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標(biāo)簽 > everspin
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新型MRAM技術(shù)量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)低功耗
在新型 RAM 技術(shù)中,MRAM對(duì)物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲(chǔ)類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗,同時(shí)...
用于工業(yè)應(yīng)用的Everspin MRAM
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)...
MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ),MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由...
Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商,在包括40nm,28nm及更高的技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙...
ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù),因?yàn)樗且环N高性能存儲(chǔ)器(可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM),可擴(kuò)展至10nm以下,并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...
everspin生態(tài)系統(tǒng)和制造工藝創(chuàng)新
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來(lái),通過(guò)不斷改進(jìn),對(duì)其工廠進(jìn)行微調(diào)優(yōu)化。能迅速積累并將這些經(jīng)驗(yàn)傳授給Glo...
eMRAM升級(jí)12nm工藝 將進(jìn)一步提升容量密度
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來(lái)制造新一代STT-M...
2020-03-16 標(biāo)簽:內(nèi)存everspinGlobalFoundries 3.1k 0
Everspin推出業(yè)界首款16Mb MRAM產(chǎn)品MR4A16B
磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM, 進(jìn)一...
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