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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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西安紫光國芯在VLSI 2023發(fā)表嵌入式多層陣列DRAM論文
近日,西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)在VLSI 2023技術(shù)與電路研討會上(2023 Symposium on VLSI T...
三星和AMD日前宣布達(dá)成了一項(xiàng)價(jià)值30億美元的合作協(xié)議,引起了半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大轟動(dòng)。
NRAM商用能席卷根深蒂固的DRAM/NAND Flash嗎?
25年來,內(nèi)存產(chǎn)業(yè)一直在等待更好的技術(shù)出現(xiàn)。目前市場上的主流存儲器是DRAM和NAND Flash,有可能席卷目前兩種主流存儲器的NRAM近日有了最新消...
2017-01-27 標(biāo)簽:DRAM存儲NAND Flash 1.6k 0
存儲價(jià)格低迷,三星2023年?duì)I業(yè)利益率恐跌至12年最低水平
三星電子2023年?duì)I業(yè)利益率恐時(shí)隔12年跌至個(gè)位數(shù)。
華邦電子客制化內(nèi)存解決方案助力可持續(xù)發(fā)展
隨著全球?qū)Ω悄?、更快速電子系統(tǒng)需求的不斷增長,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨雙重挑戰(zhàn):在提升性能的同時(shí)降低環(huán)境影響。華邦電子正面臨著這一挑戰(zhàn),將#可持續(xù)發(fā)展 理念融入...
ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL
美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車,通信,數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產(chǎn)品。IS62WV102416DB...
根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange表示,由于PC出貨持續(xù)下修,年成長率衰煺達(dá)5%,需求旺季不旺導(dǎo)致供過于求態(tài)勢...
今年Q3,存儲產(chǎn)品價(jià)格有望迎來拐點(diǎn)。
美光收購華亞科股權(quán)案傳好事已近,美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Durcan)近日親自率領(lǐng)高層來臺,已大致完成與南亞科洽商收購華亞科股權(quán)相關(guān)事宜。據(jù)悉,收購案...
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平,更在速度上實(shí)現(xiàn)了...
預(yù)計(jì)2025年DRAM產(chǎn)業(yè)將年增25%
根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告,DRAM產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了2024年前三季度的庫存消化和價(jià)格回升后,其價(jià)格動(dòng)能在第四季度出現(xiàn)了明顯...
DRAM和閃存對整個(gè)半導(dǎo)體市場的命運(yùn)有著相當(dāng)大的影響。雖然內(nèi)存在2017年和2018年提振了芯片銷售,但在2019年可能會產(chǎn)生負(fù)面影響。
三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證,加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日,三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào),其高頻寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的嚴(yán)格認(rèn)證,標(biāo)志著該產(chǎn)...
三星計(jì)劃應(yīng)用TC-NCF工藝生產(chǎn)16層HBM4內(nèi)存
TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝,相比無凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟,然而由于凸塊的存在,采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會相應(yīng)增加。
2024-04-19 標(biāo)簽:DRAM三星半導(dǎo)體HBM 1.6k 0
DRAM大廠三星預(yù)定明年第1季率先量產(chǎn)1x(18奈米)DRAM,另一大廠SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)也將于明年跟進(jìn),三大DRA...
Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已為客戶及合作伙伴出樣美光 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊...
在目前后PC時(shí)代,DRAM不再由標(biāo)準(zhǔn)型DRAM主導(dǎo)
三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢,本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座,證明了后PC時(shí)代的到來,隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起,讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)...
宜鼎最新DRAM模組,為FPGA提供大容量與低延遲的高效能選擇
宜鼎國際近日發(fā)表最新DRAM產(chǎn)品,針對FPGA應(yīng)用的工業(yè)級DRAM模組,提供正寬溫、大容量的單列(1 Rank)與雙列(2 Rank)解決方案,并以工控...
在芯片供應(yīng)過剩、需求低迷的情況下,DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格自2022年2月以來一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開始大幅削減芯片產(chǎn)量,導(dǎo)致芯片庫存資...
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