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　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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讀寫PIC18F452內(nèi)部EEPROM的實例源程序

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2009-01-16 標(biāo)簽：EEPROM 2.2k 0

基于串行通信的EEPROM在電視中的設(shè)計應(yīng)用

近年來，數(shù)字化電視技術(shù)迅猛發(fā)展，特別是遙控系統(tǒng)的面市，各廠商在電視機(jī)中加人微處理器(MCU)，各種人工智能化彩電完全替代了老式電視手動(機(jī)械式)控制和記...

2011-10-18 標(biāo)簽：EEPROM 串行通信 I2C總線 2.2k 0

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2016-03-16 標(biāo)簽：EEPROM 數(shù)字控制器黑盒 2.2k 0

2線串行EEPROM AiP24C128在機(jī)械臂中的應(yīng)用

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2022-06-27 標(biāo)簽：EEPROM 存儲芯片 2.2k 0

通俗講解EEPROM 和 flash 概念

EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memor...

2023-01-13 標(biāo)簽：FlaSh EEPROM 2.1k 0

上海貝嶺助力車載存儲芯片應(yīng)用

自上世紀(jì)起，隨著汽車電子技術(shù)的快速發(fā)展，電子控制單元（ECU）逐漸成為汽車的核心組成部分。而后，汽車電子技術(shù)一路向著智能化發(fā)展。智能駕駛、智能座艙、智能...

2023-10-23 標(biāo)簽：汽車電子 EEPROM 車載存儲 2.1k 0

數(shù)據(jù)保存100年！納祥科技國產(chǎn)EEPROM芯片NX24C02A，兼容替代AT24C02

NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX24C02AEEPROMEEPROM(ElectricallyErasableProgrammablere...

2024-11-14 標(biāo)簽：芯片存儲器 EEPROM 2.1k 1

聚辰股份:已擁有A2等級的全系列汽車級EEPROM產(chǎn)品

12月5日-7日，2020（第十九屆）中國企業(yè)領(lǐng)袖年會在北京舉行，據(jù)新浪財經(jīng)報道，在年會主題論壇：筑牢實體經(jīng)濟(jì)這個“大國根基”環(huán)節(jié)，聚辰股份董事長陳作濤...

2020-12-07 標(biāo)簽：芯片汽車電子 EEPROM 2k 0

意法半導(dǎo)體Page EEPROM打破數(shù)據(jù)存儲的玻璃天花板

EEPROM是一項成熟的非易失性存儲（NVM）技術(shù)，其特性對當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲...

2025-11-17 標(biāo)簽：微控制器存儲器 EEPROM 2k 0

華虹NEC發(fā)布0.13微米嵌入式EEPROM解決方案

華虹NEC發(fā)布0.13微米嵌入式EEPROM解決方案上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）不久前宣布，公司基于0.13微米嵌入式閃存（...

2010-01-12 標(biāo)簽：嵌入式 EEPROM 2k 0

EEPROM芯片市場應(yīng)用與出貨量分析（截至2025年數(shù)據(jù)）

2025-03-03 標(biāo)簽：芯片 EEPROM 2k 0

DS28E07 1024位1-Wire EEPROM技術(shù)手冊

DS28E07是一款1024位、單線EEPROM芯片，分為四個存儲器頁面，每個頁面256位。數(shù)據(jù)寫入一個8字節(jié)的暫存區(qū)，經(jīng)過驗證，然后復(fù)制到EEPROM...

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Holtek Touch A/D Flash MCU系列新增BS84D20CA成員，延續(xù)優(yōu)良抗干擾特性，擴(kuò)充豐富的系統(tǒng)資源，提供8×8 LED cont...

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上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)今天宣布，基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝平臺，已成功地開發(fā)出了具有超高可靠性...

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MC51F003A4A0Y助力松下EMS眼罩EW-RAD11

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　基于公司成熟的SONOS技術(shù)，新增的Flash和EEPROM為汽車，醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域帶來了許多新的可能性。

2019-10-18 標(biāo)簽：FlaSh EEPROM 非易失性存儲器 1.8k 0

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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