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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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?MCT8315Z 集成無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

MCT8315Z是德州儀器（TI）推出的集成FET的三相無刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，采用霍爾傳感器梯形控制方案，無需外部MCU即可驅(qū)動(dòng)電機(jī)。

2025-10-12 標(biāo)簽：霍爾傳感器 BLDC FET 1.9k 0

?MCT8314Z 無傳感器梯形控制集成FET三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器總結(jié)

? 1. 核心特性 ? ? 集成驅(qū)動(dòng)與控制 ? 支持霍爾傳感器梯形控制（120°換向），兼容模擬/數(shù)字霍爾輸入。可配置PWM調(diào)制（同步/異步），支持高...

2025-10-11 標(biāo)簽：BLDC FET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1.5k 0

DRV8161智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV816x 器件是半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。柵極驅(qū)動(dòng)電壓由GVDD電源引腳產(chǎn)生，集成自舉電路用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)FET，...

2025-10-11 標(biāo)簽：電源 MOSFET FET 1.3k 0

?DRV816x系列智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

2025-10-11 標(biāo)簽：電源 MOSFET FET 1k 0

?DRV8376 三相集成FET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

該DRV8376提供柵極驅(qū)動(dòng)和功率級(jí)，用于驅(qū)動(dòng)4.5V至65V無刷直流電機(jī)。該DRV8376集成了三個(gè)1/2-H電橋，具有70V絕對(duì)最大能力和400mΩ...

2025-10-11 標(biāo)簽：傳感器 FET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0

UC2843L-Q1PWM控制器技術(shù)文檔總結(jié)

UC284xL-Q1 控制器件是 UC284xAQ/UC284xA-Q1 系列的汽車級(jí)引腳對(duì)引腳兼容改進(jìn)版本。該器件提供控制電流模式或開關(guān)模式電源的必要...

2025-09-26 標(biāo)簽：控制器 FET 引腳 2.1k 0

UC2843L高性能經(jīng)濟(jì)型電流模式PWM控制器技術(shù)文檔總結(jié)

UC284xL 控制器件是 UC284x 系列的引腳對(duì)引腳兼容改進(jìn)版本。該器件提供控制電流模式或開關(guān)模式電源的必要功能，并提供改進(jìn)的功能：36V時(shí)VCC...

2025-09-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器控制器 FET 1.8k 0

?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要

TPS7H60x5 系列抗輻射性（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...

2025-09-26 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 9k 0

?TPS4816-Q1 高邊開關(guān)控制器技術(shù)文檔總結(jié)

TPS4816-Q1 是一系列具有保護(hù)和診斷功能的低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V 至 95V 的寬工作電壓范圍（100V 絕對(duì)最大額定值...

2025-09-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 FET 灌電流 926 0

?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強(qiáng)化GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

2025-09-26 標(biāo)簽：ldo FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7.5k 0

TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列輻射硬度保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...

2025-09-26 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 6.7k 0

?TPS2HC08-Q1 雙通道汽車智能高邊開關(guān)技術(shù)文檔摘要

TPS2HC08-Q1是一款雙通道智能高側(cè)開關(guān)，集成了NMOS功率FET和電荷泵，旨在滿足12V汽車電池系統(tǒng)的要求。低RON（9.4mΩ）可最大程度地降...

2025-10-08 標(biāo)簽：NMOS FET 電荷泵 953 0

TPS1HC100-Q1智能高側(cè)開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments TPS1HC100-Q1智能高壓側(cè)開關(guān)是一款具有全方位保護(hù)的高側(cè)電源開關(guān)，它集成有NMOS功率FET和電荷泵，專用于...

2025-09-25 標(biāo)簽：NMOS 電源開關(guān)FET 959 0

?TPS543021同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)文檔總結(jié)

TPS543021是一個(gè) 4.5V 至 28V 輸入電壓范圍、3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包括兩個(gè)集成開關(guān) FET、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償和 5ms 內(nèi)部軟啟動(dòng)，...

2025-09-25 標(biāo)簽：軟啟動(dòng)FET 輸入電壓 824 0

TPS16530 58V 4.5A電子保險(xiǎn)絲技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments TPS16530 58V 4.5A電子保險(xiǎn)絲是一款簡(jiǎn)單易用的正極電子保險(xiǎn)絲，具有31mΩ集成FET。該器件可為負(fù)載、...

2025-09-25 標(biāo)簽：保險(xiǎn)絲正極 FET 1.2k 0

基于LMG342XEVM-04X半橋子卡的GaN功率器件設(shè)計(jì)與應(yīng)用

TTexas Instruments LMG342xEVM-04x子板將兩個(gè)LMG342xR0x0 GaN FET配置在一個(gè)半橋中，具有鎖存過流保護(hù)功能...

2025-09-24 標(biāo)簽：過流保護(hù)FET 半橋 1.2k 0

突破功率密度邊界：TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應(yīng)用

Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率...

2025-09-19 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaN 985 0

基于DRV8316的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

Texas Instruments DRV8316/DRV8316-Q1三相集成FET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是一款單芯片功率級(jí)解決方案，專為驅(qū)動(dòng)12V無刷直流電機(jī)而...

2025-09-15 標(biāo)簽：三相 FET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0

TPS22811負(fù)載開關(guān)評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments TPS22811EVM負(fù)載開關(guān)評(píng)估模塊 (EVM) 支持對(duì)TPS22811負(fù)載開關(guān)進(jìn)行參考電路評(píng)估。TPS22811...

2025-09-12 標(biāo)簽：可編程負(fù)載開關(guān)FET 1.1k 0

基于LMG3422EVM-041半橋子卡的GaN功率模塊設(shè)計(jì)與應(yīng)用

Texas Instruments LMG3422EVM-041半橋子卡在半橋中配置兩個(gè)LMG3422R050 GaN FET。它具有鎖存過流保護(hù)功能和...

2025-09-11 標(biāo)簽：FET 半橋 GaN 1.1k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器	步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器	TWS	BLDC	無刷直流驅(qū)動(dòng)器	濕度傳感器	光學(xué)傳感器	圖像傳感器
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