼，營(yíng)收反超ASML成半導(dǎo)體設(shè)備龍頭

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料公司發(fā)布了其2024年第三季度（截止至7月28日）的財(cái)務(wù)報(bào)告，數(shù)據(jù)顯示該季度公司營(yíng)收實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)5%...

2024-08-21 標(biāo)簽：DRAM應(yīng)用材料半導(dǎo)體設(shè)備 1.7k 0

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達(dá)56.1%

在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日，在美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，SK海力士宣布了其在3D...

2024-06-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMSK海力士 1.7k 0

存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲已從DRAM擴(kuò)大到NAND閃存 明年上半年預(yù)計(jì)上漲超過(guò)10%

但是，存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說(shuō)，已經(jīng)從dram開(kāi)始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。

2023-11-13 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)芯片 1.7k 0

三星歷史首款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)完成

　　三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。

2011-01-05 標(biāo)簽：DRAMDDR4 1.7k 0

DRAM的類(lèi)型及其訪問(wèn)方式成為設(shè)計(jì)中心的考慮因素

瑞薩半導(dǎo)體副總裁兼總經(jīng)理拉米·塞西對(duì)此表示同意。“人們普遍承認(rèn)DDR總線在支持多時(shí)隙配置方面的能力將隨著時(shí)間的推移而變得越來(lái)越困難。當(dāng)你以每秒6、7、8...

2022-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMDDR 1.7k 0

今日看點(diǎn)丨小米“無(wú)按鍵”旗艦手機(jī)被曝 2025 年亮相；SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

1. 美光將在臺(tái)灣購(gòu)買(mǎi)更多生產(chǎn)工廠以擴(kuò)大HBM 內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模 ? 美光（Micron）公司正在臺(tái)灣尋找新的生產(chǎn)設(shè)施。美光已同意從顯示器制造商友達(dá)光電（A...

2024-08-29 標(biāo)簽：DRAM海力士小米 1.7k 0

三星電子推出業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存——Flashbolt HBM DRAM

三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。

2020-02-05 標(biāo)簽：DRAM三星電子內(nèi)存 1.7k 0

DRAM價(jià)格上漲因存儲(chǔ)巨頭減產(chǎn)，供需緊張料持續(xù)至年底

據(jù)報(bào)道，近期三星宣布自明年第一季度起，DRAM價(jià)格將上漲至少15%；盡管NAND閃存漲價(jià)跡象尚不明顯，但預(yù)測(cè)同樣存在跟進(jìn)上漲的可能。據(jù)IT之家引用集邦觀...

2024-01-03 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存三星 1.7k 0