產(chǎn)品介紹#TPD4E001-Q1 汽車類四通道 1.5pF、5.5V ±8kV ESD 保護(hù)二極管，帶 USB 2.0 的 VCC 引腳

TPD4E001-Q1 器件是一款低電容 TVS 二極管陣列，設(shè)計(jì)用于在連接到通信線路的敏感電子設(shè)備中提供 ESD 保護(hù)。每個(gè)通道由一對(duì)瞬態(tài)電壓抑制二極...

2025-02-26 標(biāo)簽：電子設(shè)備低電容TVS二極管 1.2k 0

請(qǐng)問(wèn)一下TVS二極管（ESD保護(hù)裝置）是什么？

TVS二極管的主要功能是將侵入到設(shè)備內(nèi)部的ESD傳輸?shù)降叵隆?/p>

2024-01-17 標(biāo)簽：示波器TVS二極管ESD保護(hù) 1.2k 0

STD80N240K6功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmGuard? K6功率MOSFET具有出色的R~DS(on)~ x...

2025-10-30 標(biāo)簽：ESD保護(hù)功率MOSFET柵極電荷 1.2k 0

SCR放電管瞬態(tài)特性器件晶格溫度

晶閘管（SCR）由于其深回滯輸出特性曲線，低導(dǎo)通電阻，高ESD泄流能力的特點(diǎn)，在ESD保護(hù)中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

2023-07-14 標(biāo)簽：晶閘管ESD保護(hù)SCR 1.2k 0

近場(chǎng)通信NFC設(shè)備接口靜電保護(hù)選什么型號(hào)的TVS/ESD二極管好呢？

Near Field Communication，簡(jiǎn)稱：NFC，中文名稱：近場(chǎng)通信，是一種短距離高頻的無(wú)線電技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)近距離無(wú)線通訊和數(shù)據(jù)交換

2023-07-26 標(biāo)簽：ESD保護(hù)無(wú)線電NFC芯片 1.1k 0

優(yōu)恩RJ45網(wǎng)絡(luò)端口-100M- 以太網(wǎng)口靜電放電及雷擊浪涌防護(hù) I

方案介紹：伴隨著科技的高速發(fā)展，萬(wàn)物互聯(lián)并網(wǎng)的趨勢(shì)已經(jīng)成為必然，網(wǎng)絡(luò)端口也越來(lái)越多的出現(xiàn)在電子產(chǎn)品上面，網(wǎng)絡(luò)端口因其需要較遠(yuǎn)距離傳輸且走線環(huán)境多為戶外及...

2022-10-19 標(biāo)簽：ESD保護(hù)端口TVS管 1.1k 0

?STMicroelectronics ESDAxxWY系列汽車級(jí)單向ESD保護(hù)器件技術(shù)解析

STMicroelectronics ESDAxWY汽車雙線單向ESD保護(hù)是瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)，設(shè)計(jì)用于在惡劣環(huán)境中保護(hù)敏感電子產(chǎn)品。 這些TV...

2025-10-16 標(biāo)簽：TVSESD保護(hù)瞬態(tài)電壓抑制器 1k 0

15kV ESD保護(hù)RS-232發(fā)射器/接收器HIN211E數(shù)據(jù)手冊(cè)

HIN202E、HIN206E、HIN207E、HIN208E、HIN211E、HIN213E、HIN232E 系列 RS-232 發(fā)送器 /接收器接口...

2025-05-25 標(biāo)簽：接收器發(fā)射器ESD保護(hù) 1k 0

CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 （LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并...

2025-04-16 標(biāo)簽：封裝導(dǎo)通電阻ESD保護(hù) 983 0

Semiware 推出xDSL的浪涌和靜電保護(hù)方案

由于xDSL設(shè)備與公用電話交換網(wǎng)(PSTN)的基礎(chǔ)設(shè)施連接，使得設(shè)備可能暴露于交流電力搭碰、電力線感應(yīng)和雷電浪涌引起的過(guò)電流和過(guò)電壓危害。所以，需要在電...

2024-06-13 標(biāo)簽：ESD保護(hù)浪涌靜電保護(hù) 911 0

CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代...

2025-04-16 標(biāo)簽：MOSFET封裝ESD保護(hù) 894 0

CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減小占用空間。該技術(shù)能夠取...

2025-04-16 標(biāo)簽：MOSFET充電器封裝 852 0

Vishay VETH100A203S雙向ESD保護(hù)二極管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay VETH100A203S雙向ESD保護(hù)二極管是緊湊型多功能解決方案，具有2線雙向ESD保護(hù)功能。Vishay VETH100A203S滿足...

2025-11-13 標(biāo)簽：二極管雙向ESD保護(hù) 850 0

探索ESD7424：超低電容ESD保護(hù)二極管的卓越性能

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，靜電放電（ESD）和瞬態(tài)電壓事件是影響電壓敏感組件穩(wěn)定性的重要因素。ON Semiconductor的ESD7424超低電容ESD保...

2025-12-02 標(biāo)簽：二極管低電容ESD保護(hù) 844 0

高速數(shù)據(jù)線的ESD防護(hù)利器——ESD1014

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷擊等問(wèn)題一直是工程師們需要重點(diǎn)關(guān)注的對(duì)象，因?yàn)樗鼈兛赡軙?huì)對(duì)高速數(shù)據(jù)線造成嚴(yán)重的損害，影...

2025-12-02 標(biāo)簽：ESD保護(hù)數(shù)據(jù)線EFT 831 0

CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)...

2025-04-15 標(biāo)簽：二極管MOSFET電阻器 830 0