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　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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中微愛芯榮獲2024年度電子元器件行業(yè)優(yōu)秀MCU芯片國產(chǎn)品牌企業(yè)

近日，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威平臺華強(qiáng)電子網(wǎng)正式公布“2024年度電子元器件行業(yè)品牌評選”結(jié)果。憑借在MCU芯片領(lǐng)域的市場表現(xiàn)、技術(shù)實(shí)力及行業(yè)貢獻(xiàn)，中微愛芯成...

2025-04-17 標(biāo)簽：集成電路 mcu 電子元器件 1.8k 0

安芯半導(dǎo)體推出新一代低成本高性能防復(fù)制加密芯片RJGT28E16

隨著各品牌廠家對知識產(chǎn)權(quán)(IP)和設(shè)備的附件配件的保護(hù)管理意識越來越高，安芯半導(dǎo)體推出基于SHA-3第三代安全散列算法(Secure Hash Algo...

2024-12-24 標(biāo)簽：處理器 EEPROM 加密芯片 1.8k 0

如何實(shí)現(xiàn)EEPROM的低功耗模式

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦除可編程只讀存儲器）是一種非...

2024-12-16 標(biāo)簽：存儲器可編程 EEPROM 1.8k 0

多CPU系統(tǒng)共享串行EEPROM

多CPU系統(tǒng)共享串行EEPROM 三個(gè)CPU共享SPI EEPROM 93C46。為了編程方便，三個(gè)CPU的P1.0-P1.3都依次連接93C46的C...

2008-12-13 標(biāo)簽：EEPROM 1.8k 0

PIC:讀寫24LCxx系列的EEPROM的實(shí)例C語言程序

PIC:讀寫24LCxx系列的EEPROM的實(shí)例C語言程序 //*******************************************...

2009-01-16 標(biāo)簽：EEPROM 1.8k 0

存儲芯片商普冉股份沖刺科創(chuàng)板 NOR Flash爆發(fā)式增長

科創(chuàng)板芯版圖或再添一位新軍。近日，上交所受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下稱普冉股份）的科創(chuàng)板申請。普冉股份主營業(yè)務(wù)為非易失性存儲器芯片的設(shè)計(jì)...

2020-08-13 標(biāo)簽：閃存 NAND EEPROM 1.8k 0

AS32X601的I2C模塊操作EEPROM詳解

國科安芯推出的AS32X601系列MCU芯片內(nèi)置的I2C模塊提供了符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的兩線串行制接口，可用于MCU和外部I2C設(shè)備的通訊。I2C總線使用兩條串...

2025-12-21 標(biāo)簽：mcu EEPROM I2C 1.7k 0

上海航芯1-wire安全認(rèn)證芯片方案介紹

隨著用戶產(chǎn)品附加值提升帶來的對防抄板的需求，以及電池、醫(yī)療耗材、電子配件、IOT 領(lǐng)域中對設(shè)備認(rèn)證的需求，上海航芯經(jīng)過多年的技術(shù)積累和對市場的理解，推出...

2024-03-07 標(biāo)簽：發(fā)生器 EEPROM 電源線 1.7k 0

國內(nèi)芯片行業(yè)的過去、現(xiàn)狀與未來：EVASH Ultra EEPROM的視角

2024-08-12 標(biāo)簽：芯片 EEPROM 1.7k 0

科普EEPROM 科普 EVASH Ultra EEPROM?科普存儲芯片

2024-06-25 標(biāo)簽：可編程 EEPROM Ultra 1.7k 0

中芯國際推出1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平臺

中芯國際宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平臺，與其0.13微米(um)低漏電(LL)工藝完全兼容。

2012-09-20 標(biāo)簽：嵌入式中芯國際嵌入式芯片 1.7k 0

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由于硬件成本原因，在許多嵌入式處理器中并沒有集成 EEPROM 模塊，通常我們可以采用在片內(nèi)Flash 存儲器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來達(dá)到使用要求...

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最具創(chuàng)新性的EEPROM存儲器

本系列產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、可穿戴設(shè)備、耗材、電池和纜線標(biāo)識市場的理想之選。由于新器件產(chǎn)品能夠自行供電，它無需使用電源或Vcc引腳，而是通過數(shù)據(jù)引腳采...

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HOLTEK新推出HT45F9160 Power Delivery MCU快充產(chǎn)品

Holtek針對USB-PD (Power Delivery)快充產(chǎn)品，推出專用Flash MCU HT45F9160，通過PD認(rèn)證，符合USB-PD ...

2023-11-02 標(biāo)簽：mcu USB接口 RAM 1.7k 0

SGS在上海SEMICON 2024展會上為普冉股份頒發(fā)AEC-Q100認(rèn)證證書

2024年3月20日-22日，SEMICON China（國際半導(dǎo)體展） 2024在上海新國際博覽中心舉辦。

2024-03-21 標(biāo)簽：新能源汽車 EEPROM SGS 1.6k 0

探索存儲新未來：為何EVASH EV24C256A EEPROM成為市場新寵

2024-09-05 標(biāo)簽：存儲 EEPROM 1.6k 0

EEPROM存儲器研討會

科技的迭代更新速度不斷超乎想象，人們也越來越追求數(shù)據(jù)的可追溯性和安全性，為避免意外情況導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，在車載、工業(yè)等領(lǐng)域中，數(shù)據(jù)存儲更經(jīng)常使用安全性較好的...

2023-02-27 標(biāo)簽：存儲器 EEPROM 1.6k 0

集成EEPROM與監(jiān)控電路?的CPU Supervisor ON Semiconductor CAT1025WI-45-GT3

2025-05-28 標(biāo)簽：EEPROM ON 1.6k 0

EEPROM在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的使用

1. EEPROM的工作原理 EEPROM是一種可以通過電信號擦除和重寫的存儲器。它通常由浮柵晶體管組成，這些晶體管可以存儲電荷，從而代表數(shù)據(jù)。當(dāng)需要更...

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為什么單片機(jī)語音芯片既有flash又有EEPROM

EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memor...

2022-09-05 標(biāo)簽：單片機(jī)EEPROM 語音芯片 1.5k 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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