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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識,例如:mos管工作原理、mos管封裝等知識。
這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構(gòu)造,如下圖所示,柵極和源極之間就是一個耗盡層(PN結(jié))。
2023-01-29 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管負電壓 4.2k 0
為了理解IGBT進入退飽和的過程機理,我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別:簡單來看,IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個P+...
從歷史上看,存在從 AC 到 DC 和 DC 到 DC 的首選電源轉(zhuǎn)換方法。這些都是由隨著時間演變的各種限制條件設(shè)定的。例如,有一天,“功率因數(shù)校正”僅...
2022-12-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器FETSiC 1.9k 0
在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中,熱設(shè)計都是一項重要的考慮因素。熱設(shè)計經(jīng)優(yōu)化后,工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級別、拓撲和應(yīng)用中。此應(yīng)用手冊論述了 TI LM...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢,但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比,...
高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 標(biāo)簽:FETSiC高頻開關(guān) 1.9k 0
一種用于實時檢測溶液中COVID-19刺突抗原的電子生物傳感器
這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅(Si)襯底以及覆蓋其上的二氧化硅(SiO2)介電層組成的p型硅片(Si/SiO2)制備。
2022-11-10 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管生物傳感器 1.1k 0
基于FET的生化傳感器表現(xiàn)出可靠、環(huán)保、高靈敏、便捷的特點,有望成為新一代傳感平臺。
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題,因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計...
UnitedSiC FET-Jet計算器讓功率設(shè)計選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計算出整體效率、動態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平;甚至可以指定并聯(lián)器件、多個轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能,以便預(yù)測結(jié)溫。
48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計用...
當(dāng)然,(近乎)完美的電氣開關(guān)已經(jīng)存在很長時間了,但我們在這里不是在談?wù)摍C械。 現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒有電阻的半導(dǎo)體開關(guān),當(dāng)打開時沒有電阻,關(guān)閉時...
基于p型V-WSe2和n型MoS2的可編程FET的異質(zhì)集成
CMOS技術(shù)是無數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品、儀器和計算工具的大腦。60多年來,CMOS技術(shù)在性能、能效和單位功能成本方面持續(xù)增長,這得益于遵循摩爾定律的硅基MOSF...
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