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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

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透過在ICT解決方案中使用FRAM技術(shù) 降低整個系統(tǒng)的CO2

FRAM」是前景看好且正受到廣泛關(guān)注的集成電路組件，然而，其制造過程中使用的原材料及化學(xué)物質(zhì)頗多，制程也極為復(fù)雜。為了計算出在生產(chǎn)FRAM時的CO2排放...

2010-07-05 標(biāo)簽：CO2 FRAM 1k 0

階梯收費加速水/氣表智能化，引發(fā)FRAM強勁增長

王朔的小說《一半是火焰，一半是海水》擁有一個極富想象力的書名，可借用來關(guān)聯(lián)下我們關(guān)注的水和氣表計量。

2014-11-06 標(biāo)簽：FRAM 1k 0

與富士通FRAM相比，Everspin MRAM有哪些優(yōu)勢

Everspin是設(shè)計制造MRAM到市場和應(yīng)用程序的翹楚，在這些市場和應(yīng)用程序中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin是MRAM...

2021-04-26 標(biāo)簽：fram MRAM 1k 0

富士通FRAM的應(yīng)用

自動駕駛、或者說ADAS的本質(zhì)是汽車與環(huán)境的對話，通過傳感器采集數(shù)據(jù)、存儲器記錄數(shù)據(jù)、處理器運算數(shù)據(jù)以及反饋等過程實現(xiàn)。而這些過程都需在極短的時間內(nèi)完成...

2020-09-09 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 fram 971 0

富士通新款4Mbit FRAM可穩(wěn)定在125℃高溫下運行

鐵電隨機存儲器FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM主要結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有...

2020-07-30 標(biāo)簽：存儲器 fram 962 0

FRAM在便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的應(yīng)用

隨著系統(tǒng)復(fù)雜性不斷增加，包括多個數(shù)學(xué)函數(shù)和算法的復(fù)雜代碼也隨之增加，片上存儲器內(nèi)存容量可能不足。因此便攜式醫(yī)療系統(tǒng)通常需要額外的存儲空間，以便設(shè)計人員使...

2021-05-12 標(biāo)簽：fram 鐵電存儲器非易失性存儲器 960 0

基于FRAM存儲與藍牙網(wǎng)關(guān)的IC卡設(shè)計方案

自從 20 世紀 70 年代 IC 卡誕生以來，在飛速發(fā)展的微電子技術(shù)的帶動下，IC 卡已經(jīng)深入到社會生活的各個角落，各種各樣的卡大大方便了人們的生活：...

2020-10-30 標(biāo)簽：存儲 fram 藍牙網(wǎng)關(guān) 956 0

用于汽車事件數(shù)據(jù)記錄器中的Cypress非易失性FRAM

CYPRESS串行非易失性存儲器為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲器FRAM系列提供高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在極端溫...

2021-01-07 標(biāo)簽：汽車電子 fram 954 0

富士通這么多的FRAM都用到了哪些領(lǐng)域之中

與傳統(tǒng)的存儲技術(shù)相比，F(xiàn)RAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產(chǎn)20年以來，出貨量...

2021-04-24 標(biāo)簽：汽車電子 fram 富士通 946 0

MRAM實現(xiàn)了SPIEEPROM和SPIFlash組件通用的命令子集

Everspin是設(shè)計，制造和商業(yè)銷售分立磁阻RAM（MRAM）到市場和應(yīng)用的全球領(lǐng)導(dǎo)者，在這些市場和應(yīng)用中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要...

2020-08-27 標(biāo)簽：fram MRAM 925 0

富士通FRAM在存儲智能電表重要數(shù)據(jù)應(yīng)用中的作用

工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展，對數(shù)據(jù)鏈上如數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)記錄、數(shù)據(jù)處理等各個環(huán)節(jié)的應(yīng)用提出了更高的要求。對于智能電表而言，數(shù)據(jù)記錄及存儲需要考慮準(zhǔn)確記錄、非易失...

2021-05-11 標(biāo)簽：fram 富士通 922 0

關(guān)于0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能

內(nèi)存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計考慮因素之一。鐵電...

2020-12-22 標(biāo)簽：存儲器 fram 902 0

富士通FRAM實現(xiàn)低成本通用智能表計的方案說明

經(jīng)過智能電表市場的長期驗證，富士通FRAM產(chǎn)品在不斷優(yōu)化性能與降低成本的同時也逐步轉(zhuǎn)向更廣泛的智能表計市場。富士通FRAM在近幾年也逐漸打入全球智能水和...

2021-05-08 標(biāo)簽：存儲器 fram 889 0

便攜式醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用中鐵電存儲器FRAM的優(yōu)勢

隨著技術(shù)的不斷進步，消費類、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來越強大，越來越完善，極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性，同時保證了用戶健康信息的安全性，價格...

2021-05-08 標(biāo)簽：醫(yī)療設(shè)備 fram 874 0

富士通FRAM主要具備的三大優(yōu)勢是什么

存儲設(shè)備（主要指存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品）通常分為兩種類型。一種是“易失性存儲器”——數(shù)據(jù)在斷電時消失，如DRAM。另一種類型則是“非易失性存儲器”——數(shù)據(jù)...

2021-06-08 標(biāo)簽：fram 富士通 845 0

車規(guī)級FRAM可滿足汽車電子可靠性和無遲延的要求

伴隨著5G、車聯(lián)網(wǎng)等概念的興起，整車ADAS和車載娛樂等功能正逐步成為新一代智能汽車的標(biāo)配，而多傳感器融合以及大屏幕和大屏幕的車載軟及硬件系統(tǒng)無疑需要更...

2020-09-27 標(biāo)簽：新能源汽車汽車電子 fram 824 0

關(guān)于FRAM在新能源汽車技術(shù)中的應(yīng)用分析

新能源汽車的核心技術(shù)，是大家所熟知的動力電池，電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。而高性能存儲器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件。無論是BMS，還是VCU...

2021-05-04 標(biāo)簽：新能源汽車 fram 815 0

汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對電子產(chǎn)品的依賴性將日益增強

這些年來，汽車產(chǎn)品對電子產(chǎn)品的依賴性日益增強。從前的機械系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到電子控制單元（ECU）。針對汽車產(chǎn)品安全和用戶娛樂目的的新系統(tǒng)所面對的問題是高度復(fù)雜性...

2020-09-24 標(biāo)簽：汽車電子存儲器 fram 806 0

FRAM技術(shù)在機器學(xué)習(xí)和人工應(yīng)用方面具有很大的潛力

最近出現(xiàn)的許多內(nèi)存問題都以3D Xpoint的形式出現(xiàn)在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是鐵電RAM（FRAM）在小型利基設(shè)備中得到了成功。去年...

2020-07-24 標(biāo)簽：晶體管 fram 797 0

FRAM技術(shù)的優(yōu)勢已經(jīng)擴展到微控制器的應(yīng)用

FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工...

2020-07-03 標(biāo)簽：微控制器 fram 782 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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