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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

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次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點事

據(jù)韓媒BusinessKorea報導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成...

2017-03-27 標(biāo)簽：dram fram 1.4k 0

FRAM內(nèi)存耐久度的優(yōu)勢分析

FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開關(guān)周期后維持鐵電開關(guān)電荷的非易失性部分的能力。

2024-02-19 標(biāo)簽：存儲器 RAM 內(nèi)存 1.4k 0

在RFID中嵌入FRAM，有必要嗎？

富士通半導(dǎo)體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的，而市場上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品...

2017-03-28 標(biāo)簽：fram 1.4k 0

解除車企高質(zhì)量發(fā)展“后顧之憂”，打造車載電子系統(tǒng)創(chuàng)新存儲解決方案

我國新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，成為汽車產(chǎn)業(yè)的重要增長點，據(jù)2018年新能源車銷量統(tǒng)計顯示，TOP20中有11個品牌來自中國。

2020-11-23 標(biāo)簽：存儲器車載電子電池管理系統(tǒng) 1.4k 0

20張圖文告訴您什么是智能水/氣表存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案

在今天的舉辦的2015智能水/氣計量及管網(wǎng)執(zhí)行力論壇上，富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司市場部高級經(jīng)理蔡振宇作了“智能水/氣表存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案”的...

2017-03-28 標(biāo)簽：fram 1.4k 0

CYPRESS FRAM實現(xiàn)EDR高速數(shù)據(jù)寫入

賽普拉斯FRAM技術(shù)以納秒級寫入速度、百萬次擦寫壽命及10年數(shù)據(jù)保持能力，顯著提升EDR設(shè)備的數(shù)據(jù)可靠性。其低功耗與非易失性特性完美適配工業(yè)及車載嚴(yán)苛環(huán)...

2026-01-07 標(biāo)簽：賽普拉斯 fram 存儲芯片 1.3k 0

鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用

鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的...

2023-06-29 標(biāo)簽：存儲器 fram 鐵電存儲器 1.3k 0

國產(chǎn)2M FRAM PB85RS2MC可完全兼容FM25V20A助力智慧農(nóng)業(yè)

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-11-15 標(biāo)簽：fram 鐵電存儲器國芯思辰 1.3k 0

傳統(tǒng)優(yōu)勢以外的掘金之路，見證富士通探索創(chuàng)新的另一面！

自成功量產(chǎn)20年以來，富士通FRAM的出貨量已經(jīng)超過37億顆，廣泛應(yīng)用于工業(yè)水電氣表、物聯(lián)網(wǎng)等基礎(chǔ)領(lǐng)域，近些年來更是不斷在醫(yī)療、汽車等行業(yè)斬獲大單。

2019-05-07 標(biāo)簽：頻譜 fram 富士通 1.3k 0

臺積電引領(lǐng)新興存儲技術(shù)潮流，功耗僅為同類技術(shù)的1%

MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅(qū)動，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。

2024-01-22 標(biāo)簽：臺積電存儲器存儲技術(shù) 1.3k 0

【漲姿勢】“鐵”的事實告訴你，工程師不可望文生義

是時候來科普下威武的鐵電（FRAM）技術(shù)了！望文生義對于工程師可不行，例如曾有客戶在設(shè)計一級三相智能電表的時候，對是否選擇鐵電存儲器（FRAM）之前，向...

2017-03-28 標(biāo)簽：fram 1.3k 0

鐵電存儲器PB85RS2MC在生物樣品分選儀中的應(yīng)用

生物樣品分選儀是應(yīng)用于實驗室或醫(yī)療機(jī)構(gòu)的一種智能型分選工具，此生物樣品分選儀器具有多規(guī)程的特點，可以由外接計算機(jī)在專用軟件中創(chuàng)建、修改或刪除規(guī)程，再通過...

2023-07-20 標(biāo)簽：存儲器運動控制 fram 1.2k 0

舜銘存儲FRAM SF24C512(MB85RS512)用于工程機(jī)械儀表

2024-12-26 標(biāo)簽：儀表 fram 鐵電存儲器 1.2k 0

不知不覺中，我們的生活已經(jīng)被它攻占

有一個神秘的東東，據(jù)說80%的攻城獅都未必熟悉，但它已經(jīng)攻占這些領(lǐng)域，您能猜到是神馬神器嗎？

2017-03-27 標(biāo)簽：fram 1.1k 0

鐵電存儲器PB85RS2MC在POS機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的應(yīng)用

我們經(jīng)常能在零售或批發(fā)的商品流通中看到PSO機(jī)的身影，如大型超市、綜合商場、零售店等等。在生產(chǎn)消費過程，商品過程越發(fā)數(shù)據(jù)信息化，而POS機(jī)可以很好進(jìn)行數(shù)...

2023-06-20 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)采集 POS機(jī)fram 1.1k 0

媒體聚焦 | FRAM——高可靠系統(tǒng)的存儲神器

歲末年初，由EEVIA主辦的第四屆電子技術(shù)媒體論壇在深圳舉辦，ADI、Analogix、Freescale、Fujitsu、集創(chuàng)等多家業(yè)界領(lǐng)先公司的專家...

2017-03-28 標(biāo)簽：fram 1k 0

Texas Instruments BQF0008EVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments BQF0008EVM評估模塊設(shè)計用于快速輕松地演示BQF0008單線FRAM存儲器器件。BQF0008EVM采用US...

2025-07-09 標(biāo)簽：存儲器 fram 評估模塊 1k 0

提供即時寫入功能的FRAM存儲器

FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因...

2022-11-25 標(biāo)簽：存儲器 EEPROM fram 987 0

鐵電存儲器PB85RS2MC的性能特征

監(jiān)測數(shù)據(jù)是煤礦安全監(jiān)控系統(tǒng)的源頭，監(jiān)測數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性及完整性是煤礦安全生產(chǎn)的關(guān)鍵所在。然而現(xiàn)有監(jiān)控分站數(shù)據(jù)存儲容量有限，且多數(shù)不具備記憶功能，一旦通訊線路...

2023-06-29 標(biāo)簽：存儲器存儲技術(shù)監(jiān)控系統(tǒng) 820 0

??富士通FRAM寬電壓設(shè)計簡化LED顯示電源方案?

富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲方案，支持納秒級寫入與10^12次...

2025-09-11 標(biāo)簽：led fram 存儲芯片 756 0

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云儲存

云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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長鑫存儲

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