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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管。

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fet技術(shù)

突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應(yīng)用

突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應(yīng)用

Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率...

2025-09-19 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN 994 0

TPS25940 具有反向電流阻斷和 DevSleep 支持的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A-5.2A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS25940 具有反向電流阻斷和 DevSleep 支持的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A-5.2A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS25940 eFuse 電源開(kāi)關(guān)是一款緊湊、功能豐富的電源管理設(shè)備,具有一整套保護(hù)功能,包括支持符合 SATA? 設(shè)備睡眠標(biāo)準(zhǔn)的低功耗 DevSl...

2025-05-12 標(biāo)簽:電源管理電壓FET 993 0

?TPS92543-Q1 汽車(chē)級(jí)同步升壓控制器與降壓LED驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要

?TPS92543-Q1 汽車(chē)級(jí)同步升壓控制器與降壓LED驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要

TPS92543器件包含一個(gè)同步升壓控制器和一個(gè)單片同步降壓LED驅(qū)動(dòng)器,具有4.5V至65V寬工作降壓輸入電壓范圍。該TPS92543包括三個(gè)串聯(lián)的浮...

2025-08-20 標(biāo)簽:led驅(qū)動(dòng)器FET峰值電流 993 0

TPS2640 具有集成反向輸入極性保護(hù)的 42V、2A 工業(yè)電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2640 具有集成反向輸入極性保護(hù)的 42V、2A 工業(yè)電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS26400 器件結(jié)構(gòu)緊湊、功能豐富,具有全套保護(hù)功能。4.2 V 至 42 V 的寬電源輸入范圍允許控制許多常用的直流總線(xiàn)電壓。該器件可承受并保護(hù)...

2025-05-08 標(biāo)簽:封裝輸出電壓電源電壓 991 0

?TPS25961 100mΩ電子保險(xiǎn)絲技術(shù)解析與應(yīng)用指南

?TPS25961 100mΩ電子保險(xiǎn)絲技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments TPS25961 100mΩ電子保險(xiǎn)絲是一款集成式FET熱插拔器件,可創(chuàng)建高度集成的電路保護(hù)和電源管理解決方案。TP...

2025-09-03 標(biāo)簽:保險(xiǎn)絲熱插拔FET 991 0

UCC23513-Q1 汽車(chē)級(jí) 5.7kVrms,4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23513-Q1 汽車(chē)級(jí) 5.7kVrms,4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23513-Q1 驅(qū)動(dòng)器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4.5A 的拉電流和...

2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET電源電壓FET 988 0

TPS566235 采用 2mm x 3mm QFN 封裝的 4.5V 至 18V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS566235 采用 2mm x 3mm QFN 封裝的 4.5V 至 18V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS566235 是一款高性?xún)r(jià)比、高電壓輸入、高效率同步降壓轉(zhuǎn)換器,集成了 FET。它使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠使用經(jīng)濟(jì)高效、低元件數(shù)量、低待機(jī)電流的解決方案...

2025-06-13 標(biāo)簽:電容器穩(wěn)壓器FET 987 0

TPS92401 LED點(diǎn)控制器技術(shù)文檔摘要?

TPS92401 LED點(diǎn)控制器技術(shù)文檔摘要?

TPS92401 LED 點(diǎn)控制器器件通過(guò)提供高達(dá) 5A 像素級(jí)的 LED 調(diào)光控制和 4.5V 至 65V 寬輸入范圍,實(shí)現(xiàn) 4 通道獨(dú)立照明解決方案...

2025-08-20 標(biāo)簽:led控制器穩(wěn)壓器 985 0

LM5066系列 具有電流、電壓和功率監(jiān)控以及 PMBus 的 10V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5066系列 具有電流、電壓和功率監(jiān)控以及 PMBus 的 10V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5066 提供強(qiáng)大的保護(hù)和精度 監(jiān)控 10 至 80 V 系統(tǒng)???編程 序 UV、OV、I~限制~和快速短路保護(hù)允許 為任何應(yīng)用提供定制保護(hù)。 可...

2025-05-13 標(biāo)簽:可編程定時(shí)器FET 985 0

TPS2660 具有集成輸入反極性保護(hù)的 4.2V 至 60V、150mΩ、0.1-2.23A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2660 具有集成輸入反極性保護(hù)的 4.2V 至 60V、150mΩ、0.1-2.23A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2660x 器件是緊湊、功能豐富的高壓電子保險(xiǎn)絲,具有一整套保護(hù)功能。4.2 至 60 V 的寬電源輸入范圍允許控制許多常用的直流總線(xiàn)電壓。該器件...

2025-05-10 標(biāo)簽:封裝斷路器過(guò)流保護(hù) 980 0

LM5114系列 具有 4V UVLO 和分離輸出的 7.6A/1.3A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5114系列 具有 4V UVLO 和分離輸出的 7.6A/1.3A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5114 設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)升壓型配置中的低側(cè) MOSFET 或驅(qū)動(dòng) 隔離拓?fù)渲械拇渭?jí)同步 MOSFET。具有強(qiáng)大的灌電流能力, LM5114 可以并聯(lián)驅(qū)...

2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFETUVLOFET 979 0

LMG3626 700V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

LMG3626 700V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG362x GaN FET與交流-直流電源轉(zhuǎn)換中最常見(jiàn)的拓?fù)浼嫒荨_@些FET具有可編程導(dǎo)通壓擺率,可提供EMI...

2025-08-13 標(biāo)簽:emiFET電源轉(zhuǎn)換 979 0

通過(guò)自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍

通過(guò)自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍

當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號(hào)擺幅范圍時(shí),工程師面臨兩種選擇:使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案,不過(guò)這兩種選擇的成本可...

2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器電源電路 975 0

Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC技術(shù)解析

Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC技術(shù)解析

Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC是一款650V GaN電源FET半橋,適用于開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中 < 75w的有源鉗位...

2025-08-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器FET半橋 974 0

LM7310 2.7-V至23-V, 28-mΩ, 5.5-A負(fù)載開(kāi)關(guān),集成理想二極管和過(guò)壓保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM7310 2.7-V至23-V, 28-mΩ, 5.5-A負(fù)載開(kāi)關(guān),集成理想二極管和過(guò)壓保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM73100 是一款采用小型封裝的高度集成的電路保護(hù)和電源管理解決方案。該器件使用極少的外部元件提供多種保護(hù)模式,可針對(duì)電壓浪涌、反極性、反向電流和過(guò)...

2025-05-08 標(biāo)簽:電源管理元件FET 974 0

TPS1HC100-Q1智能高側(cè)開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

TPS1HC100-Q1智能高側(cè)開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments TPS1HC100-Q1智能高壓側(cè)開(kāi)關(guān)是一款具有全方位保護(hù)的高側(cè)電源開(kāi)關(guān),它集成有NMOS功率FET和電荷泵,專(zhuān)用于...

2025-09-25 標(biāo)簽:NMOS電源開(kāi)關(guān)FET 973 0

源極接地放大電路設(shè)計(jì)(1)

源極接地放大電路設(shè)計(jì)(1)

下圖是源極接地放大電路。分析它的直流點(diǎn)位是多少?此時(shí)交流信號(hào)是不存在的,即V2=0V。

2023-06-23 標(biāo)簽:MOSFET放大電路接地 970 0

TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...

2025-05-15 標(biāo)簽:封裝FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 967 0

?TPS2HC08-Q1 雙通道汽車(chē)智能高邊開(kāi)關(guān)技術(shù)文檔摘要

?TPS2HC08-Q1 雙通道汽車(chē)智能高邊開(kāi)關(guān)技術(shù)文檔摘要

TPS2HC08-Q1是一款雙通道智能高側(cè)開(kāi)關(guān),集成了NMOS功率FET和電荷泵,旨在滿(mǎn)足12V汽車(chē)電池系統(tǒng)的要求。低RON(9.4mΩ)可最大程度地降...

2025-10-08 標(biāo)簽:NMOSFET電荷泵 962 0

TPS2H000-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、1 Ω、2 通道汽車(chē)智能高側(cè)開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2H000-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、1 Ω、2 通道汽車(chē)智能高側(cè)開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2H000-Q1 系列是一款完全受保護(hù)的雙通道智能高側(cè)開(kāi)關(guān),具有集成的 1000mΩ NMOS 功率 FET。 全面的診斷和高精度電流感應(yīng)功...

2025-05-10 標(biāo)簽:NMOSFET電流感應(yīng) 961 0

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  • 快充技術(shù)
    快充技術(shù)
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  • 尼吉康
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  • trinamic
    trinamic
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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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      閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
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    無(wú)線(xiàn)供電,是一種方便安全的新技術(shù),無(wú)需任何物理上的連接,電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
  • 寧德時(shí)代
    寧德時(shí)代
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  • 艾德克斯
    艾德克斯
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    ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
  • 快充
    快充
    +關(guān)注
    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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    Qi標(biāo)準(zhǔn)
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    國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium,WPC)2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
  • Pebble
    Pebble
    +關(guān)注
    Pebble,是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底,智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌,上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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    WPC
    +關(guān)注
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    +關(guān)注
     BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家,主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元,防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電,延長(zhǎng)電池的使用壽命,監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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    手機(jī)快充
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    手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
  • A4WP
    A4WP
    +關(guān)注
    A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟,英特爾已加入該組織,并成為董事成員。
  • MAX660
    MAX660
    +關(guān)注
    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
  • 智能變電站
    智能變電站
    +關(guān)注
    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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    USB PD
    +關(guān)注
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    +關(guān)注
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    浪涌抑制器
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    光伏并網(wǎng)逆變器
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  • DCDC電源
    DCDC電源
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    納微半導(dǎo)體
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    Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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    脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式,根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定,是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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    醫(yī)療電源
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    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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